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21世纪的微电子材料——SOI材料
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作者 张臣 《中国集成电路》 2003年第52期88-91,40,共5页
SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了... SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了体硅材料的不足,充分发挥了硅集成技术的潜力,因而它被称为是'21世纪的微电子材料'。 展开更多
关键词 微电子材料 SOI材料 注入氧隔离技术 材料制备 键合背面腐蚀 智能剥离技术
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