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用于晶体生长的氮化铝保温材料的研究 被引量：8
1
作者 武红磊 郑瑞生 孟姝 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期761-766,共6页
在不添加任何添加剂的情况下,采用氮化铝粉体作高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料。实验结果表明:氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。与目前常用... 在不添加任何添加剂的情况下,采用氮化铝粉体作高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料。实验结果表明:氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。与目前常用的石墨保温材料相比较,氮化铝存在热导率相对较高、在高温过程中会少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策,以消除其不利影响。 展开更多
关键词 氮化铝 石墨 晶体 保温
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氮化铝晶体的生长惯习面和晶体形态 被引量：9
2
作者 傅仁利 赵宇龙 周和平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期310-315,共6页
本文采用氧化铝碳热还原方法制备出了多种形态的氮化铝单晶 (晶须 )。通过透射电子显微镜电子衍射和X射线单晶衍射分析 ,确定了氮化铝单晶常见的生长惯习面 ,并分析和讨论了氮化铝晶须形态与氮化铝晶体结构与生长惯习面的关系。具有规... 本文采用氧化铝碳热还原方法制备出了多种形态的氮化铝单晶 (晶须 )。通过透射电子显微镜电子衍射和X射线单晶衍射分析 ,确定了氮化铝单晶常见的生长惯习面 ,并分析和讨论了氮化铝晶须形态与氮化铝晶体结构与生长惯习面的关系。具有规则六棱柱锥形的AlN晶须的生长取向为 [0 0 0 1]晶向 ,而叶片状和四方截面形状的AlN晶须则大多沿〈2 1- 1- 3- 〉晶向进行生长 ,细小的薄片状AlN晶须则多以 { 10 1- 0 }面和 { 10 1- 1}面为生长面。 展开更多
关键词 氮化铝 晶体 生长惯习面 晶体形态 碳热还原方法 晶须
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温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响 被引量：5
3
作者 武红磊 郑瑞生 +2 位作者 闫征 李萌萌 郑伟 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2012年第6期487-491,共5页
研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面... 研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析. 展开更多
关键词 半导体材料 氮化铝 升华法 非极化 温度场 晶体生长
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坩埚预处理技术在氮化铝晶体生长工艺中的应用 被引量：3
4
作者 武红磊 郑瑞生 +4 位作者 孙秀明 罗飞 杨帆 刘文 敬守勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1359-1362,共4页
在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一。实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层,可以有效地解决高温下钨坩埚体... 在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一。实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层,可以有效地解决高温下钨坩埚体与盖相粘结的问题,大大提高了坩埚的使用寿命。使用经过预处理的钨坩埚,用物理气相法生长出0.8mm×1.5mm氮化铝单晶体和36mm×5mm氮化铝多晶片。 展开更多
关键词 氮化铝晶体 物理气相传输 坩埚
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升华法生长氮化铝晶体的热场分析 被引量：2
5
作者 武红磊 郑瑞生 +3 位作者 李萌萌 闫征 郑伟 徐百胜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2275-2279,共5页
本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温... 本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低。通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场。 展开更多
