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微透镜列阵浮雕深度控制的新方法 被引量：7
1
作者 董小春 杜春雷 +2 位作者 潘丽 王永茹 刘强 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期1-3,共3页
在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法——基底曝光法。在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面。该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微... 在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法——基底曝光法。在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面。该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微透镜阵列。 展开更多
关键词 微透镜 浮雕深度 光刻 曝光阈值 微光学元件
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柔性版的制版研究（下） 被引量：1
2
作者 X.Liu J.T.Guthrie +2 位作者 C Bryant 戢小亮 《印刷技术》 北大核心 2004年第20期53-54,共2页
5.后曝光分析 图9所示为后曝光时间对印版浮雕深度的影响(背面曝光:160个单元;正面曝光:7分钟;洗版速度:200毫米/分钟;洗版压力:0.04毫米;干燥温度:60℃;干燥时间:2小时;稳定处理:室温下在空气中静置24小时),图10所示为后曝光时间对印... 5.后曝光分析 图9所示为后曝光时间对印版浮雕深度的影响(背面曝光:160个单元;正面曝光:7分钟;洗版速度:200毫米/分钟;洗版压力:0.04毫米;干燥温度:60℃;干燥时间:2小时;稳定处理:室温下在空气中静置24小时),图10所示为后曝光时间对印版网点大小的影响(背面曝光:160个单元;正面暴光:7分钟;洗版速度:200毫米/分钟;洗版压力:0.04毫米;干燥温度:60℃;干燥时间:2小时;稳定处理:室温下在空气中静置24小时). 展开更多
关键词 柔性版 制版技术 后曝光时间 印版 浮雕深度 去黏处理
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