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图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
被引量：
1
1
作者
翟阳
牟文杰
+4 位作者
闫大为
杨国锋
蒋敏峰
肖少庆
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第2期119-123,共5页
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外...
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
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关键词
图形化蓝宝石衬底
氮化镓肖特基型紫外探测器
光电特性
热噪声
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职称材料
题名
图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
被引量：
1
1
作者
翟阳
牟文杰
闫大为
杨国锋
蒋敏峰
肖少庆
顾晓峰
机构
物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系
无锡中微掩模电子有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第2期119-123,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61504050)
江苏省自然科学基金资助资助项目(BK20130156
+2 种基金
BK20140168
BK20150158)
2015年度普通高校研究生科研创新计划项目(KYLX15_1195)
文摘
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
关键词
图形化蓝宝石衬底
氮化镓肖特基型紫外探测器
光电特性
热噪声
Keywords
patterned sapphire substrates（PSS）
GaN Schottky UV photodetectors
optoelec tronic performance
thermal noise
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
翟阳
牟文杰
闫大为
杨国锋
蒋敏峰
肖少庆
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
1
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