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锡基金属卤化物钙钛矿:合成、发光性能与LED应用
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作者 黄大誉 刘冬杰 +2 位作者 党佩佩 连洪洲 林君 《发光学报》 北大核心 2025年第4期665-682,共18页
发光二极管是新型显示技术的核心部件,更是新一代信息技术产业之首。钙钛矿发光二极管作为最新兴起的显示技术,具有高色纯度、广色域、加工工艺简单、低成本等优势,是国内外光电器件领域的研究热点。然而,需要使用对环境有害的卤化铅钙... 发光二极管是新型显示技术的核心部件,更是新一代信息技术产业之首。钙钛矿发光二极管作为最新兴起的显示技术,具有高色纯度、广色域、加工工艺简单、低成本等优势,是国内外光电器件领域的研究热点。然而,需要使用对环境有害的卤化铅钙钛矿才能实现高功率转换效率。目前,卤化锡钙钛矿因具有低的激子结合能和良好的电荷载流子迁移率成为最有前途的替代品。由于具有相似的离子半径与价态,锡(Sn)可以部分或完全替换有毒的铅(Pb)来实现卤化铅钙钛矿的低铅化或无毒化;同时,Sn部分或完全替换Pb会产生新的发光性质。尽管锡基金属卤化物钙钛矿在提升光电性能方面取得了较大的进展,但其制备的发光器件参数仍低于铅基卤化物钙钛矿。本文旨在详细综述锡基金属卤化物钙钛矿的合成制备和光电特性方面的研究进展及其面临的挑战,探讨晶体结构与光电性能之间的构效关系,回顾锡基钙钛矿在电致发光器件应用方面的研究进展,主要集中在采取策略来改善锡基钙钛矿材料的薄膜特性,以提高器件性能。该综述为锡基金属卤化物钙钛矿的合成、发光性能与LED应用提供了参考。 展开更多
关键词 金属卤化物钙钛矿 锡基 电致发光器件 发光二极管(led)
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氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术 被引量:1
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作者 罗毅 邵嘉平 +5 位作者 郭文平 韩彦军 胡卉 薛松 孙长征 郝智彪 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第F01期381-385,共5页
通过对氮化镓(Galliumnitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(Highbrightnesslightemittingdiode,HB LED)材料金属有机气相外延(Metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(M... 通过对氮化镓(Galliumnitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(Highbrightnesslightemittingdiode,HB LED)材料金属有机气相外延(Metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiplequantumwells,MQWs)结构,获得了高性能的HB LED外延片材料。高分辨率X射线衍射(HighresolutionX raydiffraction,HR XRD)和变温光致荧光谱(Temperaturedependentphoto luminescencespectra,TD PLSpectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injectiondependentelectroluminescencespectra,ID ELspectra)测量获得:HB LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2mA至120mA变化下蓝移量小于1nm,电致荧光谱的半高全宽值(Fullwidthhalfmaximum,FWHM)在注入电流为20mA时仅为18nm。此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupledplasma,ICP)干法刻蚀技术。考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomicforcemicroscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当。还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 外延生长 干法刻蚀 HB-led MOVPE
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发光二极管调控芽苗菜品质的研究进展
