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微纳水溶解抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度影响的试验研究
被引量：
2
1
作者
王旭
高航
+1 位作者
陈玉川
滕晓辑
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期2702-2707,共6页
微纳水溶解抛光与计算机控制光学表面成形(CCOS)小工具抛光技术相结合,是针对大尺寸易溶于水的KDP晶体元件的一种有效加工方法。本文针对小工具抛光中行星运动方式及水溶解抛光工艺特点,为揭示各抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度的影响...
微纳水溶解抛光与计算机控制光学表面成形(CCOS)小工具抛光技术相结合,是针对大尺寸易溶于水的KDP晶体元件的一种有效加工方法。本文针对小工具抛光中行星运动方式及水溶解抛光工艺特点,为揭示各抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度的影响规律,对晶体进行均匀抛光,并以抛光头转速比和转速、自转和公转方向、抛光载荷、抛光头直径、抛光液含水量为参变量,得到了最优抛光参数:抛光头公转自转反向,转速100 r/min;抛光液含水量7.5%(质量分数);使用较大尺寸抛光头(工件尺寸的十分之一至五分之一)。
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关键词
KDP晶体
表面粗糙度
水溶解抛光
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职称材料
介电泳辅助水溶解抛光过程中微水滴分布的仿真与实验研究
被引量：
1
2
作者
缪跃琼
王旭
+4 位作者
邓乾发
周文慧
毛越初
黄林彬
袁巨龙
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期373-383,共11页
目的为解决KDP晶体无损表面的制造难题,进一步提升水溶解抛光方法的抛光质量和效率,研究介电泳效应对水溶解抛光液的影响。方法提出一种介电泳辅助水溶解的抛光方法,最终获得超光滑表面,采用有限元软件模拟极化后微水滴的运动行为,并搭...
目的为解决KDP晶体无损表面的制造难题,进一步提升水溶解抛光方法的抛光质量和效率,研究介电泳效应对水溶解抛光液的影响。方法提出一种介电泳辅助水溶解的抛光方法,最终获得超光滑表面,采用有限元软件模拟极化后微水滴的运动行为,并搭建验证性平台观测介电泳力作用下抛光液的吸附行为,验证抛光原理。之后数值模拟不同的电极形状对微水滴受到介电泳力的影响规律,优化得到最优电极形状参数。最后搭建试验平台,验证介电泳对水溶解抛光效率和质量的提升效果。结果微水滴会在介电泳力作用下发生形变,并聚集在晶体表面附近,从而提高抛光过程中参与溶解的微水滴数量,加快溶解去除速率。同时,上电极也会对抛光液产生"吸附"作用,延长抛光液在晶体表面的作用时间,减小抛光液甩出率,进一步提高抛光效率。双螺旋结构电极具有最大的电场梯度,能够使水滴受到最大的介电泳力而向晶体表面聚集。经过20min抛光后,采用传统水溶解抛光的KDP晶体表面粗糙度Ra由抛光前的590nm降低至1.637 nm,而采用介电泳辅助水溶解抛光的KDP晶体,表面粗糙度降至1.365 nm,表面质量更高。与传统水溶解抛光相比,介电泳辅助水溶解抛光效率提升24%,同时能够更快地获得光滑表面。结论在介电泳效应的辅助作用下,KDP晶体水溶解抛光质量和效率均得到了提升。
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关键词
介电泳效应
KDP晶体
水溶解抛光
电极形状
表面粗糙度
材料去除率
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职称材料
题名
微纳水溶解抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度影响的试验研究
被引量：
2
1
作者
王旭
高航
陈玉川
滕晓辑
机构
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期2702-2707,共6页
基金
国家自然科学基金(51135002)
文摘
微纳水溶解抛光与计算机控制光学表面成形(CCOS)小工具抛光技术相结合,是针对大尺寸易溶于水的KDP晶体元件的一种有效加工方法。本文针对小工具抛光中行星运动方式及水溶解抛光工艺特点,为揭示各抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度的影响规律,对晶体进行均匀抛光,并以抛光头转速比和转速、自转和公转方向、抛光载荷、抛光头直径、抛光液含水量为参变量,得到了最优抛光参数:抛光头公转自转反向,转速100 r/min;抛光液含水量7.5%(质量分数);使用较大尺寸抛光头(工件尺寸的十分之一至五分之一)。
关键词
KDP晶体
表面粗糙度
水溶解抛光
Keywords
KDP crystal
surface roughness
water dissolution polishing
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
介电泳辅助水溶解抛光过程中微水滴分布的仿真与实验研究
被引量：
1
2
作者
缪跃琼
王旭
邓乾发
周文慧
毛越初
黄林彬
袁巨龙
机构
浙江工业大学机械工程学院
浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部重点实验室
杭州汽轮机股份有限公司
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期373-383,共11页
基金
国家自然科学基金项目(51805485,51775511)
浙江省自然科学基金项目(LY21E050010)
中国博士后科学基金项目(2019M652138)。
文摘
目的为解决KDP晶体无损表面的制造难题,进一步提升水溶解抛光方法的抛光质量和效率,研究介电泳效应对水溶解抛光液的影响。方法提出一种介电泳辅助水溶解的抛光方法,最终获得超光滑表面,采用有限元软件模拟极化后微水滴的运动行为,并搭建验证性平台观测介电泳力作用下抛光液的吸附行为,验证抛光原理。之后数值模拟不同的电极形状对微水滴受到介电泳力的影响规律,优化得到最优电极形状参数。最后搭建试验平台,验证介电泳对水溶解抛光效率和质量的提升效果。结果微水滴会在介电泳力作用下发生形变,并聚集在晶体表面附近,从而提高抛光过程中参与溶解的微水滴数量,加快溶解去除速率。同时,上电极也会对抛光液产生"吸附"作用,延长抛光液在晶体表面的作用时间,减小抛光液甩出率,进一步提高抛光效率。双螺旋结构电极具有最大的电场梯度,能够使水滴受到最大的介电泳力而向晶体表面聚集。经过20min抛光后,采用传统水溶解抛光的KDP晶体表面粗糙度Ra由抛光前的590nm降低至1.637 nm,而采用介电泳辅助水溶解抛光的KDP晶体,表面粗糙度降至1.365 nm,表面质量更高。与传统水溶解抛光相比,介电泳辅助水溶解抛光效率提升24%,同时能够更快地获得光滑表面。结论在介电泳效应的辅助作用下,KDP晶体水溶解抛光质量和效率均得到了提升。
关键词
介电泳效应
KDP晶体
水溶解抛光
电极形状
表面粗糙度
材料去除率
Keywords
dielectrophoresis effect
KDP crystal
water dissdution polishing
electrode shape
surface roughness
material removal rate
分类号
TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微纳水溶解抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度影响的试验研究
王旭
高航
陈玉川
滕晓辑
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
介电泳辅助水溶解抛光过程中微水滴分布的仿真与实验研究
缪跃琼
王旭
邓乾发
周文慧
毛越初
黄林彬
袁巨龙
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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