等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

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作者 汪明刚 刘杰 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-373,共4页

基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该... 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 浸没注入 低能注入 注入掺杂 ENERGY 离子密度 注入深度 系统工作 掺杂离子浓度 二次离子质谱 直流电压源 射频功率源 径向均匀性 诊断结果 探针 离子剂量 技术设计 硅基片上 测试结果 圆柱形

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等离子体浸没离子注入及表面强化工艺的进展 被引量：7

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作者 汤宝寅 王松雁 +5 位作者 刘爱国 曾照明 田修波 王小峰 王浪平 PaulKChu 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1999年第S1期181-185,192,共6页

等离子体浸没离子注入 (PIII)消除了传统束线离子注入 (IBII)固有的视线限制 ,是一种更适合于处理复杂形状工件的手段 .近十年来 ,PIII及其工业应用在国内外得到了迅速发展 .然而 ,随着PIII的研究与开发的深入 ,发现仍有若干重要的物理... 等离子体浸没离子注入 (PIII)消除了传统束线离子注入 (IBII)固有的视线限制 ,是一种更适合于处理复杂形状工件的手段 .近十年来 ,PIII及其工业应用在国内外得到了迅速发展 .然而 ,随着PIII的研究与开发的深入 ,发现仍有若干重要的物理与技术问题 ,诸如浅的注入层、离子注入不均匀性、气体 (氮 )等离子体的有限应用范围等等 ,阻碍了PIII工业应用的发展 .目前 ,这些问题已成为国内外学者关注的焦点 .我实验室近年来在注入过程鞘层动力学的计算机理论模拟、离子注入剂量不均匀性改善、圆筒内表面注入研究、新型长射程阴极弧金属等离子体源研制、气体及金属等离子体的综合性表面改性工艺研究、以及低能高温PIII新工艺研究等方面进行了研究工作 . 展开更多

关键词 离子注入 等离子体浸没离子注入 表面改性

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9Cr18轴承钢表面不同等离子体浸没离子注入强化处理技术研究 被引量：5

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作者 刘洪喜 汤宝寅 +3 位作者 王小峰 王浪平 于永澔 孙韬 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期167-171,共5页

采用不同的等离子体浸没离子注入 (PIII)工艺在 9Cr18轴承钢表面进行了气体、金属、金属加气体的离子注入和碳化钛 (TiC)、类金刚石 (DLC)薄膜的等离子体浸没离子注入与沉积 (PIIID)。对处理后的试样进行了X射线光电子能谱 (XPS)、X射... 采用不同的等离子体浸没离子注入 (PIII)工艺在 9Cr18轴承钢表面进行了气体、金属、金属加气体的离子注入和碳化钛 (TiC)、类金刚石 (DLC)薄膜的等离子体浸没离子注入与沉积 (PIIID)。对处理后的试样进行了X射线光电子能谱 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、俄歇电子能谱 (AES)和拉曼光谱 (Raman)分析 ;测试了处理前后试样的显微硬度、磨痕宽度和摩擦系数。结果表明 :处理后试样表面均形成了不同的改性层 ,且改性层中化学组成和各元素的浓度 深度分布随处理工艺的不同而变化 ;处理后试样的显微硬度都有较大提高 ,最大增幅达 77.7% ;表面摩擦系数由 0 .8下降到0 .16 ;磨痕宽度减少了 2 3倍 ;与PIII工艺相比 ,相同参数下 ,PIIID处理后的试样表面综合性能更加优异。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入(PⅢ) 等离子体浸没离子注入与沉积(PⅢD) 9Cr18轴承钢 摩擦磨损性能

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等离子体浸没离子注入技术与设备研究 被引量：2

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作者 刘杰 汪明刚 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期626-629,共4页

基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了... 基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 超浅结 感应耦合 线圈结构 脉冲偏压电源

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铀表面等离子体浸没离子注入沉积制备氮化层+Ti/TiN多层膜的结构与性能 被引量：2

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作者 黄河 白彬 +3 位作者 赖新春 刘天伟 严东旭 龙重 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期64-66,共3页

