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浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究
被引量:
10
1
作者
贺朝会
耿斌
+2 位作者
陈晓华
王燕萍
彭宏论
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期344-347,共4页
给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错...
给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高的累积剂量辐照下未出现错误 ,而且可以用编程器重新写入数据。
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关键词
浮栅rom器件
γ辐射效应
实验研究
总剂量效应
钴60
γ源
只读存储器
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职称材料
浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究
被引量:
3
2
作者
何宝平
张凤祁
姚志斌
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期489-492,共4页
本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂量阈值,开始出错时的错误数及错误地址不确定,错误数随辐照剂...
本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂量阈值,开始出错时的错误数及错误地址不确定,错误数随辐照剂量或注量的增大而增加。
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关键词
浮栅rom器件
Γ射线
X射线
中子
总剂量效应
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职称材料
浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究
被引量:
2
3
作者
贺朝会
耿斌
+1 位作者
陈晓华
杨海亮
《空间科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期184-192,共9页
给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产...
给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一.
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关键词
单粒子效应
浮栅rom器件
质子辐射效应
实验研究
航天器电子系统
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职称材料
题名
浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究
被引量:
10
1
作者
贺朝会
耿斌
陈晓华
王燕萍
彭宏论
机构
西北核技术研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期344-347,共4页
文摘
给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高的累积剂量辐照下未出现错误 ,而且可以用编程器重新写入数据。
关键词
浮栅rom器件
γ辐射效应
实验研究
总剂量效应
钴60
γ源
只读存储器
Keywords
FLASH
rom
EEP
rom
60Co γ source
total dose effect
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究
被引量:
3
2
作者
何宝平
张凤祁
姚志斌
机构
西北核技术研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期489-492,共4页
文摘
本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂量阈值,开始出错时的错误数及错误地址不确定,错误数随辐照剂量或注量的增大而增加。
关键词
浮栅rom器件
Γ射线
X射线
中子
总剂量效应
Keywords
floating
rom
device
γ-ray
X-ray
neutron
total dose effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究
被引量:
2
3
作者
贺朝会
耿斌
陈晓华
杨海亮
机构
西北核技术研究所
出处
《空间科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期184-192,共9页
文摘
给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一.
关键词
单粒子效应
浮栅rom器件
质子辐射效应
实验研究
航天器电子系统
Keywords
FLASH
rom
, EEP
rom
, Proton, Single event effects, Total dose effect
分类号
V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
V520.6 [航空宇航科学与技术—人机与环境工程]
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职称材料
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1
浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究
贺朝会
耿斌
陈晓华
王燕萍
彭宏论
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
10
在线阅读
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职称材料
2
浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究
何宝平
张凤祁
姚志斌
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究
贺朝会
耿斌
陈晓华
杨海亮
《空间科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
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