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GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌被引量：5: 1; 作者薛舫时《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期205-210,共6页; 从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为... 展开更多; 关键词氮化镓异质结场效应管中的电流崩塌沟道中的慢输运电子电子输运过程中的状态转换沟道强场峰的由来射频电流崩塌; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应被引量：3: 2; 作者张志国杨瑞霞 +3 位作者李丽李献杰王勇杨克武《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期50-55,共6页; 从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各... 展开更多; 关键词氮化镓异质结场效应晶体管极化效应二维电子气电流崩塌效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ) 被引量：1: 3; 作者李效白《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页; 从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组... 展开更多; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管二维电子气自发极化压电极化电流崩塌陷阱效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN HFET中的陷阱和局域电子气被引量：8: 4; 作者薛舫时《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期207-216,共10页; 研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 展开更多; 关键词氮化镓异质结场效应管的陷阱外沟道中的能带畸变局域电子气陷阱与局域电子气的相互作用电流崩塌可; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN HFET沟道中的强场峰和背势垒被引量：1: 5; 作者薛舫时《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期203-210,214,共9页; 研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元经典模拟软件计算的结果,发现... 展开更多; 关键词氮化镓异质结场效应晶体管沟道中的强场峰背势垒电流崩塌场板电极短沟道效应源-漏穿通; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlInN三明治势垒GaN HFET 被引量：1: 6; 作者薛舫时孔月婵 +3 位作者董逊周建军李忠辉陈辰《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期421-428,472,共9页; 介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流... 展开更多; 关键词铝铟氮/氮化镓异质结场效应管铝铟氮三明治势垒栅流电流崩塌二维异质结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HFET的优化设计被引量：3: 7; 作者薛舫时《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期163-169,共7页; 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,... 展开更多; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管优化设计势垒层掺杂效率电子气浓度与势垒层厚度乘积表面态无电流崩塌设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN HFET的综合设计被引量：1: 8; 作者薛舫时《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期473-479,共7页; 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 展开更多; 关键词氮化镓异质结场效应管铝镓氮/铝铟氮复合势垒能带剪裁动态电流崩塌模型二维异质结构综合设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌被引量：5: 1; 作者薛舫时; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期205-210,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61076120 61106130); 文摘从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为。沟道中的慢电子是产生射频电流崩塌的真正缘由。运用这一慢电子电流崩塌模型解释了目前用耗尽模型不能解释的大量实验结果。最后提出了通过异质结构优化设计来消除慢电子,解决电流崩塌难题的新途径。; 关键词氮化镓异质结场效应管中的电流崩塌沟道中的慢输运电子电子输运过程中的状态转换沟道强场峰的由来射频电流崩塌; Keywords current collapse in GaN HFET slow transport electrons in channel electron state transformation during transport process origin of electric field peak in channel radio frequency current collapse; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应被引量：3: 2; 作者张志国杨瑞霞李丽李献杰王勇杨克武; 机构河北工业大学信息工程学院中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期50-55,共6页; 基金国家安全重大基础研究973资助项目(51327030201 51327030402); 文摘从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各种抑制电流崩塌的方法进行了比较。; 关键词氮化镓异质结场效应晶体管极化效应二维电子气电流崩塌效应; Keywords GaN HFET polarization effect 2DEG current collapse effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ) 被引量：1: 3; 作者李效白; 机构专用集成电路国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页; 文摘从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管二维电子气自发极化压电极化电流崩塌陷阱效应; Keywords AlGaN/GaN HFET 2DEG spontaneous polarization piezoelectric polarization current collapse trapping effects; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN HFET中的陷阱和局域电子气被引量：8: 4; 作者薛舫时; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期207-216,共10页; 文摘研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰在其两侧产生巨大能带畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。