提出一种基于TSMC40LP工艺的输入信号缓冲器,用于12 bit 4 GSPS ADC的缓冲器设计。本缓冲器采用开环源随器结构,由于工艺角和温度变化,开环结构的缓冲器的输出共模将会漂移,导致比较器的输入共模发生漂移,使得比较器的比较结果发生错误...提出一种基于TSMC40LP工艺的输入信号缓冲器,用于12 bit 4 GSPS ADC的缓冲器设计。本缓冲器采用开环源随器结构,由于工艺角和温度变化,开环结构的缓冲器的输出共模将会漂移,导致比较器的输入共模发生漂移,使得比较器的比较结果发生错误。采用Replica共模反馈的方式为主缓冲器提供共模,实现缓冲器的输出共模的稳定,避免比较器因为共模变化而工作不正常。为了达到线性度的要求,通过叠层源随器和电容,将输入信号耦合到源随器的漏端,避免了短沟道器件的沟调效应。源随器采用深N阱器件,消除了衬底偏置效应。本源随器提供强大的输入信号驱动,避免多通道ADC交织时,相互之间的影响。同时驱动大的电容负载,并提供高质量的输入信号。后仿真得到源随器的最小带宽为9.7 GHz,在1 pF负载,500 MHz,800 mVpp输入信号时,SFDR为79.86 d B,满足12 bit 4 GSPS ADC的要求。展开更多
文摘提出一种基于TSMC40LP工艺的输入信号缓冲器,用于12 bit 4 GSPS ADC的缓冲器设计。本缓冲器采用开环源随器结构,由于工艺角和温度变化,开环结构的缓冲器的输出共模将会漂移,导致比较器的输入共模发生漂移,使得比较器的比较结果发生错误。采用Replica共模反馈的方式为主缓冲器提供共模,实现缓冲器的输出共模的稳定,避免比较器因为共模变化而工作不正常。为了达到线性度的要求,通过叠层源随器和电容,将输入信号耦合到源随器的漏端,避免了短沟道器件的沟调效应。源随器采用深N阱器件,消除了衬底偏置效应。本源随器提供强大的输入信号驱动,避免多通道ADC交织时,相互之间的影响。同时驱动大的电容负载,并提供高质量的输入信号。后仿真得到源随器的最小带宽为9.7 GHz,在1 pF负载,500 MHz,800 mVpp输入信号时,SFDR为79.86 d B,满足12 bit 4 GSPS ADC的要求。