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作者 郭水欢 袁思洁 +4 位作者 郭楠楠 陈贤 樊亚敏 高晗 詹丽娟 《轻工学报》 北大核心 2025年第1期49-57,共9页
芽苗菜正逐渐成为一类具有广阔发展前景和巨大市场潜力的新兴健康植物源食品。发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为一种高效、节能、环保的固态光源,已被广泛应用于芽苗菜的栽培和品质调控。基于芽苗菜的营养价值和LED光照技术,综... 芽苗菜正逐渐成为一类具有广阔发展前景和巨大市场潜力的新兴健康植物源食品。发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为一种高效、节能、环保的固态光源,已被广泛应用于芽苗菜的栽培和品质调控。基于芽苗菜的营养价值和LED光照技术,综述LED光照对芽苗菜色泽(叶绿素、β-胡萝卜素)、营养物质(可溶性糖、可溶性蛋白质)、抗氧化物质(酚类物质、维生素C)及抗氧化活性的调控作用,并解析其调控机制。认为,与同种成熟蔬菜相比,芽苗菜含有更多的β-胡萝卜素、叶绿素、酚类物质、维生素C等生物活性物质,具有更高的营养价值及更强的抗氧化活性。LED能够提供与植物体内光感受器和光合色素(如叶绿素、类胡萝卜素)吸收谱相匹配的最优光波长,对植物生长发育、光合作用、次生代谢产物合成等具有重要促进作用,可实现植物生产效率的最大化。红光、蓝光、红蓝复合光和绿光均能促进芽苗菜中营养物质和抗氧化物质的合成,并提高其抗氧化活性。未来研究将集中在LED光质配比、LED光照协同其他因素、LED光照对采后芽苗菜贮藏保鲜的调控作用及机制等方面,为芽苗菜生产、加工、贮藏保鲜全产业链发展提供理论依据和技术参考。 展开更多
关键词 芽苗菜 发光二极管(led) 品质调控 色泽 营养物质 抗氧化活性
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悬空车轮形氮化镓发光二极管 被引量:1
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作者 朱刚毅 仇国庆 +5 位作者 秦飞飞 刘威 袁佳磊 施政 王永进 徐春祥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1146-1152,共7页
减少器件的界面损耗从而提升其发光性能一直是发光二极管领域一个重要的研究热点。本文采用标准半导体工艺在硅衬底上制备了GaN基车轮形发光器件。采用各向同性湿法蚀刻工艺将器件悬空,比较并研究了悬空对器件的性能,包括光强、半高宽... 减少器件的界面损耗从而提升其发光性能一直是发光二极管领域一个重要的研究热点。本文采用标准半导体工艺在硅衬底上制备了GaN基车轮形发光器件。采用各向同性湿法蚀刻工艺将器件悬空,比较并研究了悬空对器件的性能,包括光强、半高宽、波长漂移、3 dB带宽等的影响。由于减小了光损耗,在悬空结构中腔效应更加明显,器件的电致发光和通信性能得到了提升。本研究对电驱动光源的制备和可见光通信具有重要意义。 展开更多
关键词 发光二极管 氮化镓 车轮形微腔 3 dB带宽
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不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟
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作者 洪图 李书平 康俊勇 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期326-329,共4页
发光二极管(LED)具有诸多优点,被人们看作是下一代照明器件.为了提高LED的光提取效率,使用蒙特卡罗方法,通过计算机编程,模拟了正装GaN基发光二极管芯片出光,分析考察了影响光提取效率的因素.结果表明,光提取效率随着封装材料折射率的... 发光二极管(LED)具有诸多优点,被人们看作是下一代照明器件.为了提高LED的光提取效率,使用蒙特卡罗方法,通过计算机编程,模拟了正装GaN基发光二极管芯片出光,分析考察了影响光提取效率的因素.结果表明,光提取效率随着封装材料折射率的增大而明显提高的现象仅发生在低于透明导电薄膜折射率的区间,过度提高封装材料的折射率对提高光提取效率并非有利;随着蓝宝石衬底厚度的增加,光提取效率曲线迅速上升并趋于平缓;此外,低吸收系数的透明导电薄膜、高反射率的反射镜亦可以显著提高LED光提取效率. 展开更多
关键词 蒙特卡罗方法 光提取效率 发光二极管(led)
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电致发光的完全悬空超薄硅衬底氮化镓基蓝光LED器件的制备与表征 被引量:4
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作者 蒋成伟 沙源清 +2 位作者 袁佳磊 王永进 李欣 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期153-162,共10页