关键词 升华 温度场 氮化铝晶体 有限元
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改进的升华法制备氮化铝单晶体(英文)
6
作者 孙秀明 郑瑞生 +3 位作者 鲁枫 武红磊 刘文 敬守勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1160-1165,共6页
采用改进的升华法在氮气环境下制备氮化铝单晶体。通过优化实验条件制备出了六角形的高质量的氮化铝单晶体。实验发现,在坩埚的不同区域得到的氮化铝晶体的大小和形态有所不同。讨论了温度梯度对氮化铝晶体尺寸大小和形态的影响。
关键词 升华法 氮化铝单晶体 晶体形态
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声速对硅基氮化铝复合声子晶体带隙影响
7
作者 李敬 李传宇 +2 位作者 李金泽 张芷齐 周连群 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第5期685-689,共5页
该文基于布喇格散射机理,采用有限元仿真技术重点研究材料声速对二维AlN/B/Si复合声子结构体带隙特性的影响。首先以Mo作为B层,逐次分析AlN、AlN/Mo、AlN/Mo/Si出现最大带隙宽度时,AlN、Mo、Si各层厚度的最优值;然后分别选取具有声速梯... 该文基于布喇格散射机理,采用有限元仿真技术重点研究材料声速对二维AlN/B/Si复合声子结构体带隙特性的影响。首先以Mo作为B层,逐次分析AlN、AlN/Mo、AlN/Mo/Si出现最大带隙宽度时,AlN、Mo、Si各层厚度的最优值;然后分别选取具有声速梯度的材料作为B层,研究B材料声速对复合声子晶体带隙宽度变化率的影响。结果表明,当B层与Si、AlN的声速差值小于3 000 m/s时,B层厚度的变化引起复合声子晶体带隙宽度变化率低于25%,而B层与Si、AlN的声速差值越大,改变B层厚度会造成带隙宽度变化率越大,最高可达100%。 展开更多
关键词 复合声子晶体 带隙宽度 声速 氮化铝 布喇格散射
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不同能量离子束辅助淀积合成氮化铝薄膜的研究 被引量：2
8
作者 杨杰 王晨 +1 位作者 陶琨 范玉殿 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期316-320,共5页
用不同轰击能量的氮离子束辅助淀积(IBAD)铝,合成氮化铝薄膜.通过 X 射线衍射(XRD)、X光电子谱(XPS)、离子背散射(RBS)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对所合成的薄膜进行了成份分布和结构分析.实验表明,在氮离... 用不同轰击能量的氮离子束辅助淀积(IBAD)铝,合成氮化铝薄膜.通过 X 射线衍射(XRD)、X光电子谱(XPS)、离子背散射(RBS)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对所合成的薄膜进行了成份分布和结构分析.实验表明,在氮离子束轰击能量为5keV 和15keV 时,得到的是 Al-AlN 薄膜,随着轰击能量的增加,未参加化学反应的 Al 原子含量下降.当用20keV 氮化离子束轰击时,得到了具有氮铝原子比为1∶1的多晶 AlN 薄膜.离子束混合及离子束引起的增强扩散效应被认为是形成多晶随机取向 AlN 薄膜的主要原因. 展开更多
关键词 氮化铝 薄膜 离子束 淀积 晶体
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氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文) 被引量：5
9
作者 郑瑞生 武红磊 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2010年第4期433-439,共7页
评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺... 评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面. 展开更多
关键词 半导体材料 晶体生长 氮化铝 单晶体 宽禁带半导体 物理气相沉积
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氮化铝陶瓷的超精密加工研究现状与发展趋势 被引量：8
10
作者 潘飞 王建彬 +2 位作者 徐慧敏 姚金结 王巧玉 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2023年第2期208-216,共9页
用于新型半导体材料的氮化铝陶瓷,具有热导率高、与硅相匹配的热膨胀系数、介电性能优异(低介电常数,低介质损耗)、机械性能好、无毒性、光传输速度快等特性,是目前制备高性能陶瓷基板和封装的理想材料。综述了氮化铝的基本结构和性能特... 用于新型半导体材料的氮化铝陶瓷,具有热导率高、与硅相匹配的热膨胀系数、介电性能优异(低介电常数,低介质损耗)、机械性能好、无毒性、光传输速度快等特性,是目前制备高性能陶瓷基板和封装的理想材料。综述了氮化铝的基本结构和性能特点,阐述了目前氮化铝陶瓷材料应用领域以及应用前景,详细叙述了国内外超精密加工的研究现状,总结了化学机械抛光、磁流变抛光、ELID磨削、等离子辅助抛光等纳米级别的光滑表面加工方法,并对氮化铝陶瓷精密加工的未来发展方向提出了展望。 展开更多
