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浅施主杂质在对称GaAs/Al_xGa_(1-x)As双量子阱中的束缚能
1
作者
刘建军
张红
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期94-98,共5页
为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好.体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情...
为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好.体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值.
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关键词
双量子阱
浅施主杂质
束缚能
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职称材料
外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质
被引量:
1
2
作者
朱立坤
白占国
+1 位作者
咸立芬
白志明
《河北科技大学学报》
CAS
北大核心
2009年第1期13-16,24,共5页
在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚...
在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好。
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关键词
纳米线
浅施主杂质
束缚能
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职称材料
题名
浅施主杂质在对称GaAs/Al_xGa_(1-x)As双量子阱中的束缚能
1
作者
刘建军
张红
机构
河北师范大学物理科学与信息工程学院
出处
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期94-98,共5页
基金
国家自然科学基金资助(10574036)
河北省自然科学基金资助(2005000147)
文摘
为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好.体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值.
关键词
双量子阱
浅施主杂质
束缚能
Keywords
double quantum wells
shallow-donor impurities
binding energy
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质
被引量:
1
2
作者
朱立坤
白占国
咸立芬
白志明
机构
河北科技大学招生就业处
河北科技大学理学院
河北科技大学研究生学院
出处
《河北科技大学学报》
CAS
北大核心
2009年第1期13-16,24,共5页
基金
河北省自然科学基金资助项目(A2006000299)
河北科技大学科研基金资助项目(XL200851)
文摘
在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好。
关键词
纳米线
浅施主杂质
束缚能
Keywords
nanometer-wires
shallow donor impurity
binding energies
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
浅施主杂质在对称GaAs/Al_xGa_(1-x)As双量子阱中的束缚能
刘建军
张红
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
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职称材料
2
外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质
朱立坤
白占国
咸立芬
白志明
《河北科技大学学报》
CAS
北大核心
2009
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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