-
题名内部硅化法制备低成本C/SiC复合材料
被引量：11
- 1
-
-
作者
闫联生
李贺军
崔红
王涛
-
机构
西北工业大学材料学院
西安航天复合材料研究所
-
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期41-44,52,共5页
-
文摘
采用内部硅化法制备了低成本C/SiC复合材料,通过三点弯曲法表征了复合材料的强度,采用X射线衍射(XRD)分析了基体组成,通过扫描电镜(SEM)研究了纤维/基体界面和复合材料断裂面的微观结构。结果表明,纤维表面沉积CVD-SiC保护涂层能够有效保护碳纤维不被硅侵蚀,调整硅粉和酚醛树脂配比使C∶Si摩尔比等于10∶9,可消除SiC基体中的残余自由硅。研制的低成本2D C/SiC复合材料的弯曲强度和剪切强度分别达到247MPa与13.6MPa。2D C/SiC复合材料的断裂行为呈现韧性破坏模式,在断裂面存在大量的拔出纤维,复合材料的断裂韧性(KIC)达到12.1MPa.m1/2。
-
关键词
液相渗硅技术
碳/碳化硅复合材料
界面涂层
硅化处理
-
Keywords
liquid silicon infiltration
C/SiC composite
interface coating
siliconizing
-
分类号
TB323
[一般工业技术—材料科学与工程]
-