为提升硅衬底氮化镓基LED(发光二极管)器件的光电性能和出光效率,本文提出了一种利用背后工艺实现的悬空薄膜蓝光LED器件。结合光刻工艺、深反应离子刻蚀和电感耦合等离子体反应离子刻蚀的背后工艺,制备了发光区域和大部分正负电极区域... 为提升硅衬底氮化镓基LED(发光二极管)器件的光电性能和出光效率,本文提出了一种利用背后工艺实现的悬空薄膜蓝光LED器件。结合光刻工艺、深反应离子刻蚀和电感耦合等离子体反应离子刻蚀的背后工艺,制备了发光区域和大部分正负电极区域的硅衬底完全掏空,并减薄大部分氮化镓外延层的悬空薄膜LED器件。对悬空薄膜LED器件进行三维形貌表征,发现LED悬空薄膜表面平坦,变形程度小,证明背后工艺很好地解决了氮化镓外延层和硅衬底之间由于应力释放造成的薄膜变形问题。表征了LED器件的电流电压曲线和电致发光光谱等光电特性,对不同结构、不同发光区域尺寸的LED器件进行对比,发现悬空薄膜LED器件的光电性能和出光效率比普通LED器件更优越,且发光区尺寸变化对LED器件性能的影响更明显。在15 V驱动电压下,与普通LED器件相比,发光区直径为80μm的悬空LED器件的电流从4.3 mA提升至23.9 mA。在3 mA电流的驱动下,峰值光强提升了约5倍,而发光区直径为120μm的悬空器件与发光区直径为80μm的悬空器件相比,出光效率提升更为明显。本研究为发展高性能悬空氮化物薄膜LED器件提供了更多可能性。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 悬空薄膜 背后工艺 电致发光
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白色发光二极管用荧光体和氮化镓基板
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《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期74-74,共1页
日本三菱化学(三菱化学)株式会社开发成功比传统产品更接近自然光的高辉度白色发光二极管(LED)用荧光体,并实现了其量产化。另外,该公司还开发了在用于蓝色激光二极管(蓝色LD)和蓝色LED的均质中没有结晶缺陷的氮化镓(GaN)基... 日本三菱化学(三菱化学)株式会社开发成功比传统产品更接近自然光的高辉度白色发光二极管(LED)用荧光体,并实现了其量产化。另外,该公司还开发了在用于蓝色激光二极管(蓝色LD)和蓝色LED的均质中没有结晶缺陷的氮化镓(GaN)基板。所开发的高品质均质结晶的GaN基板改善了元件的功能,并可提高元件收率。该公司从2005年4月开始在茨城县牛久市的筑波事业所(筑波事桨所)开始进行白色LED用荧光体和GaN基板的正式生产。 展开更多
关键词 白色发光二极管 荧光体 氮化镓 基板 发光二极管(led) 蓝色激光二极管 蓝色led 三菱化学 白色led
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氮化镓发光二级管蓝光转换材料的合成和发光性质 被引量:6
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作者 姚光庆 冯艳娥 +1 位作者 段洁菲 林建华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期226-229,共4页
合成了Ce3+掺杂的稀土石榴石结构复合氧化物体系(Y1-xGdx)3Al5O12、(Y1-xLux)3Al5O12、(Y1-xLax)3Al5O12、(Y1-xYbx)3Al5O12和(Y1-xTbx)3Al5O12.重点研究了(Y1-xGdx)3Al5O12:Ce3+和(Y1-xLux)3Al5O12:Ce3+两个体系的晶体结构和发光性质.... 合成了Ce3+掺杂的稀土石榴石结构复合氧化物体系(Y1-xGdx)3Al5O12、(Y1-xLux)3Al5O12、(Y1-xLax)3Al5O12、(Y1-xYbx)3Al5O12和(Y1-xTbx)3Al5O12.重点研究了(Y1-xGdx)3Al5O12:Ce3+和(Y1-xLux)3Al5O12:Ce3+两个体系的晶体结构和发光性质.这些体系都具有立方石榴石结构.(Y1-xGdx)3Al5O12:Ce3+体系随Gd取代Y,晶胞参数略有增加.荧光光谱的发射波长随Gd浓度增加发生红移,当x=0.5时发射波长达到最大值(560nm),并不再随Gd含量增加而变化.(Y1-xLux)3Al5O12:Ce3+的晶胞参数随Lu取代Y而减小,但均保持了立方石榴石结构.荧光光谱的发射波长随Lu3+的增加向短波方向移动,Lu3Al5O12:Ce3+的发射波长的峰值为520nm,体系的蓝移量是20nm.利用分离发光中心的位形坐标模型对波长的移动作了定性解释.这两个体系的发射波长的可调节特性,对改善与氮化镓发光二极管(LED)匹配的蓝光转换材料的色坐标、色温等显色性质具有重要意义. 展开更多
