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IPv6协议一致性测试系统的研究与实现 被引量：1
1
作者 孙慧 张春芳 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2008年第9期2181-2182,2228,共3页
通过分析IPv6协议测试需求,提出了一种适合IPv6的测试描述法,实现了测试数据描述、复杂计算、测试传输等方法,可以在一台物理测试器上支持多测试组件并发测试,采用静态描述和动态调整相结合的方式实现测试数据描述、测试描述法和测试系... 通过分析IPv6协议测试需求,提出了一种适合IPv6的测试描述法,实现了测试数据描述、复杂计算、测试传输等方法,可以在一台物理测试器上支持多测试组件并发测试,采用静态描述和动态调整相结合的方式实现测试数据描述、测试描述法和测试系统互动的方式实现计算功能、网络接口和通信实体相结合的方式实现测试传输。并通过测试实践验证了这种测试框架的有效性。 展开更多
关键词 IPV6协议 一致性测试 测试框架 测试传输 测试描述法 测试组件
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基于IEC 61968的配电网信息交互一致性测试技术应用 被引量：8
2
作者 刘鹏 吕广宪 +2 位作者 康先果 苏雪源 王立岩 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期142-146,共5页
遵循IEC 61968标准实现概要的基础上,阐述了配电网信息交互一致性测试体系,提出了基于面向服务架构(SOA)的信息交换总线即插即用测试方案。利用分布式协同与处理技术开展基于IEC 61968的标准化检测技术研究,采用消息对比技术、时钟同步... 遵循IEC 61968标准实现概要的基础上,阐述了配电网信息交互一致性测试体系,提出了基于面向服务架构(SOA)的信息交换总线即插即用测试方案。利用分布式协同与处理技术开展基于IEC 61968的标准化检测技术研究,采用消息对比技术、时钟同步与面向切面计时的方法实现对测试结果的判定,主要涵盖标准接口测试、交互场景测试、性能测试,并通过电力安全隔离装置实现跨区传输的并发稳定性测试。最后利用项目研发的检测软件,面向国内部分厂商完成了总线一致性检测,对测试结果进行展示并分析。 展开更多
关键词 智能配电网 IEC 61968 信息交换总线 一致性测试 性能测试 跨区传输测试
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ESD防护器件HMM和TLP测试方法及性能评价 被引量：8
3
作者 徐晓英 甘瑛洁 +3 位作者 浦实 徐朕 冯婉琳 黄为 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期1348-1353,共6页
人体–金属模型波形(HMM)和传输线脉冲(TLP)波形是静电放电防护器件测试时常用的注入波形。针对静电放电(ESD)防护器件,介绍了这2种波形的测试方法。通过对同一型号瞬态电压抑制器进行测量,获取器件的瞬态波形、钳位电压、损伤阈值、瞬... 人体–金属模型波形(HMM)和传输线脉冲(TLP)波形是静电放电防护器件测试时常用的注入波形。针对静电放电(ESD)防护器件,介绍了这2种波形的测试方法。通过对同一型号瞬态电压抑制器进行测量,获取器件的瞬态波形、钳位电压、损伤阈值、瞬态阻抗等特性参数,并对结果进行分析比较。测试结果表明,基于IEC标准的HMM测试所能得到的有效信息最少;基于TLP的HMM测试可直观得到被测器件的静电放电瞬态响应;TLP矩形波测试结果的稳定性好,测量参数的可重复性高。 展开更多
关键词 ESD防护器件 瞬态电压抑制器 人体金属模型 传输线脉冲测试 IEC61000-4-2
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MSTP系统性能测试与评估 被引量：1
4
作者 曹淼 韩大海 +1 位作者 张杰 顾畹仪 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2005年第12期10-12,共3页
首先介绍了自主研制的EoS实验平台,然后基于实验平台,对MSTP关键技术进行了测试与分析,最后选取数据业务增长点的以太网业务作为MSTP整体性能指标进行测试与评估。
关键词 多业务传送平台 传输性能测试 GFP VCAT LCAS
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基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件 被引量：3
5
作者 张峰 刘畅 +1 位作者 黄鲁 吴宗国 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1676-1680,共5页
针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结... 针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160%,ESD鲁棒性更强,适用范围更广. 展开更多
关键词 静电放电(ESD) 双向可控硅(DDSCR) TCAD仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流
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基于TLP建模的系统级静电放电效应仿真 被引量：3
6
作者 陈强 徐可 +1 位作者 陈真真 陈星 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期46-49,共4页
系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护,缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结果,对瞬态电压抑制(TVS)二极管和芯片引脚进行spice行为建模,结合ESD脉冲源的等效电路模型,PCB板的S参数模... 系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护,缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结果,对瞬态电压抑制(TVS)二极管和芯片引脚进行spice行为建模,结合ESD脉冲源的等效电路模型,PCB板的S参数模型,采用场路协同技术完成了系统级静电放电效应的仿真。针对一个典型的电子系统,在IEC 61000-4-2 ESD应力作用下,完成了一款开关芯片防护电路的仿真,并对电路进行了加工、放电测试,仿真与测试芯片引脚的电压波形吻合良好,验证了该仿真方法的有效性。 展开更多
关键词 静电放电 传输线脉冲测试 TVS二极管 SPICE模型 场路协同仿真
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多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响 被引量：5
7
作者 黄龙 梁海莲 +3 位作者 顾晓峰 董树荣 毕秀文 魏志芬 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期366-370,共5页
为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器... 为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强. 展开更多
关键词 静电放电 可控硅 横向扩散金属氧化物半导体 多晶硅栅 传输线脉冲测试
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保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响 被引量：5
8
作者 刘畅 黄鲁 张峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期205-209,共5页
基于华润上华0.5μm双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力。以LDMOS-SCR结... 基于华润上华0.5μm双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力。以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构。通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力。仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36%,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法。 展开更多
关键词 静电放电(ESD) 版图 保护环 多指器件非均匀开启 传输线脉冲(TLP)测试 耐压能力
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一种基于TLP输入的系统级ESD模型分析方法（英文）
9
作者 王艺泽 王源 +1 位作者 曹健 张兴 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期293-298,共6页
基于已有的传输线脉冲发生器(TLP)与IEC 61000-4-2应力的等效关系,提出一种以TLP应力作为输入的系统级模型分析方法。与传统的IEC应力作为系统输入的分析方法相比,该方法解决了对流入待测器件(DUT)残余能量的计算不够精确的问题,同时提... 基于已有的传输线脉冲发生器(TLP)与IEC 61000-4-2应力的等效关系,提出一种以TLP应力作为输入的系统级模型分析方法。与传统的IEC应力作为系统输入的分析方法相比,该方法解决了对流入待测器件(DUT)残余能量的计算不够精确的问题,同时提高了DUT失效预测方面的精准性。通过SPICE仿真,预测了上述两种应力作为系统输入的DUT失效情况。通过相应的印制电路板(PCB)的实测验证,进一步说明新提出的方法能够提高系统级失效预测的精准性。 展开更多
关键词 静电放电 传输线脉冲测试 静电枪 残余能量
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基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计 被引量：4
10
作者 李志国 余天宇 +2 位作者 张颖 孙磊 潘亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期579-583,共5页
研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中... 研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。 展开更多
关键词 互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺 电阻电容触发NMOS 静电放电(ESD)电路 传输线脉冲(TLP)测试 热效应
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