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浮栅技术及其应用
被引量：
3
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作者
张家龙
何怡刚
《现代电子技术》
2004年第24期8-10,共3页
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词
浮
栅
技术
隧道效应
电子陷阱
浮栅mos晶体管
神经
mos
晶体管
阈值电压
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职称材料
题名
浮栅技术及其应用
被引量：
3
1
作者
张家龙
何怡刚
机构
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《现代电子技术》
2004年第24期8-10,共3页
文摘
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词
浮
栅
技术
隧道效应
电子陷阱
浮栅mos晶体管
神经
mos
晶体管
阈值电压
Keywords
floatinggate technology
tunneling affectio n
electron trap
floatinggate
mos
transistors
neuron
mos
transistors
threshold voltage
分类号
TP302.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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作者
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1
浮栅技术及其应用
张家龙
何怡刚
《现代电子技术》
2004
3
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