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水冷陶瓷增殖剂包层氚输运分析
被引量：
1
1
作者
张兵
赵雪丽
+1 位作者
马学斌
刘松林
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期301-308,共8页
基于2015版本中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层模块设计特点,建立详细的氚输运分析模型,对不同包层模块(包括不同的增殖区)、载氚气回路、冷却剂回路和蒸汽发生器中的氚输运进行分析。结果表明不同包层模块氚的浓度...
基于2015版本中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层模块设计特点,建立详细的氚输运分析模型,对不同包层模块(包括不同的增殖区)、载氚气回路、冷却剂回路和蒸汽发生器中的氚输运进行分析。结果表明不同包层模块氚的浓度、渗透量、滞留量均不同,全堆所有包层模块增殖区中氚的滞留量为6.62×10-2g,结构材料中氚滞留量为2.01g,载氚气和冷却剂回路中氚滞留量分别为4.03×10-4g和0.19g,氚通过蒸汽发生器的渗透量为20mg·y-1,冷却剂回路中氚渗透到管道外的量为0.1mg·y-1。
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关键词
中国聚变工程实验堆
水冷陶瓷增殖剂包层
氚分析
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职称材料
CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证
2
作者
祝庆军
陈舞辉
+4 位作者
鲍杰
赵子甲
杜华
黄凯
刘松林
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期127-135,共9页
水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现。为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中...
水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现。为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中子学设计中的可靠性,基于研制出的WCCB包层模块,在DT中子环境下开展中子学实验,对以产氚率(TPR)为代表的中子学参数进行了模拟值(C)和实验值(E)对比分析。结果表明,模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97~1.08,而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65~0.82;模块钛酸锂层边缘区^(197)Au(n,γ)198 Au反应率的C/E为0.72~0.90,表明模块边缘区存在非期望的散射中子,导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大。
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关键词
CFETR
水冷陶瓷增殖剂包层
中子学实验
产氚率
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职称材料
题名
水冷陶瓷增殖剂包层氚输运分析
被引量：
1
1
作者
张兵
赵雪丽
马学斌
刘松林
机构
中国科学院等离子体物理研究所
中国科学技术大学
深圳大学新能源研究中心
深圳大学光电工程学院
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期301-308,共8页
基金
国家重点研发计划(2017YFE0300502)
文摘
基于2015版本中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层模块设计特点,建立详细的氚输运分析模型,对不同包层模块(包括不同的增殖区)、载氚气回路、冷却剂回路和蒸汽发生器中的氚输运进行分析。结果表明不同包层模块氚的浓度、渗透量、滞留量均不同,全堆所有包层模块增殖区中氚的滞留量为6.62×10-2g,结构材料中氚滞留量为2.01g,载氚气和冷却剂回路中氚滞留量分别为4.03×10-4g和0.19g,氚通过蒸汽发生器的渗透量为20mg·y-1,冷却剂回路中氚渗透到管道外的量为0.1mg·y-1。
关键词
中国聚变工程实验堆
水冷陶瓷增殖剂包层
氚分析
Keywords
CFETR
Water cooled ceramic breeder blanket
Tritium analysis
分类号
TL64+2 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证
2
作者
祝庆军
陈舞辉
鲍杰
赵子甲
杜华
黄凯
刘松林
机构
中国科学院等离子体物理研究所
中国原子能科学研究院核物理研究所
国防科学技术大学文理学院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期127-135,共9页
基金
国家磁约束聚变专项(2017YFE0301601,2017YFE0301604)
国家自然科学基金(11175207)。
文摘
水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现。为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中子学设计中的可靠性,基于研制出的WCCB包层模块,在DT中子环境下开展中子学实验,对以产氚率(TPR)为代表的中子学参数进行了模拟值(C)和实验值(E)对比分析。结果表明,模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97~1.08,而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65~0.82;模块钛酸锂层边缘区^(197)Au(n,γ)198 Au反应率的C/E为0.72~0.90,表明模块边缘区存在非期望的散射中子,导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大。
关键词
CFETR
水冷陶瓷增殖剂包层
中子学实验
产氚率
Keywords
CFETR
WCCB blanket
neutronics experiment
tritium production rate
分类号
TL67 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
水冷陶瓷增殖剂包层氚输运分析
张兵
赵雪丽
马学斌
刘松林
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证
祝庆军
陈舞辉
鲍杰
赵子甲
杜华
黄凯
刘松林
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
已选择
0
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