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浮栅技术及其应用 被引量:3
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作者 张家龙 何怡刚 《现代电子技术》 2004年第24期8-10,共3页
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词 浮栅技术 隧道效应 电子陷阱 MOS晶体管 神经MOS晶体管 阈值电压
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基于浮栅MOS管的研究
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作者 王思远 《现代信息科技》 2018年第12期39-40,43,共3页
随着集成电路技术的迅猛发展,传统集成电路开始显现出诸多缺陷以及迫切需要解决的问题,而浮栅MOS晶体管(Floating-gateMOS),作为具有单个器件较强功能性、多个输入且阈值可以灵活控制的新型电子器件为解决这些问题提供了一种有效途径。
关键词 浮栅技术 MOS管 多输入 阈值可控
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发展特色工艺,推动金卡工程
3
作者 张韦达 《中国集成电路》 2009年第12期70-73,共4页
国家金卡工程是我国信息化建设的四个起步工程之一,1994年由电子工业部牵头,会同邮电部、中国人民银行、内贸部、公安部、国家旅游局等部门联合组织在12个省市试点启动实施。为了配合国家金卡工程建设,华虹NEC自2001年起不断地开发出独... 国家金卡工程是我国信息化建设的四个起步工程之一,1994年由电子工业部牵头,会同邮电部、中国人民银行、内贸部、公安部、国家旅游局等部门联合组织在12个省市试点启动实施。为了配合国家金卡工程建设,华虹NEC自2001年起不断地开发出独具特色的eNVM工艺,从0.35μm到目前的0.13μm工艺,华虹NEC一直保持着eNVM技术的领先地位。已经成功地开发并生产出二代居民身份证、手机SIM卡、银行卡、社保卡等一系列智能卡产品,其中二代证和SIM卡的国内市场占有率都达到了70%以上,极大地推动了国家金卡工程快速发展,也为国家的信息化建设贡献了自己的力量。 展开更多
关键词 eNVM-embedded non-volatile memory(嵌入式非挥发性存储器) SONOS-Silicon OXIDE NITRIDE OXIDE Silicon(一种先进的嵌入式非挥发性存储技术 与传统的工艺相比 可以向65nm甚至更先进的工艺发展) SIM卡-Subscriber Identity Module card(用户身份识别卡 手机只有在装入SIM卡后才能被使用)
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