碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长 被引量：5

1

作者 宋炳文 刘朝旺 +2 位作者 王跃 王静宇 杨玉林 《红外与激光工程》 EI CSCD 1997年第4期45-48,60,共5页

利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外... 利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。 展开更多

关键词 碲镉汞薄膜 MOVPE 红外光学材料

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昆明物理研究所大面积水平推舟液相外延碲镉汞薄膜技术进展 被引量：4

2

作者 孔金丞 宋林伟 +8 位作者 起文斌 姜军 丛树仁 刘燕 荣徽宇 许江明 方东 赵鹏 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第2期111-122,共12页

报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)... 报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)cm^(-2),Ф120 mm(111)晶圆衬底的Zn组份分布极差≤0.36%。基于碲锌镉衬底技术的进步,液相外延碲镉汞薄膜的最大生长尺寸达到了70 mm×75 mm,薄膜位错腐蚀坑密度均值为5×10^(4)cm^(-2),X射线双晶回摆曲线半峰宽(DCRC-FWHM)≤35 arcsec,部分可控制到25 arcsec以下;50 mm×60 mm尺寸长波碲镉汞薄膜的厚度极差≤±1.25μm,室温截止波长极差≤±0.1μm,中波碲镉汞薄膜相应指标分别为≤±1μm、≤±0.05μm。材料技术的进展促进了制冷型碲镉汞探测器产能提升和成本的降低,也支撑了高性能长波/甚长波探测器、高工作温度(HOT)探测器以及2048×2048、4096×4096等甚高分辨率高性能探测器的研制。 展开更多

关键词 液相外延 碲锌镉衬底 碲镉汞薄膜

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LPE碲镉汞薄膜的显微Raman谱与显微荧光谱分析 被引量：2

3

作者 黄晖 唐莹娟 +2 位作者 许京军 张存洲 张光寅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期261-264,共4页

利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0 96Zn0 04Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2Te外延薄膜样品,在100～5000cm-1光谱范围进行测量,在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类 HgTe的光学振动横模(TO1模)和纵模(LO1模)... 利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0 96Zn0 04Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2Te外延薄膜样品,在100～5000cm-1光谱范围进行测量,在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类 HgTe的光学振动横模(TO1模)和纵模(LO1模)的Raman散射峰、类 CdTe光学振动横模(TO2模)和纵模(LO2模)混合的Raman散射峰以及来源于TO1+LO1的二级Raman散射峰外,在1000～5000cm-1光谱范围首次发现了LPE碲镉汞薄膜的显微荧光峰,该显微荧光的发光范围换算为电子伏特标度为1 34～1 83eV,发光中心位于2750cm-1即1 62eV,发光峰的半高宽(FWHM)约为0 25eV。通过分析指出,该显微荧光来源于碲镉汞外延层中阴性离子空位与材料导带底的共振能级的发光。 展开更多

关键词 LPE碲镉汞薄膜 显微Raman谱 显微荧光谱 液相外延 红外探测器 光学振动

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碲镉汞薄膜分步化学抛光技术研究

4

作者 肖钰 张国旗 +1 位作者 徐长彬 李春领 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期703-706,共4页

针对碲镉汞薄膜化学抛光过程中容易产生材料组分均匀性变差、影响芯片性能的现象,提出了一种分步化学抛光技术。材料表面分析和组分分析结果表明,分步化学抛光可以降低材料表面的粗糙度,改善化学抛光材料组分的均匀性,有效地去除材料表... 针对碲镉汞薄膜化学抛光过程中容易产生材料组分均匀性变差、影响芯片性能的现象,提出了一种分步化学抛光技术。材料表面分析和组分分析结果表明,分步化学抛光可以降低材料表面的粗糙度,改善化学抛光材料组分的均匀性,有效地去除材料表面氧化,同时对探测器芯片性能的均匀性提升也做出了一定的贡献。 展开更多

关键词 碲镉汞薄膜 化学抛光 分步 均匀性

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液相外延碲镉汞薄膜的表面损伤研究 被引量：3

5

作者 李春领 秦艳红 +1 位作者 程雨 王春红 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期73-76,共4页

HgCdTe薄膜表面损伤层厚度测试对其加工工艺及其重要。本文采用白光干涉仪对HgCdTe薄膜表面粗糙度测试,并与损伤层厚度对比,研究发现粗糙度值达到稳定值后,上一步工艺引入的表面损伤已经完全去除,表面的损伤为抛光工艺引入的损伤。这一... HgCdTe薄膜表面损伤层厚度测试对其加工工艺及其重要。本文采用白光干涉仪对HgCdTe薄膜表面粗糙度测试,并与损伤层厚度对比,研究发现粗糙度值达到稳定值后,上一步工艺引入的表面损伤已经完全去除,表面的损伤为抛光工艺引入的损伤。这一方法,既能方便快捷地确定损伤层是否完全去除,又未对测试样品产生破坏。 展开更多

