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S波段GaN高功率前端组件设计与实现
1
作者
张兆华
孟伟
+1 位作者
刘登宝
王珂珂
《微波学报》
北大核心
2025年第3期88-91,98,共5页
远程探测相控阵雷达等武器装备对收发组件提出了数字化、高功率、模块化、高集成的技术需求。本文针对高功率前端收发组件大电流传输通路的小压降及氮化镓(GaN)高功率器件的低热阻装配需求,采用先进纳米银烧结工艺、高介电常数基板制造...
远程探测相控阵雷达等武器装备对收发组件提出了数字化、高功率、模块化、高集成的技术需求。本文针对高功率前端收发组件大电流传输通路的小压降及氮化镓(GaN)高功率器件的低热阻装配需求,采用先进纳米银烧结工艺、高介电常数基板制造技术及高集成微组装等工艺技术,满足了高功率组件大电流传输中的小压降、GaN管芯内匹配电路的小型化、高温环境下高效散热等需求,基于GaN高功率管芯研制了一款S波段高功率高集成的前端收发组件,该组件的输出功率大于500 W、发射附加效率大于52%、功率器件供电通路上的大电流压降小于0.25 V@20 A、接收增益大于23 dB、噪声系数小于2.2、体积为63.5 mm×30 mm×10 mm、质量≤35 g,具有重要的应用价值。
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关键词
射频前端
氮化
镓高电子迁移率晶体管
内匹配
纳米银
烧
结
氮化铝高温共烧陶瓷
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职称材料
题名
S波段GaN高功率前端组件设计与实现
1
作者
张兆华
孟伟
刘登宝
王珂珂
机构
南京电子技术研究所
出处
《微波学报》
北大核心
2025年第3期88-91,98,共5页
基金
中国电子科技集团创新基金。
文摘
远程探测相控阵雷达等武器装备对收发组件提出了数字化、高功率、模块化、高集成的技术需求。本文针对高功率前端收发组件大电流传输通路的小压降及氮化镓(GaN)高功率器件的低热阻装配需求,采用先进纳米银烧结工艺、高介电常数基板制造技术及高集成微组装等工艺技术,满足了高功率组件大电流传输中的小压降、GaN管芯内匹配电路的小型化、高温环境下高效散热等需求,基于GaN高功率管芯研制了一款S波段高功率高集成的前端收发组件,该组件的输出功率大于500 W、发射附加效率大于52%、功率器件供电通路上的大电流压降小于0.25 V@20 A、接收增益大于23 dB、噪声系数小于2.2、体积为63.5 mm×30 mm×10 mm、质量≤35 g,具有重要的应用价值。
关键词
射频前端
氮化
镓高电子迁移率晶体管
内匹配
纳米银
烧
结
氮化铝高温共烧陶瓷
Keywords
radio frequency front-end module
gallium nitride high electron mobility transistor
internal matching
nano-silver sintering
aluminum nitride high-temperature cofired ceramic
分类号
TN958.92 [电子电信—信号与信息处理]
TN957.51 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
S波段GaN高功率前端组件设计与实现
张兆华
孟伟
刘登宝
王珂珂
《微波学报》
北大核心
2025
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