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FBAR用氮化铝压电薄膜研究
被引量:
4
1
作者
陈运祥
董加和
+5 位作者
司美菊
李洪平
赵雪梅
张永川
于新晓
刘善群
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期934-936,共3页
介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,...
介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100^+100 MPa及-150^+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。
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关键词
氮化铝压电薄膜
膜厚均匀性
薄膜
应力
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职称材料
复合氮化铝压电薄膜研制及其应用
2
作者
陈运祥
赵雪梅
+5 位作者
郑泽渔
陶毅
伍平
田亚睿
张永川
许东辉
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第5期628-630,共3页
采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射...
采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。
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关键词
复合
氮化铝压电薄膜
Ku及K波段声体波微波延迟线(BAWDL)
低插损
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职称材料
AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
被引量:
1
3
作者
胡宽
顾豪爽
+3 位作者
张凯
胡光
吴小鹏
熊娟
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期735-737,共3页
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐...
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构;器件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对器件频率特性的影响,分析了其中的机制。
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关键词
薄膜
腔声谐振器
氮化铝压电薄膜
频率特性
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职称材料
硅基AlN MEMS振动能量收集器实验设计
被引量:
2
4
作者
尚正国
李东玲
佘引
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2018年第7期113-116,共4页
设计了基于压电效应的硅基AlN MEMS(微机械系统)振动能量收集器实验。从实践教学的角度,全面系统地介绍了能量收集器的基本原理、AlN压电薄膜的制备、能量收集器兼容加工工艺流程的设计及优化到原理样机的研制及性能测试,为解决目前传...
设计了基于压电效应的硅基AlN MEMS(微机械系统)振动能量收集器实验。从实践教学的角度,全面系统地介绍了能量收集器的基本原理、AlN压电薄膜的制备、能量收集器兼容加工工艺流程的设计及优化到原理样机的研制及性能测试,为解决目前传统电源无法满足无线传感网络节点供能的瓶颈问题提供了有效的途径。同时,该实验的成功开展对于仪器科学与技术以及微电子学专业硕士及博士研究生的培养起到了积极的促进的作用。
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关键词
微能源
压电
效应
氮化铝压电薄膜
实践教学
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职称材料
题名
FBAR用氮化铝压电薄膜研究
被引量:
4
1
作者
陈运祥
董加和
司美菊
李洪平
赵雪梅
张永川
于新晓
刘善群
机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期934-936,共3页
基金
国家重点研究基金资助项目
文摘
介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100^+100 MPa及-150^+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。
关键词
氮化铝压电薄膜
膜厚均匀性
薄膜
应力
Keywords
piezoelectric AlN thin films
uniformity of thin films thickness
stress of thin films
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
复合氮化铝压电薄膜研制及其应用
2
作者
陈运祥
赵雪梅
郑泽渔
陶毅
伍平
田亚睿
张永川
许东辉
机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第5期628-630,共3页
文摘
采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。
关键词
复合
氮化铝压电薄膜
Ku及K波段声体波微波延迟线(BAWDL)
低插损
Keywords
composite piezoelectric AlN thin films
Ku and K band BAWDL
low insertion loss
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
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职称材料
题名
AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
被引量:
1
3
作者
胡宽
顾豪爽
张凯
胡光
吴小鹏
熊娟
机构
湖北大学物理学与电子技术学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期735-737,共3页
基金
武汉市科技攻关计划资助项目(20061002073).
文摘
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构;器件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对器件频率特性的影响,分析了其中的机制。
关键词
薄膜
腔声谐振器
氮化铝压电薄膜
频率特性
Keywords
film bulk acoustic resonator (FBAR)
aluminum nitride piezoelectric thin film
frequency responsecharacteristic
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
硅基AlN MEMS振动能量收集器实验设计
被引量:
2
4
作者
尚正国
李东玲
佘引
机构
重庆大学光电工程学院
出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2018年第7期113-116,共4页
基金
国家863计划项目(2015AA042603)
中央高校基本科研项目(106112017CDJXY120006)
文摘
设计了基于压电效应的硅基AlN MEMS(微机械系统)振动能量收集器实验。从实践教学的角度,全面系统地介绍了能量收集器的基本原理、AlN压电薄膜的制备、能量收集器兼容加工工艺流程的设计及优化到原理样机的研制及性能测试,为解决目前传统电源无法满足无线传感网络节点供能的瓶颈问题提供了有效的途径。同时,该实验的成功开展对于仪器科学与技术以及微电子学专业硕士及博士研究生的培养起到了积极的促进的作用。
关键词
微能源
压电
效应
氮化铝压电薄膜
实践教学
Keywords
micro energy
piezoelectric effect
AlN piezoelectric thin film
practical teaching
分类号
TM919 [电气工程—电力电子与电力传动]
G484 [文化科学—教育技术学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
FBAR用氮化铝压电薄膜研究
陈运祥
董加和
司美菊
李洪平
赵雪梅
张永川
于新晓
刘善群
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
复合氮化铝压电薄膜研制及其应用
陈运祥
赵雪梅
郑泽渔
陶毅
伍平
田亚睿
张永川
许东辉
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
胡宽
顾豪爽
张凯
胡光
吴小鹏
熊娟
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
硅基AlN MEMS振动能量收集器实验设计
尚正国
李东玲
佘引
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2018
2
在线阅读
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职称材料
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