为了改善金属铀的摩擦磨损和抗腐蚀性能,采用等离子体浸没离子注入沉积(PIII&D)技术在铀表面氮化,再沉积Ti/TiN多层膜。利用扫描电镜和X射线衍射分析了薄膜的形貌和组织结构;对薄膜的摩擦磨损和抗湿热腐蚀性能进行了测试。结果表明... 为了改善金属铀的摩擦磨损和抗腐蚀性能,采用等离子体浸没离子注入沉积(PIII&D)技术在铀表面氮化,再沉积Ti/TiN多层膜。利用扫描电镜和X射线衍射分析了薄膜的形貌和组织结构;对薄膜的摩擦磨损和抗湿热腐蚀性能进行了测试。结果表明:薄膜表面致密,界面晶粒柱状生长方式被阻断,晶粒细化;薄膜为Ti和TiN的双相结构,衍射谱中出现了UO2和U2N3的衍射峰;薄膜大大提高了铀基体的摩擦磨损和抗湿热腐蚀性能,调制周期对薄膜性能的影响较大。 展开更多

关键词 氮化 Ti/TiN多层膜 等离子体浸没离子注入沉积 铀 性能

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脉冲宽度对偏转电场法内表面等离子体浸没离子注入的影响 被引量：1

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作者 刘爱国 陆显文 +1 位作者 王小峰 汤宝寅 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1999年第S1期121-123,共3页

近年来 ,采用等离子体浸没离子注入 (PIII)对零部件内表面进行改性处理引起了各国研究工作者的广泛关注 .研究表明 ,提出的偏转电场法是进行内表面注入处理的有效方法 ,可以极大提高内表面注入的注入剂量和注入能量 .研究了采用偏转电... 近年来 ,采用等离子体浸没离子注入 (PIII)对零部件内表面进行改性处理引起了各国研究工作者的广泛关注 .研究表明 ,提出的偏转电场法是进行内表面注入处理的有效方法 ,可以极大提高内表面注入的注入剂量和注入能量 .研究了采用偏转电场法注入时注入电压脉冲宽度对注入效果的影响 .结果表明 ,长注入脉宽可以提高内表面注入能量 ,但对注入剂量影响不大 ;脉冲宽度对注入峰值深度和注入剂量的分布有很大影响 ,长注入脉宽使注入峰值深度和注入剂量的最大值向筒内部移动 ;采用适当的不同宽度脉冲进行注入 ,可以改善注入均匀性 . 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 脉冲宽度 偏转电场法 内表面

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轴承滚珠等离子体浸没离子注入过程的数值模拟 被引量：1

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作者 于永澔 王浪平 +5 位作者 王小峰 汤宝寅 甘孔银 刘洪喜 王宇航 王松雁 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1598-1602,共5页

　利用轴对称PIC模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入(PIII)过程进行了数值模拟,对归一化电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中,为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成不良影响,对滚珠在靶台上摆放的最小距离... 　利用轴对称PIC模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入(PIII)过程进行了数值模拟,对归一化电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中,为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成不良影响,对滚珠在靶台上摆放的最小距离进行了数值计算,计算结果表明:在电压为-40kV,氮等离子体密度为4.8×109cm-3,脉冲宽度为10μs时,滚珠摆放的最小距离应大于34.18cm。分析了滚珠圆周方向注入剂量的分布情况,针对静止滚珠改性处理后剂量分布很不均匀的问题,通过旋转靶台使滚珠注入均匀性明显得到改善。利用朗谬尔探针测量了滚珠周围鞘层扩展的情况测量,模拟结果和实验测量结果相吻合,最大相对误差小于8.4%。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 鞘层动力学数值模拟 注入剂量均匀性

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等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用 被引量：1

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作者 邹志超 李超波 +1 位作者 罗军 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期596-599,604,共5页

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利... 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 束线离子注入 鞘层 FINFET 保形注入

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等离子体浸没离子注入与沉积技术在刀具上的应用研究

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作者 张志伟 高平 +1 位作者 王力杰 黄瑞芬 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第5期81-84,共4页

采用等离子体浸没离子注入与沉积技术(PIIID)在GB/T 1438高速钢表面制备了薄膜,采用显微硬度计和扫描电镜进行性能测试,并对其进行寿命试验。结果表明:显微硬度达到2 000HV以上,使用寿命比未处理的钻头延长了近5倍。

关键词 表面改性 等离子体浸没离子注入与沉积 扫描电镜分析 显微硬度 寿命试验

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离子注入对Cr4Mo4V轴承钢摩擦学性能的影响 被引量：1

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作者 李文忠 刘振宇 张少波 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2010年第2期97-99,111,共4页

