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硅橡胶绝缘子污秽有效等值盐密及测量方法 被引量:10
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作者 梁曦东 张轶博 高岩峰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期3044-3051,共8页
由于憎水性的存在,硅橡胶绝缘子污秽中的盐分浸出(溶出)过程将比亲水性的无机材料绝缘子的更为复杂,需对硅橡胶绝缘子污秽盐分浸出过程及浸出的盐分量进行研究。为此提出硅橡胶绝缘子的有效等值附盐密度(effective equivalent salt... 由于憎水性的存在,硅橡胶绝缘子污秽中的盐分浸出(溶出)过程将比亲水性的无机材料绝缘子的更为复杂,需对硅橡胶绝缘子污秽盐分浸出过程及浸出的盐分量进行研究。为此提出硅橡胶绝缘子的有效等值附盐密度(effective equivalent salt deposit density,EESDD)的概念,用以表征硅橡胶绝缘子不同憎水性污秽层在受潮过程中的实际盐分溶出量,并提出了一种结合憎水性分级测试且便于实际操作的EESDD测量方法。人工污秽层与现场硅橡胶绝缘子污秽层的EESDD测量结果表明:相同憎水性污秽层的有效溶出盐分是等值附盐密度(equivalent salt deposit density,ESDD)所测得盐分的一部分,硅橡胶绝缘子EESDD与ESDD的比值约为50%~90%,且该比值随污秽层憎水性下降而升高,并且同类型污秽灰密与盐密之比较低(〈4)时,其EESDD值相对较高。基于试验结果的分析指出,硅橡胶绝缘子污秽度测量应与其表面憎水性相结合,其爬电距离的配置应参考湿污秽层的有效等值附盐密度来确定。 展开更多
关键词 硅橡胶绝缘子 污秽 附盐密 有效等值盐密 憎水性 污秽度测量
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局部表面电导率测量仪器及测试方法 被引量:7
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作者 孙保强 关志成 +2 位作者 王黎明 赵宇明 张福增 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期878-884,共7页
为推广局部表面电导率法在绝缘子污秽程度评估中的应用,结合试验,介绍并比较了2种测量仪器的工作方法和应用性能。2种仪器均为通用仪器,1种是由调压器、精细电阻构成的简易测量系统,另1种是专用电阻测量仪器。采用这2种仪器对玻璃... 为推广局部表面电导率法在绝缘子污秽程度评估中的应用,结合试验,介绍并比较了2种测量仪器的工作方法和应用性能。2种仪器均为通用仪器,1种是由调压器、精细电阻构成的简易测量系统,另1种是专用电阻测量仪器。采用这2种仪器对玻璃板上不同污秽的局部表面电导率值进行了测试,结果显示:不同的测量装置及电极型式对相同污秽度表面的局部表面电导率测量值的影响很小;在0.05~0.40mg/cm2的盐密范围内,2种仪器测量的表面电导率的最大差异〈1%,而采用矩形电极和圆形电极的测量结果差异〈3%;电源频率对局部表面电导率有较大影响,频率增大10倍时,局部表面电导率会增加约10%;电源电压对局部表面电导率几乎没有影响,1V与20V电源电压的局部表面电导率测量值差异约为1%。试验表明,局部表面电导率法在实际应用中简易可行且准确度高,有较好的应用前景。 展开更多
关键词 盐密 污秽度测量 表面电导率 电源电压 测量误差 电源频率
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交流特高压支柱瓷绝缘子的自然积污特性研究 被引量:18
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作者 张锐 黄道春 +1 位作者 吴光亚 袁田 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2014年第11期3217-3223,共7页
为研究特高压支柱瓷绝缘子的自然积污规律,重点对荆门特高压变电站运行的支柱瓷绝缘子进行了连续3 a的积污检测。测量了盐密(equivalent salt deposit density,ESDD)、灰密(non soluble deposit density,NSDD)及污秽成分,对比分析了伞... 为研究特高压支柱瓷绝缘子的自然积污规律,重点对荆门特高压变电站运行的支柱瓷绝缘子进行了连续3 a的积污检测。测量了盐密(equivalent salt deposit density,ESDD)、灰密(non soluble deposit density,NSDD)及污秽成分,对比分析了伞裙上表面与下表面、迎风面与背风面、平均直径、连续积污等对支柱绝缘子自然积污特性的影响规律。结果表明,1 a的积污期条件下(2010年4月至2011年4月):1)单个1000k V支柱瓷绝缘子整柱污秽分布较不均匀,高压端与其他部位的ESDD平均比值为3.4,NSDD平均比值为2.3。2)绝缘子伞裙上表面污秽度普遍高于下表面。上下表面ESDD不均匀积污比平均为1.8,上下表面NSDD不均匀积污比平均为1.6。3)绝缘子伞裙背风面污秽度普遍高于迎风面。ESDD迎风面与背风面不均匀积污比平均为0.64,NSDD迎风面与背风面不均匀积污比平均为0.55。4)饱和ESDD与连续积污时间不成正比关系,而NSDD基本与连续积污时间成正比关系。5)ESDD和NSDD随平均直径的增大呈下降趋势。6)绝缘子表面污秽物中CaS O4含量平均为68%。研究结果可为我国特高压工程外绝缘设计、产品制造和运行检修提供参考。 展开更多
关键词 特高压支柱瓷绝缘子 污秽度测量 自然积污特性 盐密 灰密 上下表面不均匀积污比(T/B) 迎风面与背风面积污比(W/L)
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1000kV支柱瓷绝缘子自然积污规律试验研究 被引量:9
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作者 张锐 黄道春 +1 位作者 吴光亚 袁田 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期3679-3686,共8页
研究1 000 kV支柱瓷绝缘子的自然积污规律可为我国特高压工程外绝缘设计和运行检修提供参考。为此,通过对荆门特高压变电站运行的支柱瓷绝缘子进行了连续3 a的积污观察和检测,测量了等值附盐密度(缩写为ESDD,简称为盐密)、不溶物密度... 研究1 000 kV支柱瓷绝缘子的自然积污规律可为我国特高压工程外绝缘设计和运行检修提供参考。为此,通过对荆门特高压变电站运行的支柱瓷绝缘子进行了连续3 a的积污观察和检测,测量了等值附盐密度(缩写为ESDD,简称为盐密)、不溶物密度(缩写为NSDD,简称为灰密)及污秽成分,分析了1 000 kV支柱瓷绝缘子污秽不均匀分布特性以及与传统瓷绝缘子积污特性的差异,评估了现阶段绝缘子污秽水平。研究结果表明:11 000kV支柱瓷绝缘子沿面盐密和灰密分布较不均匀,高压端最高,其他部位逐渐走低。绝缘子上表面积污重于下表面,上表面与下表面积污比为1.7~4.4;背风面积污重于迎风面,迎风面与背风面积污比为0.17~0.90;2绝缘子表面污秽物中Ca SO4质量分数为65%~70%,高于线路绝缘子现有测量数据;3随着运行时间的延长,上表面与下表面盐密积污比变化较小,灰密积污比增幅较大;迎风面与背风面积污比呈下降趋势;4对于1 000 kV支柱瓷绝缘子的单个元件,可考虑采取"前后2点简化法"测量污秽度;5同一运行环境、不同电压等级的支柱瓷绝缘子积污特性存在一定差异;6基于"一年一清扫"的前提,支柱瓷绝缘子的污秽水平现仍处于设计范围,并有一定裕度。 展开更多
关键词 1 000 KV 支柱瓷绝缘子 污秽度测量 自然积污规律 等值附盐密 不溶物密 上表面与下表面积污比 迎风面与背风面积污比
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