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RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响
1
作者
闫小兵
史守山
+2 位作者
娄建忠
郑树凯
曹智
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2015年第3期243-246,252,共5页
采用射频（RF）磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4（IGZO）薄膜,并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品I...
采用射频（RF）磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4（IGZO）薄膜,并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品IGZO薄膜为非晶态,薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm,根据光学性能测试结果,IGZO薄膜在200～350 nm的紫外光区有较强吸收,在400～900 nm的可见光波段的透过率为75％～97％.
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关键词
沉积压强
光学性质
电学性质
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职称材料
沉积压强对AlCrSiN/Mo自润滑涂层结构及性能的影响
2
作者
王重阳
刘艳梅
+7 位作者
连伟锋
张银行
何猛
薛锐
吕源江
刘大桐
徐远剑
王铁钢
《材料工程》
2025年第9期219-228,共10页
为解决AlCrSiN涂层刀具在干切削时因摩擦因数高导致切削温度急剧上升,严重缩短刀具使用寿命的难题,通过在AlCrSiN涂层中掺杂第六副族Mo元素改善涂层摩擦学性能。采用高功率脉冲磁控溅射与脉冲直流磁控溅射复合镀膜技术,在不同沉积压强...
为解决AlCrSiN涂层刀具在干切削时因摩擦因数高导致切削温度急剧上升,严重缩短刀具使用寿命的难题,通过在AlCrSiN涂层中掺杂第六副族Mo元素改善涂层摩擦学性能。采用高功率脉冲磁控溅射与脉冲直流磁控溅射复合镀膜技术,在不同沉积压强下制备AlCrSiN/Mo涂层,调控涂层成分及结构,利用扫描电镜、电子探针分析仪、X射线衍射仪、纳米压痕仪、划痕测试仪及摩擦磨损试验机对涂层的成分结构、力学性能及摩擦学性能进行表征。结果表明:随着沉积压强增加,涂层择优生长取向由(111)晶面转变为(200)晶面,组织结构变得更加致密;涂层的临界载荷从65.6 N逐渐增至82.0 N,但沉积速率呈线性降低。当沉积压强为1.6 Pa时,涂层的硬度与弹性模量均达到最高值,分别为20.6 GPa和394.3 GPa;特征值H/E与H3/E2也达到最大,分别为0.052 GPa和0.046 GPa,此时涂层摩擦学性能最佳,摩擦因数与磨损率分别为0.59与1.52×10^(-3)μm^(3)·N^(-1)·μm^(-1)。
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关键词
沉积压强
AlCrSiN/Mo
弹性模量
H/E
磨损率
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职称材料
直流反应磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)
3
作者
张化福
类成新
+1 位作者
刘汉法
袁长坤
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期977-981,共5页
以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉...
以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉积压强对ZnO∶Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大。当沉积压强为2 Pa时,ZnO∶Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97。
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关键词
直流反应磁控溅射
ZnO∶Zr薄膜
透明导电薄膜
沉积压强
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职称材料
题名
RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响
1
作者
闫小兵
史守山
娄建忠
郑树凯
曹智
机构
河北大学电子信息工程学院
出处
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2015年第3期243-246,252,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306098)
河北省自然科学基金资助项目(E2012201088
+3 种基金
E2013201176)
河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019
BJ2015008)
河北大学人才引进基金资助项目(2011-219)
文摘
采用射频（RF）磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4（IGZO）薄膜,并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品IGZO薄膜为非晶态,薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm,根据光学性能测试结果,IGZO薄膜在200～350 nm的紫外光区有较强吸收,在400～900 nm的可见光波段的透过率为75％～97％.
关键词
沉积压强
光学性质
电学性质
Keywords
IGZO deposition pressure optical properties electrical properties
分类号
TB32 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
沉积压强对AlCrSiN/Mo自润滑涂层结构及性能的影响
2
作者
王重阳
刘艳梅
连伟锋
张银行
何猛
薛锐
吕源江
刘大桐
徐远剑
王铁钢
机构
天津职业技术师范大学天津市高速切削与精密加工重点实验室
出处
《材料工程》
2025年第9期219-228,共10页
基金
天津市多元投入基金重点项目(22JCZDJC00670)
天津市教委科研计划项目(2021ZD005,2022ZD020,2022ZD033)。
文摘
为解决AlCrSiN涂层刀具在干切削时因摩擦因数高导致切削温度急剧上升,严重缩短刀具使用寿命的难题,通过在AlCrSiN涂层中掺杂第六副族Mo元素改善涂层摩擦学性能。采用高功率脉冲磁控溅射与脉冲直流磁控溅射复合镀膜技术,在不同沉积压强下制备AlCrSiN/Mo涂层,调控涂层成分及结构,利用扫描电镜、电子探针分析仪、X射线衍射仪、纳米压痕仪、划痕测试仪及摩擦磨损试验机对涂层的成分结构、力学性能及摩擦学性能进行表征。结果表明:随着沉积压强增加,涂层择优生长取向由(111)晶面转变为(200)晶面,组织结构变得更加致密;涂层的临界载荷从65.6 N逐渐增至82.0 N,但沉积速率呈线性降低。当沉积压强为1.6 Pa时,涂层的硬度与弹性模量均达到最高值,分别为20.6 GPa和394.3 GPa;特征值H/E与H3/E2也达到最大,分别为0.052 GPa和0.046 GPa,此时涂层摩擦学性能最佳,摩擦因数与磨损率分别为0.59与1.52×10^(-3)μm^(3)·N^(-1)·μm^(-1)。
关键词
沉积压强
AlCrSiN/Mo
弹性模量
H/E
磨损率
Keywords
deposition pressure
AlCrSiN/Mo
elastic modulus
H/E
wear rate
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
直流反应磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)
3
作者
张化福
类成新
刘汉法
袁长坤
机构
山东理工大学理学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期977-981,共5页
基金
Project supported by the Natural Science Foundation of Shandong Province(ZR2009GQ011)
文摘
以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉积压强对ZnO∶Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大。当沉积压强为2 Pa时,ZnO∶Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97。
关键词
直流反应磁控溅射
ZnO∶Zr薄膜
透明导电薄膜
沉积压强
Keywords
DC reactive magnetron sputtering
ZnO： Zr films
transparent conducting films
depositionpressure
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响
闫小兵
史守山
娄建忠
郑树凯
曹智
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2015
0
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职称材料
2
沉积压强对AlCrSiN/Mo自润滑涂层结构及性能的影响
王重阳
刘艳梅
连伟锋
张银行
何猛
薛锐
吕源江
刘大桐
徐远剑
王铁钢
《材料工程》
2025
在线阅读
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职称材料
3
直流反应磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)
张化福
类成新
刘汉法
袁长坤
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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