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大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用 被引量:29
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作者 周文鹏 曾嵘 +5 位作者 赵彪 陈政宇 刘佳鹏 白睿航 吴锦鹏 余占清 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2940-2956,共17页
全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强... 全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强栅极晶体管(injection enhanced gate transistor,IEGT)为代表的晶体管类器件。文中首先介绍并比较IGCT与IGBT(含IEGT)的芯片结构及制作工艺,然后分析对比IGCT与IGBT(含IEGT)的工作原理及封装形式。接着从工作频率、关断能力、动态耐受、器件容量、工作损耗、驱动功率、管壳防爆特性、失效短路特性、器件可靠性等9个角度出发,系统性分析不同全控型压接式器件的工作特性,最后对其应用现状及前景进行概述及展望。 展开更多
关键词 压接式器件 绝缘栅型双极晶体管 注入增强栅极晶体管 集成门极换流晶闸管 直流电网 大容量电力电子
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