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改进碲镉汞液相外延方法原位生长正组分梯度薄膜材料
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作者 霍勤 韩红强 +7 位作者 张诚 焦翠灵 王仍 毛铖铭 陆液 陈心恬 乔辉 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期305-313,共9页
研究了液相外延生长条件对碲镉汞薄膜材料组分梯度的影响,建立了指导液相外延生长的理论模型。通过改变水平推舟液相外延工艺的汞损失速率,生长出具有正组分梯度的碲镉汞薄膜材料。针对这种特定条件下生长的碲镉汞外延薄膜,通过腐蚀减... 研究了液相外延生长条件对碲镉汞薄膜材料组分梯度的影响,建立了指导液相外延生长的理论模型。通过改变水平推舟液相外延工艺的汞损失速率,生长出具有正组分梯度的碲镉汞薄膜材料。针对这种特定条件下生长的碲镉汞外延薄膜,通过腐蚀减薄光谱测试与二次离子质谱测试证实了材料具有正组分梯度结构。与传统方法生长的具有负组分梯度的碲镉汞薄膜相比,这种薄膜材料具有相近的表面形貌与红外透射光谱曲线,且具有较高的晶体质量,其X射线衍射双晶摇摆曲线半峰宽达到28.8 arcsec。 展开更多
关键词 碲镉汞 液相外延 组分梯度 二次离子质谱
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100 mm×100 mm液相外延碲镉汞薄膜技术进展
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作者 邓文斌 宋林伟 +11 位作者 孔金丞 姜军 杨晋 起文斌 万志远 刘燕 荣徽宇 许江明 杨翔 朱逊 郑要争 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第10期1172-1177,共6页
昆明物理研究所突破了φ150 mm碲锌镉单晶定向生长技术,实现了100 mm×100 mm碲锌镉衬底的小批量制备,位错腐蚀坑密度(EPD)≤4×10^(4) cm^(-2),沉积相尺寸小于5μm、沉积相密度小于5×10^(3) cm^(-2)。突破了大尺寸碲锌镉... 昆明物理研究所突破了φ150 mm碲锌镉单晶定向生长技术,实现了100 mm×100 mm碲锌镉衬底的小批量制备,位错腐蚀坑密度(EPD)≤4×10^(4) cm^(-2),沉积相尺寸小于5μm、沉积相密度小于5×10^(3) cm^(-2)。突破了大尺寸碲锌镉衬底表面处理以及大面积富碲水平推舟液相外延技术,实现了100 mm×100 mm大尺寸短波、中波碲镉汞薄膜材料的制备,薄膜表面质量优异,厚度极差优于±1.25μm,组分极差优于±0.0031,是目前国际上报道的最大面积碲锌镉衬底基碲镉汞薄膜材料。该材料为10k×10k及以上亿像素规模红外探测器的研制、4k×4k等规模大面阵红外探测器的量产奠定了坚实的基础。 展开更多
关键词 液相外延 100mm×100mm 碲锌镉 碲镉汞
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50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术 被引量:11
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作者 孙权志 孙瑞赟 +5 位作者 魏彦锋 孙士文 周昌鹤 徐超 虞慧娴 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期49-53,59,共6页
采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控... 采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm×50 mm外延材料的组分均方差达到了0.000 4,厚度均方差达到了0.4μm.在批量生产技术中,加强了对单轮次生长环境的均匀性和生长轮次之间生长条件一致性的控制,同一轮次生长的3片材料之间的组分偏差小于0.000 4,厚度偏差小于0.1μm,不同生长轮次之间材料的组分之间的波动在±0.002左右,厚度之间的波动在±2μm左右.工艺中对碲锌镉衬底的Zn组分、缺陷尺寸和缺陷密度也加强了控制,以控制大面积外延材料的缺陷,晶体双晶衍射半峰宽(FWHM)小于30弧秒,外延材料的位错密度小于1×105cm^(-2),表面缺陷密度小于5 cm^(-2).外延材料经过热处理后,汞空位型的P型Hg0.78Cd0.22Te外延材料77 K温度下的载流子浓度被控制在8~20×1015cm-3,空穴迁移率大于600 cm2/Vs.材料整体性能和批生产能力已能满足大规模碲镉汞红外焦平面探测器的研制需求. 展开更多
关键词 碲镉汞 液相外延 大尺寸 高性能
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碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响 被引量:15
4
作者 吴刚 唐利斌 +4 位作者 马庆华 赵增林 张梅 黄晖 姬荣斌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期663-667,共5页
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延... 采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。 展开更多
关键词 X射线双晶回摆衍射法 貌相术 CdZnTe衬底 HGCDTE薄膜 液相外延 Te沉淀相
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碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应 被引量:6
5
作者 宋林伟 吴军 +7 位作者 孔金丞 李东升 张阳 李沛 杨翔 万志远 黄元晋 木胜 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期92-97,共6页
该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,... 该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,高温汞蒸气对碲锌镉衬底中表面沉淀物尺寸无明显影响,但在衬底表面发现两种类型的腐蚀点,一种是尺寸为25μm左右的较大腐蚀点,分布较均匀;另一种是尺寸为7μm左右的圆形腐蚀点,分布不均匀.衬底经过液相外延薄膜成核生长前的温度变化过程以及高温Hg蒸气的作用,碲锌镉衬底表面形貌呈鱼鳞状,粗糙度增大了50%以上. 展开更多
关键词 液相外延 碲锌镉衬底 汞腐蚀 粗糙度
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HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制 被引量:5
6
作者 魏彦锋 徐庆庆 +4 位作者 陈晓静 张传杰 孙士文 方维政 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期246-248,共3页
研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑... 研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜. 展开更多
关键词 碲镉汞 液相外延 表面缺陷
