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氮化铝填料形貌对环氧树脂基热界面材料导热性能的影响
1
作者 郭玉 魏智磊 +2 位作者 赵蕾 夏鸿雁 史忠旗 《材料导报》 北大核心 2026年第5期272-278,共7页
分别以近球形AlN(AlN P)粉体和颗粒/晶须混杂AlN(AlN H)粉体作为填料,以KH560硅烷偶联剂作为表面改性剂,通过机械共混法制备了两种AlN/环氧树脂(AlN/EP)复合材料。系统研究KH560用量、填料填充量及形貌对复合材料微观结构和导热性能的... 分别以近球形AlN(AlN P)粉体和颗粒/晶须混杂AlN(AlN H)粉体作为填料,以KH560硅烷偶联剂作为表面改性剂,通过机械共混法制备了两种AlN/环氧树脂(AlN/EP)复合材料。系统研究KH560用量、填料填充量及形貌对复合材料微观结构和导热性能的影响。结果表明,KH560用量为1%(质量分数,如无特别说明,下同)时,AlN填料的改性效果最好。随着AlN填充量的增加,环氧树脂基体中逐渐形成有效的导热通路,复合材料导热性能提升。与AlN P填料相比,AlN H填料更容易在基体中形成导热网络,所得复合材料的导热性能更优;但在AlN H填充量过高时,晶须易发生团聚而形成缺陷,导致复合材料热阻增加、热导率降低。当AlN P填充量为60%时,复合材料热导率达1.22 W·m^(-1)·K^(-1);当AlN H填充量为50%时,复合材料热导率为0.613 W·m^(-1)·K^(-1)。在此基础上,基于理论导热模型和有限元模拟分析了AlN/EP复合材料的热传导机制。 展开更多
关键词 复合材料 氮化铝 热导率 界面热阻
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氮化铝的研究进展 被引量：19
2
作者 邹清 马鸿雁 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期11-14,共4页
A1N在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能。本文综述了近年来A1N在导热机理、粉末其及薄膜制备等领域的研究进展,展望了A1N未来的发展趋势。
关键词 氮化铝 导热机理 氮化铝粉末 氮化铝薄膜 制备
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氮化铝/氮化硼复配改性间位芳纶绝缘纸的使役性能及机理分析 被引量：2
3
作者 王齐斌 范晓舟 +2 位作者 高宇轩 庾翔 刘云鹏 《电工技术学报》 北大核心 2025年第11期3618-3629,共12页
为增强间位芳纶绝缘纸的电绝缘及导热性能,该文选取了球形氮化铝(AlN)和片形氮化硼(BN)两种填料,采用聚多巴胺和硅烷偶联剂对填料表面进行化学修饰后,将填料掺入间位芳纶基体中。利用湿法抄造技术,制备了AlN/BN复配改性的间位芳纶绝缘... 为增强间位芳纶绝缘纸的电绝缘及导热性能,该文选取了球形氮化铝(AlN)和片形氮化硼(BN)两种填料,采用聚多巴胺和硅烷偶联剂对填料表面进行化学修饰后,将填料掺入间位芳纶基体中。利用湿法抄造技术,制备了AlN/BN复配改性的间位芳纶绝缘纸试样,对其微观形貌、击穿场强、体积电导率以及面外热导率进行表征测试。结果表明,在复配改性体系中,当AlN和BN的复配质量比为3:7时,样品出现最优的击穿场强为186 kV/mm,较纯芳纶纸提升66.07%;而当复配质量比为7:3时,其面外热导率高达0.671 W/(m·K),较纯芳纶纸提升213.6%。基于密度泛函理论对基体和填料的能带结构进行计算分析发现,AlN和BN的引入在基体和填料界面形成了“阶梯陷阱”,进一步提高了电子跃迁势垒,抑制了击穿时漏电流的形成和发展。此外,借助相场法分析了不同复配比例下填料对基体电流密度和电场畸变的影响,发现AlN/BN的复配结合有助于均化电场分布,提高复合体系的绝缘强度。 展开更多
关键词 间位芳纶 氮化硼 氮化铝 击穿场强 面外热导率
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锯齿形氮化铝纳米带负阻器件电子输运性质研究
4
作者 黄绛雪 黄启俊 +2 位作者 何进 王豪 常胜 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第2期85-90,共6页
