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基于浮栅MOS管的研究
1
作者
王思远
《现代信息科技》
2018年第12期39-40,43,共3页
随着集成电路技术的迅猛发展,传统集成电路开始显现出诸多缺陷以及迫切需要解决的问题,而浮栅MOS晶体管(Floating-gateMOS),作为具有单个器件较强功能性、多个输入且阈值可以灵活控制的新型电子器件为解决这些问题提供了一种有效途径。
关键词
浮
栅
技术
浮栅mos管
多输入
阈值可控
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职称材料
EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究
被引量:
1
2
作者
古亮
邵丙铣
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期121-126,共6页
重点讨论了在斜波脉冲条件下,EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化,对原有模型进行了补充,修正,所得结果与实验相符。
关键词
EEPROM
浮栅mos管
阈值电压
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职称材料
浮栅技术及其应用
被引量:
3
3
作者
张家龙
何怡刚
《现代电子技术》
2004年第24期8-10,共3页
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词
浮
栅
技术
隧道效应
电子陷阱
浮
栅
mos
晶体管
神经
mos
晶体管
阈值电压
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职称材料
新型钟控神经元MOS采样/保持电路
被引量:
1
4
作者
杭国强
李锦煊
王国飞
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期333-337,共5页
为实现连续时间信号到离散时间信号的转换,提出一种采用钟控神经元MOS管设计的新型电压型采样保持电路.在设计新方案中,通过引入nMOS阈值补偿单元,克服单管神经元MOS跟随器存在阈值损失这一缺点,提高采样保持电路的精度.采用具有高功能...
为实现连续时间信号到离散时间信号的转换,提出一种采用钟控神经元MOS管设计的新型电压型采样保持电路.在设计新方案中,通过引入nMOS阈值补偿单元,克服单管神经元MOS跟随器存在阈值损失这一缺点,提高采样保持电路的精度.采用具有高功能度的钟控神经元MOS管实现采样保持和跟随输出,使所设计的电路具有简单的结构和较低的功耗.对钟控神经元MOS管的SPICE宏模型进行改进,改进后的模型可用于对具有可变浮栅预置电压的电路进行分析.采用TSMC 0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数对设计电路进行HSPICE模拟,并对新设计方案与现有采用神经元MOS管设计的采样保持电路进行比较.模拟结果表明,所提出设计方案明显提高了采样精度,并具有较低功耗.
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关键词
浮栅mos管
钟控神经元
mos
电路
采样保持电路
低功耗设计
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职称材料
题名
基于浮栅MOS管的研究
1
作者
王思远
机构
安徽理工大学
出处
《现代信息科技》
2018年第12期39-40,43,共3页
文摘
随着集成电路技术的迅猛发展,传统集成电路开始显现出诸多缺陷以及迫切需要解决的问题,而浮栅MOS晶体管(Floating-gateMOS),作为具有单个器件较强功能性、多个输入且阈值可以灵活控制的新型电子器件为解决这些问题提供了一种有效途径。
关键词
浮
栅
技术
浮栅mos管
多输入
阈值可控
Keywords
floating-gate technology
floating-gate
mos
tube
multiple input
threshold controllable
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究
被引量:
1
2
作者
古亮
邵丙铣
机构
复旦大学国家微电子材料与元器件微分析中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期121-126,共6页
文摘
重点讨论了在斜波脉冲条件下,EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化,对原有模型进行了补充,修正,所得结果与实验相符。
关键词
EEPROM
浮栅mos管
阈值电压
Keywords
EEPROM
Floating Gate
mos
FET
Threshold Voltage
Flotox
分类号
TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
浮栅技术及其应用
被引量:
3
3
作者
张家龙
何怡刚
机构
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《现代电子技术》
2004年第24期8-10,共3页
文摘
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词
浮
栅
技术
隧道效应
电子陷阱
浮
栅
mos
晶体管
神经
mos
晶体管
阈值电压
Keywords
floatinggate technology
tunneling affectio n
electron trap
floatinggate
mos
transistors
neuron
mos
transistors
threshold voltage
分类号
TP302.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
新型钟控神经元MOS采样/保持电路
被引量:
1
4
作者
杭国强
李锦煊
王国飞
机构
浙江大学城市学院信息与电气工程学院
浙江大学信息与通信工程研究所
出处
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期333-337,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60971061)
浙江省自然科学基金资助项目(Y106375)
杭州市重点学科建设资助项目
文摘
为实现连续时间信号到离散时间信号的转换,提出一种采用钟控神经元MOS管设计的新型电压型采样保持电路.在设计新方案中,通过引入nMOS阈值补偿单元,克服单管神经元MOS跟随器存在阈值损失这一缺点,提高采样保持电路的精度.采用具有高功能度的钟控神经元MOS管实现采样保持和跟随输出,使所设计的电路具有简单的结构和较低的功耗.对钟控神经元MOS管的SPICE宏模型进行改进,改进后的模型可用于对具有可变浮栅预置电压的电路进行分析.采用TSMC 0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数对设计电路进行HSPICE模拟,并对新设计方案与现有采用神经元MOS管设计的采样保持电路进行比较.模拟结果表明,所提出设计方案明显提高了采样精度,并具有较低功耗.
关键词
浮栅mos管
钟控神经元
mos
电路
采样保持电路
低功耗设计
Keywords
floating-gate
mos
transistor
clock-controlled neuron-
mos
circuit
sample and hold circuit
low-power design
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于浮栅MOS管的研究
王思远
《现代信息科技》
2018
0
在线阅读
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职称材料
2
EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究
古亮
邵丙铣
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
浮栅技术及其应用
张家龙
何怡刚
《现代电子技术》
2004
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
新型钟控神经元MOS采样/保持电路
杭国强
李锦煊
王国飞
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
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