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注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究
1
作者
肖清华
屠海令
+1 位作者
邵贝羚
王敬
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期242-246,共5页
离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片...
离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷。片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约0 084nm。实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带顶部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大。
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关键词
注氢硅片
离子
注
入
高分辨电子显微术
片状缺陷
缺陷尺寸
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职称材料
题名
注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究
1
作者
肖清华
屠海令
邵贝羚
王敬
机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
北京有色金属研究总院分析测试中心
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期242-246,共5页
文摘
离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷。片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约0 084nm。实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带顶部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大。
关键词
注氢硅片
离子
注
入
高分辨电子显微术
片状缺陷
缺陷尺寸
Keywords
silicon
hydrogen
ion implant
HREM
platelet defect
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究
肖清华
屠海令
邵贝羚
王敬
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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