关键词 碲镉汞薄膜 损伤层厚度 白光干涉仪 表面粗糙度

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碲镉汞薄膜的进展与趋势

6

作者 周茂树 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第6期1-4,共4页

本文针对响应波长8～12μmMCT焦平面阵列探测器对MCT薄膜材料性能要求,分析了液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)生长的MCT薄膜,究竟哪一种方法生长的薄膜能更好地满足焦平面阵列探测器的技术要求。根据LPE工艺的日趋成熟所暴露出来的缺点,... 本文针对响应波长8～12μmMCT焦平面阵列探测器对MCT薄膜材料性能要求,分析了液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)生长的MCT薄膜,究竟哪一种方法生长的薄膜能更好地满足焦平面阵列探测器的技术要求。根据LPE工艺的日趋成熟所暴露出来的缺点,MBE工艺的进展与理论上预示的优点在实验中得到了证实。两者相比较,它们相互易位,过去10多年把LPE作为生长MCT薄膜的主要方法,现在已转向以MBE(也包括MOCVD)作为今后生长MCT薄膜的主攻方向。 展开更多

关键词 碲镉汞薄膜 液相外延 分子束外延

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MOCVD外延Hg_(1-x)Cd_xTe/Cd_(1-y)Zn_yTe薄膜的光致发光 被引量：2

7

作者 黄晖 许京军 +4 位作者 王吉有 张存洲 姬荣斌 潘顺臣 张光寅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期133-136,共4页

利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0 96Zn0 0 4 Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2 Te外延薄膜样品在光谱范围 5 0～ 5 0 0 0cm-1进行了测量 ,在其中的一块样品上首次发现了 1 4 3eV至 1 93eV范围内出现的具有周期结构的光致发光... 利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0 96Zn0 0 4 Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2 Te外延薄膜样品在光谱范围 5 0～ 5 0 0 0cm-1进行了测量 ,在其中的一块样品上首次发现了 1 4 3eV至 1 93eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰 ,该发光峰对应的能带中心位于Hg0 8Cd0 2 Te外延层导带底上方 1 73eV ,在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰 ,没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因 ,对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析 ,得出样品在 1 4 3eV至 1 93eV范围的光致发光峰是由于改进MOCVD生长工艺提高了样品的结构质量所致 ,通过分析指出该光致发光峰是来源于Hg0 8Cd0 2 Te外延层中的阴性离子空位的共振能级。 展开更多

关键词 MOCVD Raman显微镜 外延生长 碲镉汞薄膜 镉锌钛化合物 Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜 光致发光

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溅射气压对非晶Hg_(1-x)Cd_x Te薄膜微观结构和化学组分的影响(英文)

8

作者 王光华 孔金丞 +3 位作者 李雄军 杨丽丽 赵惠琼 姬荣斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1224-1231,共8页

采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直... 采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响。随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低。当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征;当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构。另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1 Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高。 展开更多

关键词 碲镉汞薄膜 非晶半导体 微观结构 表面形貌 磁控溅射

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液相外延MCT薄膜表面形貌观察及与组分的关系

9

作者 王跃 汤志杰 +1 位作者 庄维莎 何景福 《红外与激光技术》 CSCD 1990年第4期38-42,共5页

用扫描电子显微镜对滑块式液相外延技术生长的MCT外延薄膜表面形貌进行了观察,并用能谱仪对其表面组分进行了分析.研究结果表明:除衬底情况、生长条件以及生长系统外、外延薄膜表面组分与其表面形貌也有一定的关系.本文较详细地报道了MC... 用扫描电子显微镜对滑块式液相外延技术生长的MCT外延薄膜表面形貌进行了观察,并用能谱仪对其表面组分进行了分析.研究结果表明:除衬底情况、生长条件以及生长系统外、外延薄膜表面组分与其表面形貌也有一定的关系.本文较详细地报道了MCT外延膜表面形貌观察结果,并初步讨论了表面组分对表面形貌可能的影响. 展开更多

关键词 液相外延 碲镉汞薄膜 表面形貌

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采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究 被引量：4

10

作者 巫艳 于梅芳 +3 位作者 陈路 乔怡敏 杨建荣 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期23-27,共5页

报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬... 报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。 展开更多

关键词 分子束外延 Hg1-xCdxTe薄膜 位错密度 MBE 汞镉碲薄膜 ZnCdTe 锌镉碲化合物 红外焦平面探测器 生长条件

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光电子技术与器件

11

《中国光学与应用光学》 2007年第2期66-79,共14页

关键词 焦平面技术 响应率 器件 碲镉汞薄膜 INGAAS 红外焦平面阵列 热释电探测器 红外焦平面探测器 光电子技术

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