关键词 氮化镓发光二极管(led) 蓝光转换材料 稀土石榴石 发光 蓝移 红移 位形坐标
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氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究 被引量:5
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作者 张书明 杨辉 +7 位作者 段俐宏 王海 李秉成 王胜国 吴启保 章裕中 胡德进 张双益 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期44-47,共4页
氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上... 氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上市销售。 展开更多
关键词 氮化镓 led 产业化 发光二极管 绿光 蓝光 工艺技术 中国科学院半导体研究所 深圳市方大国科光电技术公司
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发光二极管(LED)红蓝光照对不同水稻品种秧苗素质的影响 被引量:7
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作者 王国莉 宋冠华 +1 位作者 黄素杏 朱晓霞 《河南农业科学》 CSCD 北大核心 2014年第10期6-10,共5页
为探讨水稻育秧的光需求规律,促进水稻工厂化育秧的开展,以合丰和黄秀2个水稻品种为材料,研究了发光二极管(LED)红蓝单色光照对水稻秧苗素质的影响。结果表明,LED红蓝单色光长时间照射水稻秧苗,会影响秧苗的正常生长,导致秧苗素质较对照... 为探讨水稻育秧的光需求规律,促进水稻工厂化育秧的开展,以合丰和黄秀2个水稻品种为材料,研究了发光二极管(LED)红蓝单色光照对水稻秧苗素质的影响。结果表明,LED红蓝单色光长时间照射水稻秧苗,会影响秧苗的正常生长,导致秧苗素质较对照(普通荧光灯)下降。与红光处理相比,蓝光处理的水稻秧苗的光合色素含量下降较快,但使体内叶绿素a和类胡萝卜素含量维持在较高水平。蓝光处理抑制水稻秧苗的伸长生长,根长、株高都低于红光处理,却可以增加秧苗根数、茎粗,增加干物质积累,使壮苗指数等秧苗素质指标优于红光处理。这说明红蓝单色LED光源不能作为独立光源用于水稻工厂化育秧。 展开更多
关键词 发光二极管(led) 红蓝光 水稻 秧苗素质
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超薄氮化镓基LED悬空薄膜的制备及表征 被引量:5
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作者 李欣 沙源清 +1 位作者 蒋成伟 王永进 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期873-883,共11页
为了便于导出LED有源层的出射光,本文研究了亚微米厚度LED悬空薄膜的工艺实现、形貌表征和光学性能表征。采用光刻工艺、深反应离子刻蚀技术和快速原子束刻蚀技术相结合的背后工艺,实现了基于硅基氮化镓晶圆的超薄氮化镓基LED悬空薄膜... 为了便于导出LED有源层的出射光,本文研究了亚微米厚度LED悬空薄膜的工艺实现、形貌表征和光学性能表征。采用光刻工艺、深反应离子刻蚀技术和快速原子束刻蚀技术相结合的背后工艺,实现了基于硅基氮化镓晶圆的超薄氮化镓基LED悬空薄膜器件。本文利用白光干涉仪观察制备的超薄LED悬空薄膜的变形程度,发现薄膜变形大小与薄膜直径呈正相关,而与薄膜厚度呈负相关。薄膜变形大小低至纳米级,并且为中央凸起边缘平滑的拱形变形。通过反射谱测试发现未经加工的硅基氮化镓晶圆的反射模式数较多,而LED悬空薄膜的反射模式数大幅度减少,且反射谱整体光强明显提高。在光致发光测试中,发现由于应力释放,悬空薄膜的出射光峰值较硅基氮化镓晶圆出现了8.2 nm的蓝移,并且从背面也可以探测到移除了大部分外延层的超薄LED悬空薄膜有明显的出射光。这表明悬空薄膜在光致发光情况下更有利于导出发射光。本研究工作实现了厚度小、面积大、总体变形程度小、光学性能优良的LED悬空薄膜,为氮化镓基LED器件在光微机电领域的应用开辟了新的途径。 展开更多
关键词 氮化镓 悬空薄膜 led 反射谱 光致发光
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柔性白光有机发光二极管的研究进展 被引量:2
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作者 周钰卜 潘钰宇 +4 位作者 何国晖 林嘉诚 刘士瑀 郑华 刘佰全 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期397-416,共20页
