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CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究
被引量：
2
1
作者
乔治
刘彩池
+1 位作者
张彦立
史严
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期257-259,共3页
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其...
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。
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关键词
CZ-SI
流动
图形
缺陷
(
fpds
)
空洞型
缺陷
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职称材料
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
被引量：
1
2
作者
郝秋艳
乔治
+3 位作者
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期747-750,共4页
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原...
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。
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关键词
快速退火
原生微
缺陷
流动
图形
缺陷
原子力显微镜
直拉硅单晶片
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职称材料
Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响
3
作者
乔治
李同锴
+2 位作者
刘彩池
冀建利
张彦立
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期691-693,共3页
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火...
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响。结果表明,FPDs缺陷在1100℃以下非常稳定;但是在1100℃以上的温度,尤其在1200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降。
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关键词
快速退火
流动
图形
缺陷
空洞型
缺陷
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职称材料
题名
CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究
被引量：
2
1
作者
乔治
刘彩池
张彦立
史严
机构
石家庄铁道学院数理系
河北工业大学信息功能材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期257-259,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60076001)
河北省自然科学基金(50032101)
文摘
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。
关键词
CZ-SI
流动
图形
缺陷
(
fpds
)
空洞型
缺陷
Keywords
CZ-Si
flow pattern defects（
fpds
）
void-type defects
分类号
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
被引量：
1
2
作者
郝秋艳
乔治
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
机构
天津大学电信学院
河北工业大学信息功能材料研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期747-750,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60076001
No.50032010)河北省自然科学基金资助项目(No.502061)
文摘
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。
关键词
快速退火
原生微
缺陷
流动
图形
缺陷
原子力显微镜
直拉硅单晶片
Keywords
CZSi
grown-in defect
flow pattern defects (
fpds
)
atomic force microscopy (AFM)
rapid thermal annealing (RTA)
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O77 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响
3
作者
乔治
李同锴
刘彩池
冀建利
张彦立
机构
石家庄铁道学院数理系
河北工业大学信息功能材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期691-693,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(506225518)
文摘
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响。结果表明,FPDs缺陷在1100℃以下非常稳定;但是在1100℃以上的温度,尤其在1200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降。
关键词
快速退火
流动
图形
缺陷
空洞型
缺陷
Keywords
rapid thermal annealing （RTA）
Bow pattern defects （
fpd
）
void-type defects
分类号
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究
乔治
刘彩池
张彦立
史严
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
在线阅读
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职称材料
2
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
郝秋艳
乔治
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响
乔治
李同锴
刘彩池
冀建利
张彦立
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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