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非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究被引量：2: 1; 作者董恒平陈坤基 +5 位作者李伟孙正凤黄敏段欢曹燕王友凤《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期24-27,共4页; 利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发... 展开更多; 关键词非晶氮氧化硅薄膜可调光致发光缺陷态; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiN_xO_y薄膜的制备和紫外光、蓝光发射: 2; 作者梁厚蕴林揆训 +2 位作者刘兴胜石旺舟林璇英《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期553-554,共2页; 研究了用等离子体增强化学气相沉积方法（PECV），经过后处理制备出SINxOy薄膜，测量了其光致发光（PL谱）特性，观测到强度大约为多孔硅蓝光发射10倍的蓝光（440nm）和紫外光（360nm）的发射。此外，测量了其X射线衍射谱，对其成分和... 展开更多; 关键词 PECVD 氮氧化硅薄膜制备光致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

富硅a-SiO_xN_y∶H薄膜的电致发光特性被引量：1: 3; 作者林泽文林圳旭 +6 位作者宋超张毅王祥郭艳青宋捷黄新堂黄锐《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1479-1482,共4页; 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO0.35N0.59∶H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测... 展开更多; 关键词氮氧化硅薄膜红光电致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

多层减反射膜对PERC太阳电池性能的影响被引量：2: 4; 作者庞恒强丁胜 +1 位作者卢宁薛凯《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期452-460,431,共10页; 优化晶体硅材料的光学特性,可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在钝化发射极和背表面太阳电池(PERC)上成功制备出叠层结构的多层减反射薄膜提升硅材料的光学特性。研究结果表明,正面使... 展开更多; 关键词钝化发射极和背面电池氮氧化硅薄膜叠层介质膜氢钝化反射率转换效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究被引量：2: 1; 作者董恒平陈坤基李伟孙正凤黄敏段欢曹燕王友凤; 机构南京理工大学泰州科技学院南京大学固体微结构物理国家重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期24-27,共4页; 基金江苏省2013年高等学校大学生创新创业训练计划项目(201313842010Y) 南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题基金(M26023) 泰州市科技支撑计划(工业)项目(TG201204); 文摘利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。; 关键词非晶氮氧化硅薄膜可调光致发光缺陷态; Keywords a-SiNxOy film, tunable photoluminescence, defect state; 分类号 TM23 [一般工业技术—材料科学与工程] TN383.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiN_xO_y薄膜的制备和紫外光、蓝光发射: 2; 作者梁厚蕴林揆训刘兴胜石旺舟林璇英; 机构汕头大学科学院材料所汕头大学理学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期553-554,共2页; 文摘研究了用等离子体增强化学气相沉积方法（PECV），经过后处理制备出SINxOy薄膜，测量了其光致发光（PL谱）特性，观测到强度大约为多孔硅蓝光发射10倍的蓝光（440nm）和紫外光（360nm）的发射。此外，测量了其X射线衍射谱，对其成分和结构做了一定的分析和研究。; 关键词 PECVD 氮氧化硅薄膜制备光致发光; Keywords plasma enchanced chendcal vapor deposition silicon oxynitride films photoluminescence; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学] O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名富硅a-SiO_xN_y∶H薄膜的电致发光特性被引量：1: 3; 作者林泽文林圳旭宋超张毅王祥郭艳青宋捷黄新堂黄锐; 机构华中师范大学物理科学与技术学院韩山师范学院物理与电子工程系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1479-1482,共4页; 基金国家自然科学基金(61274140) 广东省自然科学基金(S2011010001853) +1 种基金广东高校育苗基金(LYM11090)资助项目; 文摘采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO0.35N0.59∶H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测量还表明器件开启电压为8 V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系。电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel(P-F)发射模型为主。结合发光有源层的微结构分析,初步认为电致红光发射来自于电子和空穴通过有源层的带尾态的辐射复合。; 关键词氮氧化硅薄膜红光电致发光; Keywords silicon oxynitride red luminescence electroluminescence; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层减反射膜对PERC太阳电池性能的影响被引量：2: 4; 作者庞恒强丁胜卢宁薛凯; 机构浙江晶科能源有限公司; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期452-460,431,共10页; 文摘优化晶体硅材料的光学特性,可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在钝化发射极和背表面太阳电池(PERC)上成功制备出叠层结构的多层减反射薄膜提升硅材料的光学特性。研究结果表明,正面使用二氧化硅(SiO_(2))、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅作为器件的叠层介质膜,将SiO_(2)/Si优良的界面性质和SiNx、氮氧化硅稳定的化学性质结合起来,使器件具有稳定的钝化特性。在叠层结构器件中,SiO_(2)作为缓冲层有利于减少光学损失和钝化表面缺陷态,薄的SiO_(2)几乎不会对多层减反结构产生干扰。SiNx可以有效降低光在器件表面的光学反射率,增加光的透射从而减少器件本身的光学损失。氨气有助于强化氢气在硅片表面的扩散,降低长波的光学损失和降低表面复合速率。PECVD制备的氮氧化硅在短波区域具有很好的吸收效果,表面复合速率明显下降,有效提高器件的短波响应。与此同时,经过热处理的减反射薄膜还可以钝化器件的缺陷,最终提升太阳能电池的减反射性能和钝化性能。; 关键词钝化发射极和背面电池氮氧化硅薄膜叠层介质膜氢钝化反射率转换效率; Keywords Passivated emitter and rear cell SiON anti-reflective coating Tandem solar cell H passivation reflectivity Improving the efficiency; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究	董恒平陈坤基李伟孙正凤黄敏段欢曹燕王友凤	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SiN_xO_y薄膜的制备和紫外光、蓝光发射	梁厚蕴林揆训刘兴胜石旺舟林璇英	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	富硅a-SiO_xN_y∶H薄膜的电致发光特性	林泽文林圳旭宋超张毅王祥郭艳青宋捷黄新堂黄锐	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	多层减反射膜对PERC太阳电池性能的影响	庞恒强丁胜卢宁薛凯	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料