作为新一代自发光显示器件,有机发光二极管(OLED)已经逐渐开始商业化。柔性白光技术是未来显示和照明市场不可或缺的组成部分,因此柔性白光OLED(FWOLED)的开发必要且迫切。首先介绍了FWOLED的基本概念,总结了实现柔性白光器件的五个重... 作为新一代自发光显示器件,有机发光二极管(OLED)已经逐渐开始商业化。柔性白光技术是未来显示和照明市场不可或缺的组成部分,因此柔性白光OLED(FWOLED)的开发必要且迫切。首先介绍了FWOLED的基本概念,总结了实现柔性白光器件的五个重要因素,包括柔性衬底、导电电极、器件结构、光取出技术和柔性封装;随后分类概括了各种FWOLED的实现策略,包括荧光、磷光、延迟荧光、混合型FWOLED;接着综述了其他类型的柔性白光自发光技术器件,如柔性白光量子点发光二极管(QLED)、柔性白光钙钛矿LED(PeLED)和柔性白光胶体量子阱LED(CQW⁃LED);最后,对FWOLED的未来发展进行了总结和展望。 展开更多
关键词 发光二极管(led) 有机 白光 柔性 发光技术
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具有双层空穴传输层的高亮度QLED 被引量:1
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作者 方文惠 阮钰菁 +3 位作者 廖靖妍 罗东向 郑华 刘佰全 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期435-442,共8页
量子点发光二极管(QLED)凭借其高效率、高稳定性以及优异的色纯度,在显示与照明领域备受关注,但QLED在电荷注入平衡方面仍面临挑战。探讨了不同单层空穴传输层(HTL)及双层HTL结构对QLED性能的影响,并揭示其发光机理。通过结合4,4’,4”-... 量子点发光二极管(QLED)凭借其高效率、高稳定性以及优异的色纯度,在显示与照明领域备受关注,但QLED在电荷注入平衡方面仍面临挑战。探讨了不同单层空穴传输层(HTL)及双层HTL结构对QLED性能的影响,并揭示其发光机理。通过结合4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的电子阻挡能力与4,4’-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)的高空穴传输能力设计出双层HTL,相应器件具有显著的性能优势。优化后的绿色QLED在7 V电压下实现了高达115929 cd/m^(2)的亮度,展现出巨大的应用潜力。进一步通过Silvaco仿真验证了器件的发光机理,结果表明双层HTL形成了阶梯式的能级结构,有效降低了空穴注入势垒,并抑制电子泄漏,从而实现了电荷平衡的优化。本研究为开发高性能的QLED提供了一种有效的方法。 展开更多
关键词 发光二极管(led) 量子点(QD) 电荷平衡 高亮度 空穴传输层(HTL)
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光谱补偿下白光LED系统的色温模型及调光控制
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作者 沈雪华 陈焕庭 +2 位作者 石为人 吴芮 叶选成 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第7期88-97,共10页
荧光型白光LED的光谱结构相对固定,蓝光成分偏多、红光和绿光成分偏少,相关色温不易调整且普遍较高,同时显色特性亦存在不足。针对荧光型白光LED,通过光谱补偿的方式构建了可调白光LED系统,提高了光谱在可见光范围内的连续性和均匀性,... 荧光型白光LED的光谱结构相对固定,蓝光成分偏多、红光和绿光成分偏少,相关色温不易调整且普遍较高,同时显色特性亦存在不足。针对荧光型白光LED,通过光谱补偿的方式构建了可调白光LED系统,提高了光谱在可见光范围内的连续性和均匀性,在实现混合光谱相关色温可调的同时改善了显色特性。结合LED器件的光电热特性分析,建立了混合光谱相关色温的非线性关系模型,可根据系统的电驱动状态快速预测混合光谱的相关色温,并可针对目标色温进行反向的驱动控制。经实验验证,所建立的非线性关系模型能够准确预测混合光谱的相关色温,误差不超过4.5%。而在针对目标色温的调光控制方面,混合光谱相关色温的调节误差不超过1.5%,且显色指数的提升率均超过5%,最高达到18.51%。由此表明,对荧光型白光LED进行光谱补偿可以有效改善光谱结构,实现高显色特性下的调光控制,提高照明品质和适用性。 展开更多
关键词 发光二极管 led照明光源 光谱补偿 动态照明
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发光二极管(LED)在照明设备中的应用前景 被引量:1
15
作者 李兵 张滨雁 《现代科技译丛(哈尔滨)》 1999年第6期3-4,共2页
关键词 发光二极管 led 照明设备 应用