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CdZnTe中富碲沉积相缺陷引起的液相外延HgCdTe薄膜表面缺陷 被引量:6
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作者 张阳 吴军 +2 位作者 木胜 左大凡 李东升 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期728-733,共6页
为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹... 为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹陷坑缺陷以及三角形凹陷坑聚集区;在液相外延过程中,高温碲镉汞熔液与CdZnTe衬底间的回熔作用可以减少与富碲沉积相相关的表面缺陷,薄膜表面缺陷与衬底表面富碲沉积相的匹配度与回熔深度负相关;回熔过程以及富碲沉积相形态、深度影响HgCdTe薄膜表面缺陷形态和分布. 展开更多
关键词 富碲沉积相 液相外延 碲镉汞 碲锌镉 表面缺陷
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衬底及生长工艺对Hg_1-_xCd_xTe液相外延薄膜的影响 被引量:4
8
作者 朱基千 褚君浩 +3 位作者 李标 陈新强 曹菊英 程继健 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第6期518-521,共4页
用扫描电子显微镜(SEM)、能量散射X射线分析(EDX)及X射线双晶摇摆曲线(DCRC)方法对衬底及Hg1-xCdxTe液相外延(LPE)薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔LPE生长措施,可以... 用扫描电子显微镜(SEM)、能量散射X射线分析(EDX)及X射线双晶摇摆曲线(DCRC)方法对衬底及Hg1-xCdxTe液相外延(LPE)薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔LPE生长措施,可以防止衬底沾污对液相外延层形貌的影响。 展开更多
关键词 HGCDTE 液相外延 晶体质量 薄膜
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HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征 被引量:8
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作者 魏彦锋 陈新强 曹妩媚 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期294-296,313,共4页
液相外延是制备HgCdTe薄膜材料的一项成熟技术,大尺寸的外延薄膜是研制HgCdTe红外焦平面列阵的基础。探讨了尺寸为30mm×40mm的HgCdTe液相外延薄膜生长技术,用红外透射光谱和X光貌相技术对材料进行了评价。并对HgCdTe薄膜表面的黑... 液相外延是制备HgCdTe薄膜材料的一项成熟技术,大尺寸的外延薄膜是研制HgCdTe红外焦平面列阵的基础。探讨了尺寸为30mm×40mm的HgCdTe液相外延薄膜生长技术,用红外透射光谱和X光貌相技术对材料进行了评价。并对HgCdTe薄膜表面的黑点缺陷、波纹起伏等特征形貌进行了讨论,指出黑点缺陷是杂质粒子在薄膜表面形成的包裹体,而表面波纹是由生长母液中的对流引起的。 展开更多
关键词 液相外延 碲镉汞 缺陷
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液相外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜及其特性分析 被引量:3
10
作者 李标 陈新强 +2 位作者 褚君浩 曹菊英 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期216-222,共7页
报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由... 报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布. 展开更多
关键词 液相外延 X射线双晶衍射 HGCDTE 薄膜
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碲镉汞富碲垂直液相外延技术 被引量:3
11
作者 杨建荣 张传杰 +7 位作者 方维政 魏彦锋 刘从峰 孙士文 陈晓静 徐庆庆 顾仁杰 陈新强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期325-329,共5页
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应... 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义. 展开更多
关键词 半导体技术 碲镉汞外延材料 液相外延 垂直浸渍外延
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液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 被引量:4
12
作者 杨进华 高欣 +2 位作者 李忠辉 吴根柱 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-217,共4页
用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关键词 液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率
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关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论 被引量:2
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作者 史伟民 闵嘉华 +5 位作者 王林军 钱永彪 刘冬华 陈培峰 桑文斌 吴汶海 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第3期194-198,共5页
从热力学角度对 L PE中同时存在的 Si氧化与 Si O2 腐蚀的动态平衡过程进行了分析 ,表明在 Si的低温同质液相外延中 ,一般的 L PE条件很难解决防止 Si的氧化问题 .作者尝试采用饱和 Sn源保护 Si衬底的方法来解决硅氧化问题 ,通过对外延... 从热力学角度对 L PE中同时存在的 Si氧化与 Si O2 腐蚀的动态平衡过程进行了分析 ,表明在 Si的低温同质液相外延中 ,一般的 L PE条件很难解决防止 Si的氧化问题 .作者尝试采用饱和 Sn源保护 Si衬底的方法来解决硅氧化问题 ,通过对外延层表面形貌和成分的分析研究 ,表明采用 Sn源保护成功地解决了硅的氧化问题 . 展开更多
关键词 硅氧化 液相外延 硅薄膜 LPE CVD 表面形貌
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昆明物理研究所大面积水平推舟液相外延碲镉汞薄膜技术进展 被引量:4
14
作者 孔金丞 宋林伟 +8 位作者 起文斌 姜军 丛树仁 刘燕 荣徽宇 许江明 方东 赵鹏 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第2期111-122,共12页