低维纳米带材料因为其结构的特异性而呈现出新奇的物理性质.修饰纳米带的边缘能够调制其电子性质.本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,探究了锯齿形氮化铝纳米带(ZAlNNR)单边氟化、单边氯化以及单边氢化的电子结构和输... 低维纳米带材料因为其结构的特异性而呈现出新奇的物理性质.修饰纳米带的边缘能够调制其电子性质.本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,探究了锯齿形氮化铝纳米带(ZAlNNR)单边氟化、单边氯化以及单边氢化的电子结构和输运特性.研究表明:锯齿型氮化铝纳米带可以通过以上手段实现能带结构的半导体-金属转换.计算电子输运特性,我们发现三种边缘修饰的器件均呈现出负微分电阻效应,其中AlN-F器件有最大峰谷电流比(PVCR),达到了1.78×10^(7),是硅烯纳米器件以及黑磷纳米器件的10^(6)倍.值得一提的是,相比于H-AlN-Cove纳米器件,AlN-F器件能够在更小的偏压范围内实现高PVCR.该结果为锯齿形氮化铝纳米带在低功耗纳米器件中的应用提供了广泛的前景. 展开更多
关键词 锯齿形氮化铝纳米带 电子输运 负微分电阻效应 第一性原理
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月桂酸改性剂对氮化铝粉体抗水解性能的影响
5
作者 孙晶 李翔 +2 位作者 毛小建 章健 王士维 《无机材料学报》 北大核心 2025年第7期826-832,共7页
氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的热学和电学性能,在电子封装和集成电路领域展现出极为广阔的应用前景。然而,AlN粉体易水解生成Al(OH)_(3),并在陶瓷烧结过程中热解生成Al_(2)O_(3),造成AlN陶瓷氧含量升高和热导率下降,这严重制约了AlN陶瓷的... 氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的热学和电学性能,在电子封装和集成电路领域展现出极为广阔的应用前景。然而,AlN粉体易水解生成Al(OH)_(3),并在陶瓷烧结过程中热解生成Al_(2)O_(3),造成AlN陶瓷氧含量升高和热导率下降,这严重制约了AlN陶瓷的制备和实际应用。因此,AlN粉体的表面改性对提升其抗水解性能至关重要。本研究使用聚乙二醇(Polyethylene Glycol,PEG)与月桂酸(Lauric Acid,LA)对AlN粉体进行表面改性以提升其抗水解性能,通过简单的湿法球磨工艺,使LA包覆在AlN粉体表面。FT-IR和XPS分析证实,LA羧基(-COOH)与AlN表面羟基氧化层发生类酯化反应,形成化学键合的酯基。TEM表征结果显示,酯化改性后的AlN粉体表面形成了厚度为12.2~16.1 nm的包覆层。将改性后的AlN粉体置于40℃水中72 h以上,悬浮液pH维持在9以下,物相结构和微观形貌均未发生变化。该包覆层化学性质稳定且具有低水溶性,水分子难以扩散穿透包覆层引发水解反应。随着LA添加量增加,AlN粉体抗水解性能显著提升。本研究为提升AlN粉体抗水解性能及制备高性能AlN陶瓷提供了新途径。 展开更多
关键词 月桂酸 氮化铝粉体 抗水解 表面改性
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硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究
6
作者 王绪 杨发顺 +2 位作者 熊倩 周柳含 马奎 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第5期50-56,共7页
选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原... 选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原子扩散进入AlN晶格,取代铝原子的位置,形成掺杂硅的AlN薄膜.有效的硅掺杂导致AlN(002)衍射峰向一个较大的角度偏移,且偏移的角度随掺杂的浓度升高而增大.且硅衬底上的样品,使用能量色散光谱仪测试结果表明,衬底硅将作为固定的扩散源扩散到薄膜中,增加非故意掺杂浓度,因此可以在整个薄膜截面内测量到硅元素.蓝宝石的衬底的样品在热扩散后出现裂纹. 展开更多
关键词 N型氮化铝 硅掺杂 磁控溅射 热扩散 衬底反扩散
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氧含量对氮化铝陶瓷抗弯强度及热导率的影响
