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ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究
被引量：
5
1
作者
陈俊芳
王卫乡
+3 位作者
任兆杏
丁振峰
王道修
宋银根
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期119-121,共3页
利用ECR－PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Si3N4膜的钝化机理。
关键词
ECR-PECVD
浅结芯片
钝化膜
功率晶体管
氮化硅
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职称材料
题名
ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究
被引量：
5
1
作者
陈俊芳
王卫乡
任兆杏
丁振峰
王道修
宋银根
机构
华南师范大学量电所
中科院等离子体物理研究所
中国华晶电子集团公司
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期119-121,共3页
基金
中国科学院85重点研究课题
国家自然科学基金!
文摘
利用ECR－PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Si3N4膜的钝化机理。
关键词
ECR-PECVD
浅结芯片
钝化膜
功率晶体管
氮化硅
Keywords
ECR-PECVD, Shallow junction chip, Si_3N_4 passivation
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究
陈俊芳
王卫乡
任兆杏
丁振峰
王道修
宋银根
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
5
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