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双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型
被引量：
1
1
作者
李尚君
高珊
储晓磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期424-428,共5页
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同...
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。
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关键词
双栅内嵌
绝缘
柱
金属氧化物半导体场效应晶体管
沟道侧壁绝缘柱
表面势
电荷分享
漏感应势垒降低效应
短
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职称材料
题名
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型
被引量：
1
1
作者
李尚君
高珊
储晓磊
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期424-428,共5页
基金
国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004)
文摘
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。
关键词
双栅内嵌
绝缘
柱
金属氧化物半导体场效应晶体管
沟道侧壁绝缘柱
表面势
电荷分享
漏感应势垒降低效应
短
Keywords
double gate MOSFET incorporating dielectric pocket(DPDG MOSFET)
the chan-nel wall incorporating dielectric pocket(DP)
surface potential
charge sharing
drain induced bar-rier lowering(DIBL)
short channel effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型
李尚君
高珊
储晓磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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