期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
发射机避雷系统中浪涌保护器件老化机理与应对措施
1
作者 赵俊华 《电视技术》 2024年第12期43-45,共3页
发射机具有特殊的结构和较高的工作电压,极易遭受雷电灾害的侵袭。为确保发射机免受雷击损坏,必须配备完善可靠的避雷系统,浪涌保护器件是其中的关键组成部分。浪涌保护器件的老化、退化会引发避雷系统的连锁失效,造成设备烧毁、火灾等... 发射机具有特殊的结构和较高的工作电压,极易遭受雷电灾害的侵袭。为确保发射机免受雷击损坏,必须配备完善可靠的避雷系统,浪涌保护器件是其中的关键组成部分。浪涌保护器件的老化、退化会引发避雷系统的连锁失效,造成设备烧毁、火灾等严重后果。对此,介绍浪涌保护器件的分类及其主要性能参数,从优化器件选型配置、加强环境管理监测、建立定期检测维护机制以及开发新型抗老化器件4个方面,提出延缓浪涌保护器件老化、提升避雷系统可靠性的对策。 展开更多
关键词 发射机 浪涌保护器件 老化机理 避雷系统
在线阅读 下载PDF
NP-MC系列晶闸管浪涌保护器件
2
《世界电子元器件》 2009年第11期32-32,共1页
安森美推出新的超低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)NP-MC系列,保护敏感的电子设备免受瞬态过压的影响。
关键词 浪涌保护器件 晶闸管 电子设备 安森美
在线阅读 下载PDF
浪涌能力达100A的晶闸管浪涌保护器件
3
《国外电子元器件》 2004年第7期78-78,共1页
关键词 Vishay公司 晶闸管 浪涌保护器件 表面贴装
在线阅读 下载PDF
安森美半导体推出新晶闸管浪涌保护器件系列
4
《中国集成电路》 2009年第10期11-12,共2页
安森美半导体推出新的超低电容晶闸管浪涌保护器件——NP—MC系列,保护敏感的电子设备免受瞬态过压情况下的影响。安森美半导体的新TSPD系列提供完整范围的工业标准电压电平及从50安培到200A的浪涌额定电流,为数字用户线路接入复用器... 安森美半导体推出新的超低电容晶闸管浪涌保护器件——NP—MC系列,保护敏感的电子设备免受瞬态过压情况下的影响。安森美半导体的新TSPD系列提供完整范围的工业标准电压电平及从50安培到200A的浪涌额定电流,为数字用户线路接入复用器、光纤接入网络、以太网、以太网供电及语音IP系统提供保护方案。 展开更多
关键词 浪涌保护器件 安森美半导体 晶闸管 数字用户线路接入复用器 以太网供电 光纤接入网络 电子设备 额定电流
在线阅读 下载PDF
压敏电阻防起火技术研究
5
作者 徐加征 谈儒猛 张本军 《电子质量》 2024年第4期57-61,共5页
针对金属氧化物压敏电阻(MOV)在工作中出现的失效和燃烧事故,给出几种在线监控MOV的方法,其能够在MOV失效前发出告警信号,并及时处理,从而避免严重事故发生。通过实践证明该监控方法有效并且可规模应用。监控技术在MOV器件上实现技术和... 针对金属氧化物压敏电阻(MOV)在工作中出现的失效和燃烧事故,给出几种在线监控MOV的方法,其能够在MOV失效前发出告警信号,并及时处理,从而避免严重事故发生。通过实践证明该监控方法有效并且可规模应用。监控技术在MOV器件上实现技术和应用突破,可供其他类型浪涌保护器件参考。 展开更多
关键词 压敏电阻 防燃技术 在线监控 浪涌保护器件
在线阅读 下载PDF
半导体放电管和扩展电阻技术在放电管开发中的应用
6
作者 吴晓虹 朱丽娜 闵靖 《集成电路应用》 2003年第10期41-44,共4页
半导体放电管是新一代抗电浪涌保护器件。本文概略地叙述了放电管的结构、特性和主要的电参数。分析了这些电参数与硅片的物理参数以及扩散的结深和掺杂浓度分布的关系。同时介绍了扩展电阻探针在半导体放电管的开发、制管工艺的监控和... 半导体放电管是新一代抗电浪涌保护器件。本文概略地叙述了放电管的结构、特性和主要的电参数。分析了这些电参数与硅片的物理参数以及扩散的结深和掺杂浓度分布的关系。同时介绍了扩展电阻探针在半导体放电管的开发、制管工艺的监控和失效分析中的应用。 展开更多
关键词 半导体放电管 扩展电阻 浪涌保护器件 瞬变电压 电参数 电阻率 掺杂浓度分布
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部