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HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上): 1; 作者 S.J.C.Irvine 高国龙《红外》 CAS 1994年第5期1-5,共5页; 概述了用于制备碲镉汞焦平面列阵的金属有机汽相外延生长(MOVPE)技术的一些主要发展步骤。原始有机金属纯度的提高,已可以使本底施主浓度达到10^(14)cm^(-3)的程度,同时还允许用施主或受主控制反向掺杂。用内部扩散多层方法(IMP)有可能... 展开更多; 关键词碲镉汞汽相外延生长红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延: 2; 作者陶长远刘达清《红外与激光技术》 CSCD 1991年第2期30-34,29,共6页; 在国内本文首次报道用改进的开管等温汽相外延法,重复很好地生长出低x值Hg_(1-x)Cd_xTe汽相外延层,其组分、膜厚可控,x值低至0.16,膜厚达110μm。用金相显微镜、扫描电子显微镜、范德堡霍耳测量以及红外透射光谱研究分析了外延层的表面... 展开更多; 关键词开管等温汽相外延生长碲镉汞红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

汽相外延ZnSe薄膜的特性: 3; 作者周哲《发光快报》 CSCD 1993年第6期23-26,共4页; 关键词硒化锌薄膜生长汽相外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

用直接合金法制备金属有机汽相外延碲镉汞的最新进展: 4; 作者张文福《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期30-36,共7页; 过去几年,重点研究了金属有机汽相外延(OMVPE)HgCdTe的材料制作器件的适用性。本文将论述用直接合金(DAG)法生长HgCdTe的最研成果和某些器件最新成果。得到截止波长为5.5μm外延层,其p-n结R_0A乘积高达1×10~6Ωcm^2,金属—绝缘体... 展开更多; 关键词汽相外延生长碲镉汞金属材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

在MOCVD外延生长中V/Ⅲ比对Al_xGa_(1-x)As外延层中A1组分分布的影响被引量：1: 5; 作者傅竹西《发光快报》 EI CAS CSCD 1994年第1期43-49,共7页; 本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,外延层中的Al组份出现很明显的层状阶梯形三层分布:靠近基片的一层中x值较低,而... 展开更多; 关键词砷铝镓汽相外延生长铝组分; 在线阅读下载PDF 职称材料

用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究: 6; 作者宋士惠关郑平 +3 位作者范广涵范希武彭应国吴玉琨《发光快报》 EI CAS CSCD 1994年第1期1-8,共8页; 本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出... 展开更多; 关键词超晶格汽相外延生长电子显微镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

OMVPE生长lnP：Zn／InGaAs／InPp—i—n双异质结中的Zn掺杂: 7; 《发光快报》 CSCD 1993年第1期45-48,共4页; 关键词汽相外延生长双异质结磷化铟锌; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD技术及其源材料: 8; 作者段树坤《低温与特气》 CAS 1984年第2期26-35,共10页; 外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这种需要促使多种外延技术得到了发展和应用。其中包括汽相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延(MBE... 展开更多; 关键词 MOCVD技术金属有机化合物 MOCVD工艺半导体器件外延生长技术汽相外延生长化学汽相淀积半导体材料分子束外延外延技术液相外延氯化物氢化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

