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基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计
1
作者
王善屹
郭筝
+1 位作者
楼颖颖
钱亮
《现代电子技术》
北大核心
2015年第20期146-149,153,共5页
针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验...
针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。
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关键词
功率
器件
沟槽型功率器件
掩膜板
工艺仿真
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职称材料
题名
基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计
1
作者
王善屹
郭筝
楼颖颖
钱亮
机构
上海交通大学微电子学院
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《现代电子技术》
北大核心
2015年第20期146-149,153,共5页
文摘
针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。
关键词
功率
器件
沟槽型功率器件
掩膜板
工艺仿真
Keywords
power device
trench MOSFET
mask
technology simulation
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计
王善屹
郭筝
楼颖颖
钱亮
《现代电子技术》
北大核心
2015
0
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