在Cr4Mo4V轴承钢表面等离子体浸没注入(PIII)了氮离子(N+)、类金刚石(DLC)、碳化钛(TiC),测量了处理前后试样表面的显微硬度,在干摩擦条件下进行了与Si3N4陶瓷球对磨的摩擦学实验,通过光学显微镜观察了磨损表面形貌,分析了磨损机理。结... 在Cr4Mo4V轴承钢表面等离子体浸没注入(PIII)了氮离子(N+)、类金刚石(DLC)、碳化钛(TiC),测量了处理前后试样表面的显微硬度,在干摩擦条件下进行了与Si3N4陶瓷球对磨的摩擦学实验,通过光学显微镜观察了磨损表面形貌,分析了磨损机理。结果表明:离子注入后显微硬度明显增大,注入TiC的试样增幅最大,达到54.7%;注入TiC的试样摩擦系数下降到约0.2,最小磨痕宽度减小了50%;未处理和注入N+试样的磨损机理主要以粘着磨损为主,但注入N+试样磨损程度有所减轻;注入DLC和TiC的试样主要磨损机理以疲劳磨损为主;离子注入TiC表面改性的表面综合性能最好,其次为注入DLC、注入N+。 展开更多

关键词 表面改性 Cr4Mo4V 离子浸没注入与沉积 摩擦学性能

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空间用9Cr18钢PⅢ复合离子注入表面改性工艺研究 被引量：5

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作者 蒋钊 周晖 +2 位作者 桑瑞鹏 霍丽霞 胡明泰 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期100-104,共5页

采用等离子体浸没离子注人(PⅢ)技术对9Cr18轴承钢表面进行了双注入及共注入Ti+N工艺处理。测试了处理前后试样的显微硬度及真空摩擦因数,并表征分析了表面磨损形貌。结果表明:处理后试样的显微硬度都有大幅提高,最大增幅达68.7%;表面... 采用等离子体浸没离子注人(PⅢ)技术对9Cr18轴承钢表面进行了双注入及共注入Ti+N工艺处理。测试了处理前后试样的显微硬度及真空摩擦因数,并表征分析了表面磨损形貌。结果表明:处理后试样的显微硬度都有大幅提高,最大增幅达68.7%;表面真空摩擦因数由0.15下降到0.08;磨斑尺寸及粗糙度分别减少了54.4%和37.4%。双注入与共注入方式在相同参数下,双注入处理后的试样表面综合性能更加优异。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 9Cr18 真空摩擦学 摩擦磨损

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2Cr13钢的全方位离子注入与离子束增强沉积复合表面强化处理 被引量：8

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作者 刘洪喜 汤宝寅 +3 位作者 王浪平 王小峰 王宇航 于永澔 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2005年第2期32-37,共6页

对2Cr13不锈钢表面进行了等离子体浸没离子注入(PIII)与离子束增强沉积(IBED)复合强化处理.对强化后的试样进行了俄歇电子能谱(AES)、X光电子能谱(XPS)分析及显微硬度、摩擦磨损和耐腐蚀性能测试.结果表明,处理后的试样表面层中含有强化... 对2Cr13不锈钢表面进行了等离子体浸没离子注入(PIII)与离子束增强沉积(IBED)复合强化处理.对强化后的试样进行了俄歇电子能谱(AES)、X光电子能谱(XPS)分析及显微硬度、摩擦磨损和耐腐蚀性能测试.结果表明,处理后的试样表面层中含有强化相TiN和CrN;与基体相比,被处理试样的显微硬度显著增大,最大增幅达80.4%;摩擦系数降至0.2～0.3,磨痕宽度最大减少了近4倍;腐蚀电位最大提高了5倍,腐蚀电流密度减少了26倍.磨损中粘着现象大大减轻,耐磨耐蚀性能得到了显著改善. 展开更多

关键词 全方位离子注入 表面强化 显微硬度 等离子体浸没离子注入 耐磨耐蚀性 强化相 试样 耐腐蚀性能 基体 X光电子能谱

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工业纯铁等离子体注入与氮化工艺及其性能研究 被引量：3

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作者 陈畅子 冷永祥 +4 位作者 孙鸿 朱生发 白彬 张鹏程 黄楠 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期67-71,共5页