关键词 氮化铝陶瓷 晶体结构 超精密加工
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氮化铝陶瓷基片的集群磁流变效应研磨加工 被引量：1
11
作者 白振伟 周旭光 +1 位作者 刘俊龙 阎秋生 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2012年第3期18-23,共6页
采用集群磁流变效应研磨加工方法对氮化铝(AlN)陶瓷基片进行研磨加工,系统地分析了主要工艺参数的影响和最终经过精密研磨后的加工表面形貌特征。结果表明,集群磁流变效应研磨加工方法可以实现对氮化铝(AlN)陶瓷基片的高效率高精度研磨... 采用集群磁流变效应研磨加工方法对氮化铝(AlN)陶瓷基片进行研磨加工,系统地分析了主要工艺参数的影响和最终经过精密研磨后的加工表面形貌特征。结果表明,集群磁流变效应研磨加工方法可以实现对氮化铝(AlN)陶瓷基片的高效率高精度研磨加工,原始表面Ra1.730μm经过粗研10 min和精研30 min后可以达到0.029μm,下降两个数量级。在粗研阶段,选用二氧化硅磨料#4000、磨料体积分数12%、研磨盘转速150 r/min、研磨压力3.5 kPa,可以获得较高的材料去除率和较光滑的加工表面。 展开更多
关键词 氮化铝(aln)陶瓷基片 集群磁流变效应 研磨加工 表面粗糙度
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原料颗粒度对AlN晶体生长的影响 被引量：1
12
作者 俞瑞仙 王国栋 +4 位作者 王守志 曹文豪 胡小波 徐现刚 张雷 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期58-64,共7页
本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布... 本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布情况。使用不同颗粒度的原料进行了AlN晶体生长,发现最适合AlN晶体生长的温度梯度和原料颗粒度。最后用颗粒度为1~3 mm的多晶颗粒料进行晶体生长,生长出直径为1英寸、厚度为15 mm的AlN晶体。对晶体进行切割、研磨、抛光,得到1英寸AlN晶片。采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱对晶片进行表征。结果发现HRXRD摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为154.66″,E_(2)(high)声子模的峰位置和FWHM分别为656.7和4.3 cm^(-1),表明该AlN晶体结晶质量良好。 展开更多
关键词 aln晶体 多晶颗粒料 孔隙率 VR-PVT 温场 杂质
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PVT法AlN晶体生长模式调控研究 被引量：1
13
作者 覃佐燕 金雷 +3 位作者 李文良 谭俊 何广泽 武红磊 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1542-1549,共8页
物理气相传输(PVT)法制备AlN晶体时,亚晶的产生会降低晶体质量,甚至多晶化。本文通过调节热/动力学生长条件,研究AlN晶体中亚晶产生及变化规律,提出抑制方法调控生长模式。实验结果表明,大的温度波动导致晶体表面气相物质过饱和度波动变... 物理气相传输(PVT)法制备AlN晶体时,亚晶的产生会降低晶体质量,甚至多晶化。本文通过调节热/动力学生长条件,研究AlN晶体中亚晶产生及变化规律,提出抑制方法调控生长模式。实验结果表明,大的温度波动导致晶体表面气相物质过饱和度波动变大,增加高指数晶面的形成概率,这些晶面因非一致性难以实现完美聚并。本文还研究了稳定温场条件下,气相物质输运对生长模式的影响。实验及模拟结果显示,传统坩埚内气相物质由晶体边缘向中心迁移,与台阶方向相反,晶体表面易演变成混合生长模式。通过设计的新型坩埚,实现气相物质顺台阶流方向迁移,满足层状可控生长的基本条件。在2 200~2 300℃下,随温度降低,晶体呈c轴优势生长,侧向扩展能力降低;随温度升高,侧向扩展能力变强,但晶体表面高指数晶面形成概率增加;温度约2 250℃时,两者达到平衡,适合亚晶的抑制和消除。结合BCF理论分析,降低过饱和度可增强螺旋位错驱动生长的二维平铺能力,并增大台阶宽度,有利于将亚晶界分散融入台阶流中。优化后的实验,促进了生长模式向螺旋位错驱动生长模式的转变,亚晶逐渐被湮灭,获得高质量AlN晶体,其(0002)面的X射线单晶摇摆曲线半峰全宽为58″,拉曼谱的E_2(High)半峰全宽为3.3 cm^(-1),位错密度为2.87×10^(3) cm^(-2)。 展开更多
关键词 aln晶体 PVT法 亚晶 混合生长模式 螺旋位错驱动生长
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掺杂CeO2对流延成型制备的氮化铝陶瓷性能的影响 被引量：2
14
作者 桂如峰 邹阳 +3 位作者 李晨辉 刘江安 贺智勇 史玉升 《化学与生物工程》 CAS 2019年第8期6-11,共6页
