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氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响被引量：8: 1; 作者秦志新陈志忠 +5 位作者于彤军张昊翔胡晓东杨志坚李忠辉张国义《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期1-4,共4页; 研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使... 展开更多; 关键词氮化镓基发光二极管欧姆接触氧化作用量子阱热退火载流子浓度; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析被引量：2: 2; 作者王美玉朱友华 +3 位作者施敏黄静邓洪海马青兰《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2016年第3期62-65,共4页; 在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了相应的表征实验。通过AFM和XRD等分析手段揭示了器件的结构特性,对器件性能(I-V和EL以及I-L测试)进行了... 展开更多; 关键词氮化镓基发光二极管硅衬底蓝宝石衬底电学特性光学特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

二氧化硅钝化膜提高GaN基LED光提取效率的研究: 3; 作者高芬《工具技术》 2012年第7期80-82,共3页; 介绍了通过二氧化硅增透膜来提高GaN基LED光提取效率,采用等离子体增强气相沉积法(PECVD)制备了二氧化硅钝化膜,经对器件的测试表明,在器件上沉积二氧化硅增透膜能够使器件的出光效率提高28.4%,同时提高了器件的可靠性。; 关键词氮化镓基发光二极管等离子体增强化学气相增强增透膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响被引量：1: 4; 作者农明涛苗振林 +5 位作者梁智勇周佐华蔡炳杰卢国军林传强张宇《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1452-1457,共6页; 以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进Ga... 展开更多; 关键词直流磁控反应溅射氮化铝缓冲层氮化镓基发光二极管金属有机化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响被引量：8: 1; 作者秦志新陈志忠于彤军张昊翔胡晓东杨志坚李忠辉张国义; 机构北京大学物理学院介观物理实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期1-4,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60276010) 国家863计划资助项目(2001AA313060); 文摘研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。; 关键词氮化镓基发光二极管欧姆接触氧化作用量子阱热退火载流子浓度; Keywords GaN-based LED ohmic contact oxidation; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TN141 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析被引量：2: 2; 作者王美玉朱友华施敏黄静邓洪海马青兰; 机构南通大学电子信息学院; 出处《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2016年第3期62-65,共4页; 基金国家自然科学基金面上项目(61475178) 江苏省"六大人才高峰"基金项目(2013-XCL-013) +6 种基金 14ZY003) 南通大学课程项目(JP14022 2014B44 2014B43); 文摘在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了相应的表征实验。通过AFM和XRD等分析手段揭示了器件的结构特性,对器件性能(I-V和EL以及I-L测试)进行了相应的评价。通过分析相关实验数据得出:在电学特性与光学性能两方面,蓝宝石衬底上的LED均优于硅衬底上的LED。; 关键词氮化镓基发光二极管硅衬底蓝宝石衬底电学特性光学特性; Keywords GaN-LEDs silicon substrate sapphire substrate electrical property optical property; 分类号 TN364 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名二氧化硅钝化膜提高GaN基LED光提取效率的研究: 3; 作者高芬; 机构西安工业大学; 出处《工具技术》 2012年第7期80-82,共3页; 基金国家自然科学基金(60972005 61102144) +2 种基金西安工业大学科研创新团队资助项目; 文摘介绍了通过二氧化硅增透膜来提高GaN基LED光提取效率,采用等离子体增强气相沉积法(PECVD)制备了二氧化硅钝化膜,经对器件的测试表明,在器件上沉积二氧化硅增透膜能够使器件的出光效率提高28.4%,同时提高了器件的可靠性。; 关键词氮化镓基发光二极管等离子体增强化学气相增强增透膜; Keywords GaN - LED plasma enhance chemical vapour deposition anti - reflective; 分类号 TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理] TN312 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响被引量：1: 4; 作者农明涛苗振林梁智勇周佐华蔡炳杰卢国军林传强张宇; 机构湘能华磊光电股份有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1452-1457,共6页; 文摘以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进GaN外延的横向生长,减少了形核岛合并时的界面数量和高度差异,降低了缺陷和位错产生的几率。研究结果表明,溅射AlN缓冲层取代传统低温GaN缓冲层后,外延生长的GaN材料具有更高的晶体质量,LED器件在亮度、漏电和抗静电能力等光电特性上均有明显提升。; 关键词直流磁控反应溅射氮化铝缓冲层氮化镓基发光二极管金属有机化学气相沉积; Keywords direct-current reactive magnetron sputtering Al N buffer layer Ga N-based LEDs metal-organic chemical vapor deposition; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响	秦志新陈志忠于彤军张昊翔胡晓东杨志坚李忠辉张国义	《液晶与显示》 CAS CSCD	2004	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析	王美玉朱友华施敏黄静邓洪海马青兰	《实验技术与管理》 CAS 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	二氧化硅钝化膜提高GaN基LED光提取效率的研究	高芬	《工具技术》	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响	农明涛苗振林梁智勇周佐华蔡炳杰卢国军林传强张宇	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料