高效GaAlAs LED: 9; 作者师庆华《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第4期48-52,共5页; 利用温差溶液原理首次在液相外延生长领域实现了GaAlAsLED的批量生产。由于GaAlAs外延层结晶质量的改善,LED器件的效率得到不断改进。通过对晶体生长的各种实验测定了最佳的器件参数。用这个生产线生产的LED器件的外部量子效率到目前为... 展开更多; 关键词液相外延生长外延层结晶质量异质结汽相外延生长量子效率 GAALAS LED 效率值杂质浓度晶体生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上): 1; 作者 S.J.C.Irvine 高国龙; 机构美国洛克韦尔国际科学中心; 出处《红外》 CAS 1994年第5期1-5,共5页; 文摘概述了用于制备碲镉汞焦平面列阵的金属有机汽相外延生长(MOVPE)技术的一些主要发展步骤。原始有机金属纯度的提高,已可以使本底施主浓度达到10^(14)cm^(-3)的程度,同时还允许用施主或受主控制反向掺杂。用内部扩散多层方法(IMP)有可能获得合金的大面积均匀性。然而,为了避免在混成结构上出现热应力,必须将焦平面列阵生长在Si衬底上。介绍了从一个256×256元中波红外列阵上获得的初步结果,还介绍了有关光学现场监视的结果。这些结果将形成今后改进外延控制方法的基础。; 关键词碲镉汞汽相外延生长红外探测器; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延: 2; 作者陶长远刘达清; 机构昆明物理研究所; 出处《红外与激光技术》 CSCD 1991年第2期30-34,29,共6页; 文摘在国内本文首次报道用改进的开管等温汽相外延法,重复很好地生长出低x值Hg_(1-x)Cd_xTe汽相外延层,其组分、膜厚可控,x值低至0.16,膜厚达110μm。用金相显微镜、扫描电子显微镜、范德堡霍耳测量以及红外透射光谱研究分析了外延层的表面、剖面金相形貌、组分及其分布,电、光性能等。在12mm×13mm外延片上,表面光亮如镜,剖面层次分明,界面极为平直。在室温下,其红外透过率达40％。面扫表明,外延层组分纵深均匀性良好。实验制得的外延片多呈p型,在液氮温度下,典型原生外延片的载流子浓度为2.3×10^(16)cm^(-3),霍耳迁移率为3.62×10~2cm^2/V·s(x=0.21)。; 关键词开管等温汽相外延生长碲镉汞红外探测器; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名汽相外延ZnSe薄膜的特性: 3; 作者周哲; 出处《发光快报》 CSCD 1993年第6期23-26,共4页; 关键词硒化锌薄膜生长汽相外延生长; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用直接合金法制备金属有机汽相外延碲镉汞的最新进展: 4; 作者张文福; 出处《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期30-36,共7页; 文摘过去几年,重点研究了金属有机汽相外延(OMVPE)HgCdTe的材料制作器件的适用性。本文将论述用直接合金(DAG)法生长HgCdTe的最研成果和某些器件最新成果。得到截止波长为5.5μm外延层,其p-n结R_0A乘积高达1×10~6Ωcm^2,金属—绝缘体—半导体(MIS)电荷储存时间高达250ms,同时还讨论层的组分均匀性和重复性问题。; 关键词汽相外延生长碲镉汞金属材料; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在MOCVD外延生长中V/Ⅲ比对Al_xGa_(1-x)As外延层中A1组分分布的影响被引量：1: 5; 作者傅竹西; 机构中国科学技术大学物理系; 出处《发光快报》 EI CAS CSCD 1994年第1期43-49,共7页; 文摘本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,外延层中的Al组份出现很明显的层状阶梯形三层分布:靠近基片的一层中x值较低,而在外延层的表面层中x值较高.随着生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比增加时,Al组份的分布趋于均匀.利用GaAs的高温热分解和Ga、As离子在晶体中的热扩散及其对外延生长的影响,对这一现象作了初步解释.; 关键词砷铝镓汽相外延生长铝组分; Keywords MOCVD,AlGaAs epitaxy,Ⅴ/Ⅲ ratio,Al distribution; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究: 6; 作者宋士惠关郑平范广涵范希武彭应国吴玉琨; 机构中国科学院长春物理研究所中国科学院金属研究所; 出处《发光快报》 EI CAS CSCD 1994年第1期1-8,共8页; 基金 "863"计划光电子主题国家自然科学基金中国科学院金属研究所固体开放实验室的资助; 文摘本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出结构较完整以及较平整的超晶格薄层材料.; 关键词超晶格汽相外延生长电子显微镜; Keywords superlattices,HRTEM,defect; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名OMVPE生长lnP：Zn／InGaAs／InPp—i—n双异质结中的Zn掺杂: 7; 出处《发光快报》 CSCD 1993年第1期45-48,共4页; 关键词汽相外延生长双异质结磷化铟锌; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD技术及其源材料: 8; 作者段树坤; 机构中国科学院半导体研究所; 出处《低温与特气》 CAS 1984年第2期26-35,共10页; 文摘外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这种需要促使多种外延技术得到了发展和应用。其中包括汽相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)。汽相外延生长中又可依据原料的不同分为氯化物工艺、氢化物工艺和MOCVD工艺(金属有机化合物化学汽相淀积)。; 关键词 MOCVD技术金属有机化合物 MOCVD工艺半导体器件外延生长技术汽相外延生长化学汽相淀积半导体材料分子束外延外延技术液相外延氯化物氢化物; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学] O627 [理学—有机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高效GaAlAs LED: 9; 作者师庆华; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第4期48-52,共5页; 文摘利用温差溶液原理首次在液相外延生长领域实现了GaAlAsLED的批量生产。由于GaAlAs外延层结晶质量的改善,LED器件的效率得到不断改进。通过对晶体生长的各种实验测定了最佳的器件参数。用这个生产线生产的LED器件的外部量子效率到目前为止是世界上最高的,双异质结(DH)结构的效率值达21％。这些结果表明LED器件有可能用于户外显示器。; 关键词液相外延生长外延层结晶质量异质结汽相外延生长量子效率 GAALAS LED 效率值杂质浓度晶体生长; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)	S.J.C.Irvine 高国龙	《红外》 CAS	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延	陶长远刘达清	《红外与激光技术》 CSCD	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	汽相外延ZnSe薄膜的特性	周哲	《发光快报》 CSCD	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用直接合金法制备金属有机汽相外延碲镉汞的最新进展	张文福	《红外与激光技术》 CSCD	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	在MOCVD外延生长中V/Ⅲ比对Al_xGa_(1-x)As外延层中A1组分分布的影响	傅竹西	《发光快报》 EI CAS CSCD	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究	宋士惠关郑平范广涵范希武彭应国吴玉琨	《发光快报》 EI CAS CSCD	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	OMVPE生长lnP：Zn／InGaAs／InPp—i—n双异质结中的Zn掺杂		《发光快报》 CSCD	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	MOCVD技术及其源材料	段树坤	《低温与特气》 CAS	1984	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	高效GaAlAs LED	师庆华	《液晶与显示》 CAS CSCD	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料