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5米S-SAR卫星固态有源馈电网络设计与实现: 1; 作者赵海洋吕慎刚 +2 位作者李阳斌刘洪斌郑新《航天器工程》北大核心 2025年第3期103-110,共8页; 针对5米S频段合成孔径雷达(S-SAR)卫星对有源馈电系统提出的高功率、高效率、高可靠性及多极化等应用需求,文章设计了一种固态有源馈电网络,采用相控阵馈源体制,在原集中式馈电系统的基础上,引入相控阵的设计理念,通过收发(T/R)组件、... 展开更多; 关键词 5米S频段合成孔径雷达卫星固态有源馈电网络 T/R组件氮化镓化合物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型紫外光源研制成功被引量：6: 2; 作者江风益熊传兵 +9 位作者彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期30-30,共1页; 以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 ... 展开更多; 关键词发光二极管紫外光源氮化镓半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究: 3; 作者王立李述体 +3 位作者彭学新熊传兵李鹏江凤益《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期213-217,共5页; 采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情... 展开更多; 关键词 MOCVD 卢瑟福背散射/沟道技术光致发光 LnGaN薄膜铟镓氮化合物有机源载气薄膜生长 GAN 氮化镓半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

机载有源相控阵火控雷达的新进展及发展趋势被引量：26: 4; 作者贲德《现代雷达》 CSCD 北大核心 2008年第1期1-4,共4页; 回顾了有源相控阵火控雷达的发展历史,介绍了从1964年开始,国内历经30余年研制成功实用的机载有源相控阵火控雷达。机载相控阵技术的突破,引发了多种型号战斗机的火控雷达升级换代。讨论了有源相控阵体制雷达的卓越性能及未来将要采用... 展开更多; 关键词有源相控阵 T/R组件宽禁带半导体材料氮化镓、碳化硅和铝镓氮微电子机械系统; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名5米S-SAR卫星固态有源馈电网络设计与实现: 1; 作者赵海洋吕慎刚李阳斌刘洪斌郑新; 机构南京电子技术研究所; 出处《航天器工程》北大核心 2025年第3期103-110,共8页; 文摘针对5米S频段合成孔径雷达(S-SAR)卫星对有源馈电系统提出的高功率、高效率、高可靠性及多极化等应用需求,文章设计了一种固态有源馈电网络,采用相控阵馈源体制,在原集中式馈电系统的基础上,引入相控阵的设计理念,通过收发(T/R)组件、波束控制单元等来实现射频大功率有源馈电和多极化工作模式。通过对氮化镓(GaN)化合物半导体高功率器件的应用,实现了馈电系统的高功率、高效率和高可靠性等性能指标要求。通过机热一体化设计,形成了一种具有良好力学性能和热学性能的固态有源馈电网络系统。项目完成了规定的环境试验考核,并提交5米S-SAR卫星装星应用验证,结果表明:该固态有源馈电网络满足卫星的使用要求。; 关键词 5米S频段合成孔径雷达卫星固态有源馈电网络 T/R组件氮化镓化合物半导体; Keywords 5m S-SAR satellite solid-state active feed network T/R module GaN compound semiconductor; 分类号 TN73 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型紫外光源研制成功被引量：6: 2; 作者江风益熊传兵彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初; 机构南昌大学材料科学研究所南昌; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期30-30,共1页; 文摘以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。; 关键词发光二极管紫外光源氮化镓半导体材料; 分类号 TN310.423 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究: 3; 作者王立李述体彭学新熊传兵李鹏江凤益; 机构南昌大学材料科学研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期213-217,共5页; 基金国家"8 6 3"新材料领域 ( 715 -0 0 1-0 0 12 ) 国家自然科学基金 ( 6 96 76 0 19) 江西省跨世纪人才; 文摘采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情况下 ,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大。生长温度为 76 0℃时 ,以 70ml/min的N2 作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为 0 10 ,生长速率为 6 0nm/min ;而以 70ml/min的H2 作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为 0 0 6 ,生长速率为10 6nm/min。本文首次报导了载气中含有少量H2 能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。; 关键词 MOCVD 卢瑟福背散射/沟道技术光致发光 LnGaN薄膜铟镓氮化合物有机源载气薄膜生长 GAN 氮化镓半导体; Keywords MOCVD InGaN Rutherford backscattering and ion channeling photoluminescence; 分类号 TN304.205 [电子电信—物理电子学] O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名机载有源相控阵火控雷达的新进展及发展趋势被引量：26: 4; 作者贲德; 机构南京电子技术研究所; 出处《现代雷达》 CSCD 北大核心 2008年第1期1-4,共4页; 文摘回顾了有源相控阵火控雷达的发展历史,介绍了从1964年开始,国内历经30余年研制成功实用的机载有源相控阵火控雷达。机载相控阵技术的突破,引发了多种型号战斗机的火控雷达升级换代。讨论了有源相控阵体制雷达的卓越性能及未来将要采用的新技术、新材料、新器件,以满足对机载火控雷达更新更高的要求。; 关键词有源相控阵 T/R组件宽禁带半导体材料氮化镓、碳化硅和铝镓氮微电子机械系统; Keywords AESA T/R element wide-gap semi-conductor GaN Sic & AlGaN MEMS; 分类号 E933.6 [军事—军事装备学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	5米S-SAR卫星固态有源馈电网络设计与实现	赵海洋吕慎刚李阳斌刘洪斌郑新	《航天器工程》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	新型紫外光源研制成功	江风益熊传兵彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初	《材料导报》 EI CAS CSCD	2001	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究	王立李述体彭学新熊传兵李鹏江凤益	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	机载有源相控阵火控雷达的新进展及发展趋势	贲德	《现代雷达》 CSCD 北大核心	2008	26	在线阅读下载PDF 职称材料