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提高发光率的氮化镓结晶生长技术
16
《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期72-73,共2页
日本神奈川科学技术学会(KAST)的藤冈洋课题组长(东京大学生产技术研究所教授)成功开发了使高品质氮化镓结晶在氧化锌基板上生长的技术,该技术是通过利用原子水平的基板平坦化技术和室温结晶生长技术而实现的。据此,预期氮化镓发... 日本神奈川科学技术学会(KAST)的藤冈洋课题组长(东京大学生产技术研究所教授)成功开发了使高品质氮化镓结晶在氧化锌基板上生长的技术,该技术是通过利用原子水平的基板平坦化技术和室温结晶生长技术而实现的。据此,预期氮化镓发光元件的发光率将大幅提高,进而实现使用发光二极管(LED)的半导体照明的实用化。 展开更多
关键词 生长技术 氮化镓 发光 结晶 发光二极管(led) 半导体照明 成功开发 生产技术 东京大学
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氮化镓基金属基板蓝光LED变温变电流性能
17
作者 汪延明 周智斌 +4 位作者 廖富达 何鹏 周波 苗振林 季辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S02期48-51,共4页
本工作将c面蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜通过电镀及激光剥离的方法转移到金属基板上,并经过芯片制造获得垂直结构的LED发光器件,测试了该器件的变温变电流特性。结果表明:本样品具有良好的变温变电流性能,本研究将之归结于良好的晶... 本工作将c面蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜通过电镀及激光剥离的方法转移到金属基板上,并经过芯片制造获得垂直结构的LED发光器件,测试了该器件的变温变电流特性。结果表明:本样品具有良好的变温变电流性能,本研究将之归结于良好的晶体质量、金属基板良好的热导率及较合理的外延结构。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 温度 电流 金属基板
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氮化镓植于石墨烯可制成弯曲LED材料
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期675-675,共1页
目前,许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度,易于改变形状。与此同时,不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因,二者却很难优势互补,功能优异的无机化合物半导体也... 目前,许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度,易于改变形状。与此同时,不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因,二者却很难优势互补,功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。幸好,氮化镓与石墨烯的结合,部分实现了强强联合这一理想目标,一种能"变形"的发光二极管(LED)材料已经诞生。据物理学家组织网近日报道, 展开更多
关键词 石墨烯 氮化镓 led 机械元件 有机材料 发光二极管 首尔大学 技术原因 光电子材料 柔韧度
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第二届超高亮度发光二极管(LED)和半导体照明产业发展与应用论坛征文启事
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《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期341-341,共1页
半导体照明技术将使照明光源发生巨大变革,世界照明史正在翻开新的一页。面对超高亮度发光二极管市场的巨大需求与商机,我国政府相关部委积极引导推动,反响巨大。企业团体积极应对,成绩斐然。
关键词 超高亮度发光二极管 半导体照明技术 发光二极管(led) 发展与应用 第二届 征文 论坛 产业 照明光源
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第二届超高亮度发光二极管(LED)和半导体照明产业发展与应用论坛征文启事
20
《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期455-455,共1页
关键词 高亮度发光二极管 led 半导体 照明产业
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