以氮化铝(AlN)粉末为原料,掺杂10%~15%的CeO2,采用流延成型工艺制备AlN陶瓷生坯;排胶后在氮气气氛下1775℃保温4h,采用常压烧结制备静电卡盘用AlN陶瓷(体积电阻率为10^11~10^9Ω·cm)。研究了排胶升温速率对生坯的表面形貌以及CeO2... 以氮化铝(AlN)粉末为原料,掺杂10%~15%的CeO2,采用流延成型工艺制备AlN陶瓷生坯;排胶后在氮气气氛下1775℃保温4h,采用常压烧结制备静电卡盘用AlN陶瓷(体积电阻率为10^11~10^9Ω·cm)。研究了排胶升温速率对生坯的表面形貌以及CeO2掺杂量对烧结体的电学与热学性能、微观组织和物相组成的影响。结果表明:在200~450℃之间升温速率为0.2℃·min^-1的条件下排胶后,AlN陶瓷生坯形貌完整、无裂纹和翘曲;在CeO2掺杂量为14%时,AlN陶瓷烧结体可以获得较优的综合性能,致密度96.82%,热导率99W·m^-1·K^-1,体积电阻率4.75×10^10Ω·cm。显微结构分析表明,随着CeO2掺杂量的增加,形成的铈铝酸盐晶间相逐渐由点状分布变为连续分布,有利于导电通路的形成,从而降低AlN陶瓷烧结体体积电阻率。 展开更多
关键词 氮化铝(aln)陶瓷 CeO2掺杂 氧化铈 流延成型 体积电阻率
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升华法制备m面非极性AlN单晶体的研究 被引量：5
15
作者 武红磊 郑瑞生 +1 位作者 李萌萌 闫征 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1534-1537,共4页
AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能。生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径。本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m... AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能。生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径。本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析。实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3%和49.7%,接近理想比例1∶1。最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨。 展开更多
关键词 升华 非极化 aln晶体 m面
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高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究 被引量：1
16
作者 武红磊 郑瑞生 孟姝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期179-182,共4页
保温材料是影响高温气相法生长AlN晶体的主要因素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备AlN最常用的保温材料,但是存在易引入C杂质、减少坩埚寿命等缺点。采用不添加任何添加剂AlN粉体制作了高温气相法生长AlN晶体... 保温材料是影响高温气相法生长AlN晶体的主要因素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备AlN最常用的保温材料,但是存在易引入C杂质、减少坩埚寿命等缺点。采用不添加任何添加剂AlN粉体制作了高温气相法生长AlN晶体的保温材料,并与石墨保温材料进行对比研究发现,AlN保温材料具有耐高温、对W坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。但是,与石墨保温材料相比,AlN也存在热导率相对较高、在高温过程中AlN粉体会出现少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策。 展开更多
关键词 氮化铝 石墨 晶体 保温 材料
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AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术 被引量：1
17
作者 王嘉彬 陈红梅 袁超 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S02期118-120,137,共4页
宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、... 宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、长寿命坩埚已成为大尺寸、高质量AlN晶体生长的技术难题之一。本文介绍AlN晶体PVT法生长的基本原理与过程,分析晶体生长对坩埚材料的性能要求,重点综述了TaC坩埚和TaC涂层石墨坩埚的制备技术。 展开更多