运用这一局域电子气新概念解释了目前实验中观察到的各类陷阱实验,说明目前陷阱研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了从局域电子气研究来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。; 关键词氮化镓异质结场效应管的陷阱外沟道中的能带畸变局域电子气陷阱与局域电子气的相互作用电流崩塌可; Keywords traps in GaN HFET energy band deformation in outer channel localized electron gases interaction between traps and localized electron gases current collapse reliability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN HFET沟道中的强场峰和背势垒被引量：1: 5; 作者薛舫时; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期203-210,214,共9页; 文摘研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元经典模拟软件计算的结果,发现这些理论计算的能带都向缓冲层末端倾斜,电子从沟道阱转移到缓冲层末端,不能用来研究上述课题和进行器件优化设计。提出了新的量子模拟理念,用沟道阱的量子限制解开了上述难题。量子模拟结果解释了上述课题的实验结果及其关联,有望从沟道强场峰和背势垒的相互作用研究中优化设计出高漏压工作的大功率、高效GaN HFET。; 关键词氮化镓异质结场效应晶体管沟道中的强场峰背势垒电流崩塌场板电极短沟道效应源-漏穿通; Keywords GaN HFET peaked electric field back barrier current collapse field plateelectrode short channel effect source-drain punch through; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlInN三明治势垒GaN HFET 被引量：1: 6; 作者薛舫时孔月婵董逊周建军李忠辉陈辰; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期421-428,472,共9页; 文摘介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈。利用AlInN/AlGaN异质界面的大能带带阶和强极化电荷来剪裁能带,设计出新的三明治势垒,满足内、外沟道和欧姆接触势垒的要求。可望消除上述瓶颈,使AlInN势垒GaN HFET付诸实用。; 关键词铝铟氮/氮化镓异质结场效应管铝铟氮三明治势垒栅流电流崩塌二维异质结构; Keywords AlInN/GaN HFET AlInN sandwich barrier gate leakage current current collapse two-dimensional heterostructure; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HFET的优化设计被引量：3: 7; 作者薛舫时; 机构单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期163-169,共7页; 文摘从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,得出了用δ掺杂加薄AlN隔离层的结构,既提高了电子气浓度,又保持电子气的强二维特性。从电子气浓度和栅对电子气的控制力度出发,提出了HFET势垒优化设计中的电子气浓度与势垒层厚度乘积规则。依据二维表面态理论,研究了表面态随帽层掺杂结构的变化。从前述乘积规则和表面态变化出发进行了内、外沟道异质结构的优化设计。优化结构既提高了电子气浓度和跨导,降低了欧姆接触电阻,又抑制了电流崩塌。; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管优化设计势垒层掺杂效率电子气浓度与势垒层厚度乘积表面态无电流崩塌设计; Keywords AlGaN/GaN HFET optimized design doping efficiency in barrier a product of electron density and barrier width surface states heterostructure design for current-collapse-free HFET; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN HFET的综合设计被引量：1: 8; 作者薛舫时; 机构单片集成电路与模块国家级重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期473-479,共7页; 基金创新基金资助项目(JJ0901); 文摘从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合起来实现二维异质结构。用AlGaN/AlInN复合势垒解决了AlInNHFET中的欧姆接触电阻大和沟道不易夹断两大难题。通过能带剪裁和二维异质结构设计完成了包含钝化、场板电极、挖槽、薄势垒欧姆接触、GaN帽层和AlN插入层等方案优点的新综合设计。; 关键词氮化镓异质结场效应管铝镓氮/铝铟氮复合势垒能带剪裁动态电流崩塌模型二维异质结构综合设计; Keywords GaN HFET AlGaN/Al InN compound barrier band tailoring dynamic current collapse model two-dimensional heterostructure synthetic design; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌	薛舫时	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应	张志国杨瑞霞李丽李献杰王勇杨克武	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)	李效白	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaN HFET中的陷阱和局域电子气	薛舫时	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2015	8	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaN HFET沟道中的强场峰和背势垒	薛舫时	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	AlInN三明治势垒GaN HFET	薛舫时孔月婵董逊周建军李忠辉陈辰	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	AlGaN/GaN HFET的优化设计	薛舫时	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2007	3	在线阅读下载PDF 职称材料
8	GaN HFET的综合设计	薛舫时	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料