报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)... 报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)cm^(-2),Ф120 mm(111)晶圆衬底的Zn组份分布极差≤0.36%。基于碲锌镉衬底技术的进步,液相外延碲镉汞薄膜的最大生长尺寸达到了70 mm×75 mm,薄膜位错腐蚀坑密度均值为5×10^(4)cm^(-2),X射线双晶回摆曲线半峰宽(DCRC-FWHM)≤35 arcsec,部分可控制到25 arcsec以下;50 mm×60 mm尺寸长波碲镉汞薄膜的厚度极差≤±1.25μm,室温截止波长极差≤±0.1μm,中波碲镉汞薄膜相应指标分别为≤±1μm、≤±0.05μm。材料技术的进展促进了制冷型碲镉汞探测器产能提升和成本的降低,也支撑了高性能长波/甚长波探测器、高工作温度(HOT)探测器以及2048×2048、4096×4096等甚高分辨率高性能探测器的研制。 展开更多
关键词 液相外延 碲锌镉衬底 碲镉汞薄膜
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液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究 被引量:3
15
作者 胡尚正 郭明珠 +5 位作者 刘铭 吴卿 折伟林 杨海燕 孙浩 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期838-841,共4页
通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外... 通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。 展开更多
关键词 碲镉汞 液相外延 Au掺杂
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Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的貌相分析 被引量:2
16
作者 朱基千 李标 +3 位作者 褚君浩 陈新强 曹菊英 程继健 《华东理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期68-72,共5页
用扫描电子显微镜、能量散射X-射线分析及金相显微镜等方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系,以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明,衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差;生长... 用扫描电子显微镜、能量散射X-射线分析及金相显微镜等方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系,以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明,衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差;生长前衬底表面覆盖可以减轻其表面沾污,用适当的回熔LPE工艺。 展开更多
关键词 貌相 液相外延 薄膜 HGCDTE 红外探测器
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高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长 被引量:4
17
作者 马庆华 陈建才 +1 位作者 姬荣斌 杨宇 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第1期42-44,共3页
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。... 用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。测试结果表明本方法生长的HgCdTe薄 膜能满足目前研制红外焦平面器件的要求。 展开更多
关键词 液相外延生长 红外焦平面器件 碲镉汞 衬底 CDTE薄膜 高质量 长波 固态 表面形貌 薄膜材料
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低偏振高功率1310nm超辐射发光二极管的液相外延生长 被引量:2
18
作者 周勇 段利华 +3 位作者 张靖 刘尚军 韩伟峰 黄茂 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期69-74,共6页
对新月形超辐射发光二极管的液相外延生长过程进行了机理分析。利用Matlab软件对建立的非平面生长模型进行了理论计算,并利用扫描电镜(SEM)对液相外延生长的形貌进行了分析,通过理论计算与实验分析设计了获得低偏振、高功率超辐射发光... 对新月形超辐射发光二极管的液相外延生长过程进行了机理分析。利用Matlab软件对建立的非平面生长模型进行了理论计算,并利用扫描电镜(SEM)对液相外延生长的形貌进行了分析,通过理论计算与实验分析设计了获得低偏振、高功率超辐射发光二极管的外延结构。利用该结构研制的超辐射发光二极管芯片在100 m A工作电流、25℃工作温度下输出功率达到3.6 m W,相应的输出波长为1 306 nm,光谱半宽为39nm,光谱波纹为0.17 d B,偏振度为2%。 展开更多
关键词 超辐射发光二极管 低偏振度 高功率 液相外延
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3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析 被引量:2
19
作者 封先锋 陈治明 +2 位作者 马剑平 蒲红斌 李留臣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期945-949,共5页
3C SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料。本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长 3C SiC及抑制其相变的研究进展。采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析 ,结果表明... 3C SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料。本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长 3C SiC及抑制其相变的研究进展。采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析 ,结果表明所制备的样品为 3C 展开更多
关键词 液相外延生长 RAMAN散射 SIC单晶 大功率 电学性能 器件 高频率 耐高温 熔体 制备
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KTP光波导薄膜的助熔剂液相外延生长 被引量:2
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作者 王继扬 刘耀岗 +2 位作者 魏景谦 施路平 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期122-126,共5页
本文报导了借助于助熔剂液相外延法(FLPE)生长KTP波导薄膜层的研究结果,指出了重复生长高质量薄膜的关键。
关键词 KTP 薄膜 光波导 助溶剂 液相外延
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