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题名微硅高g加速度传感器工艺研究
被引量：1
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作者
张中平
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机构
东南大学微电子中心
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2002年第4期1-3,共3页
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文摘
主要介绍在制作一种压阻式微硅高 g(g =9 8m/s2 ,微重力加速度值 )加速度传感器的过程中 ,所遇到的工艺问题及其解决方法。并较详细地叙述了涉及到的键合 (SDB)、双面光刻及传感器几何图形的精确控制等关键技术。
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关键词
高g加速度计
光刻
腐蚀
键合
微硅高g加速度传感器
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Keywords
High-g Accelerometer
Lithography
Etching
Silicon Direct Bonding
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TH824.4
[机械工程—精密仪器及机械]
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题名基于MAX1457的加速度硅微传感器的信号处理
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作者
刘丹
刘晓明
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机构
电子科技大学机械工程学院
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出处
《中国测试技术》
2005年第2期115-117,123,共4页
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基金
"十五"军事预研项目 (18 8 1 2 )
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文摘
测高g值的加速度硅微传感器[4] 采用单晶硅材料制成,直接输出信号小,存在严重的温度误差。采用MAX14 5 7专用传感器信号处理器,它可以补偿传感器的温度误差和非线性误差。本文分析了MAX14 5 7的工作原理,设计了获得补偿参数的系统。
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关键词
测高g值的加速度硅微传感器
温度补偿
MAX1457
或门
信号处理
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Keywords
Micro array accelerometer
Temperature compensation,MAX1457
Or gate
Signal process
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分类号
TP39
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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