采用低电压高频率脉冲等离子体浸没离子注入与氮化技术在工业纯铁上进行氮离子注入及氮化强化处理,研究了不同脉冲宽度下,工业纯铁等离子体浸没离子注入与氮化处理的结构及性能。通过X射线衍射谱(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子... 采用低电压高频率脉冲等离子体浸没离子注入与氮化技术在工业纯铁上进行氮离子注入及氮化强化处理,研究了不同脉冲宽度下,工业纯铁等离子体浸没离子注入与氮化处理的结构及性能。通过X射线衍射谱(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度、销-盘磨损实验,研究了工业纯铁氮离子注入及氮化后的结构、断面组织、表面元素含量、显微硬度、摩擦磨损性能;通过电化学极化方法在0.9%NaCl溶液研究了改性层的耐腐蚀性。研究结果表明:氮等离子注入及氮化后能显著提高纯铁表面的显微硬度、耐磨性和耐腐蚀性能,且表面形成结构为Fe3N和Fe4N的针状组织,针状组织是提高纯铁性能的关键因素;高脉冲宽度下进行等离子注入及氮化有利于提高纯铁表面的机械性能和耐腐蚀性能。 展开更多

关键词 工业纯铁 等离子体浸没离子注入 脉冲宽度 摩擦磨损性能 耐腐蚀性

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注入剂量对离子注入法制备Al-N共掺杂P型ZnO的影响

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作者 杜记龙 江美福 +1 位作者 张树宇 王培君 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期42-45,16,共5页

采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PIII)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理。通过XRD图谱、霍尔效... 采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PIII)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理。通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了N+注入剂量对ZnO∶Al∶N薄膜性质的影响。结果表明,注入剂量控制在1015cm-2量级时,N可以通过占据O空位和替换O原子形成NO并与Al和Zn成键,对于ZnO薄膜实现p型反转是很关键的。实现p型反转的ZnO∶Al∶N薄膜载流子浓度可达2.16×1016cm-3,电阻率为8.90Ω.cm,霍耳迁移率为32.4cm2/V.s。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 磁控溅射 共掺杂 p-ZnO

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氧等离子体注入对PET亲水性及抗菌性能影响 被引量：2

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作者 郭芳威 田修波 杨士勤 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期820-825,共6页

利用氧等离子体浸没离子注入技术对聚合物材料(PET)进行表面改性后接枝有机抗菌剂赋予PET薄膜抗菌性能.试验结果表明:PET薄膜表面接枝上的抗菌剂在改性表面呈针状分布.经氧等离子体处理后的PET薄膜表面水接触角从78°降低到33°... 利用氧等离子体浸没离子注入技术对聚合物材料(PET)进行表面改性后接枝有机抗菌剂赋予PET薄膜抗菌性能.试验结果表明:PET薄膜表面接枝上的抗菌剂在改性表面呈针状分布.经氧等离子体处理后的PET薄膜表面水接触角从78°降低到33°.红外光谱显示PET薄膜表面的分子结构被破坏,苯环的对位氢发生取代反应,分子链中形成了C-O亲水基团.氧等离子体的注入时间和注入电压均对抗菌持久性有重要的影响,较高的注入电压能够使PET薄膜表面获得较深的改性层,利于改性表面亲水性的保持.注入时间超过10min,电压超过-10kV的样品在空气中放置40天后的抗菌率仍能达到90%以上. 展开更多

关键词 氧等离子体浸没离子注入 聚酯薄膜 接枝 抗菌

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无酸水热法制备多孔硅及其PⅢ表面改性

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作者 李慧 卢茜 +1 位作者 吴子景 吴晓京 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期488-491,494,共5页

采用无酸水热法,制备了多孔硅材料。使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段观察了样品表面形貌,比较了在不同氧化铋刻蚀剂量下得到的多孔硅结构,发现随着刻蚀剂浓度的增加,平均孔径尺寸变大,且孔径分布趋于离散。使用等离子浸没注入技... 采用无酸水热法,制备了多孔硅材料。使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段观察了样品表面形貌,比较了在不同氧化铋刻蚀剂量下得到的多孔硅结构,发现随着刻蚀剂浓度的增加,平均孔径尺寸变大,且孔径分布趋于离散。使用等离子浸没注入技术,对多孔硅样品进行了表面注氮处理。室温荧光光谱研究发现处理后的样品的光谱峰位产生了蓝移,根据X光电子能谱仪检测的结果发现样品表面形成了Si-NxOy相,这一物相的出现导致了光谱的蓝移。 展开更多

关键词 无酸水热法 多孔硅 等离子体浸没注入技术 光致发光

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离子氮化技术的研究进展 被引量：9

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作者 李杨 王亮 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第13期61-64,共4页