关键词 aln晶体 PVT法 坩埚材料
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高温退火对PVT法生长的AlN晶体质量的影响
18
作者 俞瑞仙 王国栋 +3 位作者 王守志 胡小波 徐现刚 张雷 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期343-349,共7页
在PVT法生长AlN晶体的过程中,很难保持理想的热力学平衡状态,不可避免地会产生晶体缺陷。高温退火技术对提高晶体完整性十分有效,受到了广泛关注。本工作在N2气氛环境下对PVT法生长的AlN晶片进行高温退火研究。为了评价退火前后AlN晶体... 在PVT法生长AlN晶体的过程中,很难保持理想的热力学平衡状态,不可避免地会产生晶体缺陷。高温退火技术对提高晶体完整性十分有效,受到了广泛关注。本工作在N2气氛环境下对PVT法生长的AlN晶片进行高温退火研究。为了评价退火前后AlN晶体的质量和结构变化情况,进行了高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱分析。通过室温光致发光(PL)和吸收光谱对AlN晶体的光学性质以及与杂质相关的带隙变化情况进行了表征。在1400~1800℃退火后,AlN晶体质量显著提高。1400℃退火后,(10-12)晶面的X射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)从104.04 arcsec减小到79.92 arcsec。随着退火温度升高,吸收性能明显增强,带隙增大,说明高温退火处理有利于提高AlN晶体的质量。二次离子质谱(SIMS)结果表明,退火过程降低了C杂质,增加了AlN晶体的带隙,这与光吸收结果一致。 展开更多
关键词 高温退火技术 aln晶体 C杂质 带隙
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采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体(110)面的各向异性
19
作者 张颖 金雷 +1 位作者 孙科伟 程红娟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期571-576,共6页
采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输(PVT)法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各个振动模的偏振喇曼光谱,得到不同振动模式的喇曼信号强度变化。结果表明,对于A1(TO)... 采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输(PVT)法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各个振动模的偏振喇曼光谱,得到不同振动模式的喇曼信号强度变化。结果表明,对于A1(TO)和E1(TO)振动模,在平行及垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期均为π/2,相位差均为π/4;对于E■振动模,在平行和垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期分别为π及π/2。通过喇曼选择定则及实验数据拟合分析得到AlN晶体各个振动模的喇曼张量比,其中,A1(TO)、E1(TO)和E■振动模的喇曼张量比为ZnO的2~3倍。垂直偏振配置下,AlN晶体的喇曼张量比远大于4H-SiC材料,为4~7倍,表明AlN晶体具有更强的各向异性,为纤锌矿结构材料的各向异性研究提供依据。 展开更多
关键词 氮化铝(aln) 物理气相传输(PVT)法 偏振喇曼散射 各向异性 喇曼张量
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S波段GaN高功率前端组件设计与实现
20
作者 张兆华 孟伟 +1 位作者 刘登宝 王珂珂 《微波学报》 北大核心 2025年第3期88-91,98,共5页
远程探测相控阵雷达等武器装备对收发组件提出了数字化、高功率、模块化、高集成的技术需求。本文针对高功率前端收发组件大电流传输通路的小压降及氮化镓(GaN)高功率器件的低热阻装配需求,采用先进纳米银烧结工艺、高介电常数基板制造... 远程探测相控阵雷达等武器装备对收发组件提出了数字化、高功率、模块化、高集成的技术需求。本文针对高功率前端收发组件大电流传输通路的小压降及氮化镓(GaN)高功率器件的低热阻装配需求,采用先进纳米银烧结工艺、高介电常数基板制造技术及高集成微组装等工艺技术,满足了高功率组件大电流传输中的小压降、GaN管芯内匹配电路的小型化、高温环境下高效散热等需求,基于GaN高功率管芯研制了一款S波段高功率高集成的前端收发组件,该组件的输出功率大于500 W、发射附加效率大于52%、功率器件供电通路上的大电流压降小于0.25 V@20 A、接收增益大于23 dB、噪声系数小于2.2、体积为63.5 mm×30 mm×10 mm、质量≤35 g,具有重要的应用价值。 展开更多
关键词 射频前端 氮化镓高电子迁移率晶体管 内匹配 纳米银烧结 氮化铝高温共烧陶瓷
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