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一种非矩形截面对浅刻蚀SOI脊形波导侧向泄漏损耗的影响
1
作者
张明
陶京
+1 位作者
周寒青
王昌辉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期105-112,共8页
为了进一步探索用绝缘体上晶体硅制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,提出并研究了一种非矩形截面浅刻蚀绝缘体上晶体硅脊形波导.用光的干涉理论建立该波导的周期性损耗模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的...
为了进一步探索用绝缘体上晶体硅制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,提出并研究了一种非矩形截面浅刻蚀绝缘体上晶体硅脊形波导.用光的干涉理论建立该波导的周期性损耗模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的频域有限元法仿真观察该特殊波导类TM0模的侧向泄漏损耗周期的变化与最大损耗点的偏移现象.周期大小的仿真结果与理论计算符合度较高,其平均相对误差仅0.56%.此外,发现该类波导在某些沟槽宽度下可以通过改变截面来实现对类TM0模损耗从最大到最小的调节,而在另外一些沟槽宽度下,类TM0模损耗对截面变化不敏感.研究结果可以简化波导加工并提高制作容差,为该类型波导的设计与制作提供参考.
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关键词
导波光学
浅刻蚀脊形波导
绝缘体上晶体硅
泄漏波
光损耗
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职称材料
题名
一种非矩形截面对浅刻蚀SOI脊形波导侧向泄漏损耗的影响
1
作者
张明
陶京
周寒青
王昌辉
机构
浙江工业大学理学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期105-112,共8页
基金
浙江省自然科学基金(No.LY16F050008)资助~~
文摘
为了进一步探索用绝缘体上晶体硅制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,提出并研究了一种非矩形截面浅刻蚀绝缘体上晶体硅脊形波导.用光的干涉理论建立该波导的周期性损耗模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的频域有限元法仿真观察该特殊波导类TM0模的侧向泄漏损耗周期的变化与最大损耗点的偏移现象.周期大小的仿真结果与理论计算符合度较高,其平均相对误差仅0.56%.此外,发现该类波导在某些沟槽宽度下可以通过改变截面来实现对类TM0模损耗从最大到最小的调节,而在另外一些沟槽宽度下,类TM0模损耗对截面变化不敏感.研究结果可以简化波导加工并提高制作容差,为该类型波导的设计与制作提供参考.
关键词
导波光学
浅刻蚀脊形波导
绝缘体上晶体硅
泄漏波
光损耗
Keywords
Guidewave optics
shallowly-etched ridge waveguides
silicon-on-insulator
leaky wave
optical losses
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
一种非矩形截面对浅刻蚀SOI脊形波导侧向泄漏损耗的影响
张明
陶京
周寒青
王昌辉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
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