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题名方形重掺杂硅薄膜的极限载荷分析
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作者
徐晨
施梦娱
赵林林
李博
沈光地
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1617-1619,共3页
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基金
北京市人才强教计划项目资助(5002015200504)
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文摘
考虑残余应力的情况下,薄膜在大挠度时总应力的解析表达式.通过实验观察,深腐蚀得到的浓硼重掺杂硅薄膜表面存在微蚀坑.考虑微蚀坑和残余应力的影响,运用总应力表达式和Griffith裂口强度理论,定量的得到方形浓硼重掺杂硅薄膜的最大挠度和极限载荷Pmax,与已报道的实验值相符.从而解释了浓硼重掺杂硅薄膜的实际断裂强度值远小于晶体理论断裂强度值的矛盾.可以得出,极限载荷Pmax不仅与薄膜的尺寸与形状有关,而且也与材料特性,特别是与制备工艺有关.
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关键词
微机械
浓硼硅薄膜
残余应力
微蚀坑
极限载荷
Griffith裂口强度理论
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Keywords
MEMS
Square-shaped diaphragm
residual stress
fracture stress
load limitation
Griffith fracture criterion
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名超薄膜腐蚀自停止技术的缺陷分析
被引量：1
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作者
李晓波
徐晨
戴天明
邓琛
沈光地
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009年第3期410-413,432,共5页
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基金
国家863计划资助项目(SQ2007AA03Z431230)
北京市人才强教计划资助项目(05002015200504)
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文摘
作为气动红外探测器密封微电容检测腔的核心部件,要求敏感薄膜必须无孔,平整。浓硼硅腐蚀自停止技术制备超薄膜时,扩散前待扩硼区经常会存在各种表面微缺陷,导致扩硼后,再进行反向腐蚀形成的超薄膜会出现微腐蚀孔。利用小孔扩散模型和流体力学中小孔的热壅塞理论详细计算了缺陷的结构尺寸对缺陷底端局部硼浓度的影响。当缺陷半径r0垲姨Dt,其底端的局部硼浓度会远远低于浓硼硅腐蚀自停止的临界浓度5×1019/cm3,从而在下一步的反向腐蚀出膜过程中,表面有缺陷的扩硼区出现微腐蚀孔的几率大大增加。最后,针对膜区域出现的微腐蚀孔,提出了几种解决方案。
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关键词
浓硼重掺杂硅薄膜
气动红外探测器
钻蚀缺陷
小孔扩散模型
微腐蚀孔
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Keywords
Boron-doped p^＋-silicon free-handing diaphragm
Pneumatic infrared detector
Corrosion defects
Diffusion model in the small hole
Micro-etching holes
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分类号
TN21
[电子电信—物理电子学]
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