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一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型
1
作者
章婷婷
刘军
+1 位作者
夏颖
张志国
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第1期47-52,共6页
为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型。采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0 V情况下沟道的T型等效网络。以量化沟道电阻为中间项,推...
为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型。采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0 V情况下沟道的T型等效网络。以量化沟道电阻为中间项,推导出含有趋肤效应模型的拓扑结构并提出参数解析提取方法。结合趋肤效应的高频响应特征,从频率高于40 GHz的测试S参数中剥离10 GHz以下的非本征参数,然后从剥离之后的网络参数中提取趋肤效应模型参数值。采用总栅宽为4×25μm GaAs PHEMT管芯用于模型和模型参数提取方法的验证。结果显示在2~110 GHz下,该模型的仿真结果与测试结果吻合较好。
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关键词
高频小信号模型
传输线理论
趋肤效应
沟道等效电路
参数提取
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职称材料
题名
一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型
1
作者
章婷婷
刘军
夏颖
张志国
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
北京国联万众半导体科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第1期47-52,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61934006)。
文摘
为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型。采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0 V情况下沟道的T型等效网络。以量化沟道电阻为中间项,推导出含有趋肤效应模型的拓扑结构并提出参数解析提取方法。结合趋肤效应的高频响应特征,从频率高于40 GHz的测试S参数中剥离10 GHz以下的非本征参数,然后从剥离之后的网络参数中提取趋肤效应模型参数值。采用总栅宽为4×25μm GaAs PHEMT管芯用于模型和模型参数提取方法的验证。结果显示在2~110 GHz下,该模型的仿真结果与测试结果吻合较好。
关键词
高频小信号模型
传输线理论
趋肤效应
沟道等效电路
参数提取
Keywords
high frequency small signal model
transmission line theory
skin effect
channel equivalent circuit
parameter extraction
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型
章婷婷
刘军
夏颖
张志国
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
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