离子氮化具有工件变形小、渗速快、节能环保等优点,能有效提高金属零部件的表面硬度、耐磨损和耐腐蚀等性能。然而受气体放电特性和电场效应的影响,工件形状对表面温度的均匀性影响很大,出现表面打弧、边缘效应和空心阴极效应等问题。... 离子氮化具有工件变形小、渗速快、节能环保等优点,能有效提高金属零部件的表面硬度、耐磨损和耐腐蚀等性能。然而受气体放电特性和电场效应的影响,工件形状对表面温度的均匀性影响很大,出现表面打弧、边缘效应和空心阴极效应等问题。为了克服传统直流离子渗氮的缺点,近年来出现了一些射频离子氮化、等离子体浸没离子注入、活性屏渗氮以及空心阴极氮化等新技术。 展开更多

关键词 离子渗氮 活性屏渗氮 等离子体浸没离子注入 空心阴极放电

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多晶黑硅材料及其太阳电池应用研究 被引量：2

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作者 沈泽南 刘邦武 +4 位作者 夏洋 刘杰 李超波 刘金虎 钟思华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期729-733,共5页

利用等离子体浸没离子注入技术（PⅢ）成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜（AFM）观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度，黑硅材料表面呈小山峰结构，表面粗糙度约为50nm。利用紫外．可见一红外分光光度计测量黑硅的反射率，... 利用等离子体浸没离子注入技术（PⅢ）成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜（AFM）观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度，黑硅材料表面呈小山峰结构，表面粗糙度约为50nm。利用紫外．可见一红外分光光度计测量黑硅的反射率，结果表明黑硅材料在300—1100nm的平均反射率为7．9％，远低于酸制绒硅片反射率。利用制备的多晶黑硅材料制备太阳电池器件，其光电转换效率可达15．88％，开路电压为605mV，短路电流密度为33．7mA／cm2。最后研究了扩散工艺对黑硅太阳电池性能的影响。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 黑硅 太阳电池

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DU-Ti合金表面N＋Ti＋多层Ti／TiN复合膜的制备与耐蚀性 被引量：1

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作者 严东旭 刘天伟 +6 位作者 龙重 白彬 张鹏程 黄河 郎定木 王晓红 朱建国 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期48-50,53,共4页

采用单一的表面改性技术难以提高贫铀钛合金(DU-Ti)的耐蚀性能。采用等离子体浸没离子注入技术依次在DU-Ti合金表面注入N和Ti,再利用非平衡脉冲磁控溅射技术制备多层Ti/TiN,研究了膜层的形貌、结构及耐蚀性能。结果表明:膜层厚约3μm,... 采用单一的表面改性技术难以提高贫铀钛合金(DU-Ti)的耐蚀性能。采用等离子体浸没离子注入技术依次在DU-Ti合金表面注入N和Ti,再利用非平衡脉冲磁控溅射技术制备多层Ti/TiN,研究了膜层的形貌、结构及耐蚀性能。结果表明:膜层厚约3μm,呈柱状结构,致密,但存在一些微缺陷,膜基结合紧密;膜层出现面心立方结构的TiN和密排六方的Ti,在DU-Ti合金界面形成了少量的UO2,没有铀的氮化物;膜层耐蚀性能较基体得到较大提高;微观缺陷是TiN层局部片状脱落的主要原因,外层TiN出现片状脱落后,注入层和内层Ti/TiN多层膜仍能有效保护基体。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 非平衡磁控溅射 复合膜 DU-Ti合金 电化学腐蚀 耐蚀性

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利用PⅢ技术改变框架与EMC间附着力的研究

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作者 刘立龙 张昕 +2 位作者 卢茜 周乾飞 吴晓京 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期434-438,共5页

利用等离子体浸没式注入(PⅢ)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理。拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12... 利用等离子体浸没式注入(PⅢ)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理。拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12倍,而在使用O2和N2等离子体注入处理的情况下,附着力基本没有变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对处理前后的框架表面观察,发现PⅢ处理并未引起表面粗糙度的显著变化。利用X射线电子能谱(XPS)分析,可以发现在经过CO或CO2等离子体注入处理后的框架表面有羰基出现。基于这些结果,分析了导致附着力提升的机理。 展开更多

关键词 镀镍铜框架 环氧塑封料 等离子体浸没式注入 附着力 羰基

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