7
作者 浦恩祥 周文祥 +5 位作者 陈泽基 张智睿 黄佑文 徐世春 贾宝瑞 秦明礼 《粉末冶金技术》 北大核心 2025年第3期249-257,共9页
以Al_(2)O_(3)粉末和碳黑作为原料,采用碳热还原法并通过控制除碳工艺过程制备不同氧含量的AlN陶瓷粉末,高氧AlN粉末中氧质量分数为0.9%,低氧AlN粉末中氧质量分数为0.6%。以两种氧含量AlN陶瓷粉末为原料制备AlN陶瓷样品,采用三点弯曲法... 以Al_(2)O_(3)粉末和碳黑作为原料,采用碳热还原法并通过控制除碳工艺过程制备不同氧含量的AlN陶瓷粉末,高氧AlN粉末中氧质量分数为0.9%,低氧AlN粉末中氧质量分数为0.6%。以两种氧含量AlN陶瓷粉末为原料制备AlN陶瓷样品,采用三点弯曲法和3ω法在77~350 K范围内测试了AlN陶瓷的抗弯强度和热导率,研究了氧含量对AlN陶瓷抗弯强度和热导率的影响,并与Al_(2)O_(3)陶瓷、Si_(3)N_(4)陶瓷的力学和导热性能进行对比。结果表明:高氧AlN陶瓷样品中第二相含量较多,低氧AlN陶瓷样品中第二相含量较少。第二相抑制了AlN晶粒的长大,起到细晶强化的作用,但是第二相的存在降低了声子的自由程,降低了热导率。在实验温度范围内,高氧AlN陶瓷样品抗弯强度高于低氧AlN陶瓷样品,热导率低于低氧AlN陶瓷样品。相比较于Al_(2)O_(3)陶瓷和Si_(3)N_(4)陶瓷,AlN陶瓷的室温抗弯强度比Al_(2)O_(3)陶瓷略高,但不如Si_(3)N_(4)陶瓷;AlN陶瓷的室温热导率比Al_(2)O_(3)陶瓷和Si_(3)N_(4)陶瓷高,达到了200 W·m^(-1)·K^(-1)。同时,AlN陶瓷在低温下也能保持高热导率和较高的抗弯强度,相对于Al_(2)O_(3)陶瓷和Si_(3)N_(4)陶瓷,其低温应用更加广泛。 展开更多
关键词 氮化铝陶瓷 抗弯强度 热导率 氧含量
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铂修饰氮化铝纳米管对CO的吸附性能研究
8
作者 任舒宁 何建桥 +2 位作者 黄海深 沈光先 吴波 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第1期88-94,共7页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了铂修饰的(5,5)氮化铝纳米管的几何结构、电子性质以及与一氧化碳(CO)之间的相互作用.结果表明:铂原子吸附于氮化铝纳米管表面氮原子的顶位时能量最低.铂原子附近可以吸附四个CO分子,平均吸... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了铂修饰的(5,5)氮化铝纳米管的几何结构、电子性质以及与一氧化碳(CO)之间的相互作用.结果表明:铂原子吸附于氮化铝纳米管表面氮原子的顶位时能量最低.铂原子附近可以吸附四个CO分子,平均吸附能在1.189-2.940 eV之间,铂原子的修饰有效提高了氮化铝纳米管对CO分子的吸附能力.本研究为实验上开发制备性能更加优良的CO气体传感器提供理论指导. 展开更多
关键词 氮化铝纳米管 第一性原理 密度泛函理论
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氮化铝兰姆波谐振器综述
9
作者 叶文淏 吕世涛 +2 位作者 董智 孙海燕 陶玉娟 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第8期1-6,共6页
氮化铝兰姆波谐振器(AlNLWR)因其高相速度、适中的有效机电耦合系数(k^(2)_(eff))及可实现片上多频段集成等优势获得了关注,成为微机电系统(MEMS)中广泛研究的关键器件。品质因数(Q)和k^(2)_(eff)对由谐振器单元组成的射频滤波器和传感... 氮化铝兰姆波谐振器(AlNLWR)因其高相速度、适中的有效机电耦合系数(k^(2)_(eff))及可实现片上多频段集成等优势获得了关注,成为微机电系统(MEMS)中广泛研究的关键器件。品质因数(Q)和k^(2)_(eff)对由谐振器单元组成的射频滤波器和传感器的性能指标有着直接影响,因此优化相关参数对于提高器件性能至关重要。综述了AlNLWR的基本工作原理、关键性能参数及其优化策略。通过最新的研究实例,阐述了提升Q值、k^(2)_(eff)及抑制杂散信号的措施。最后,阐述了AlNLWR目前面临的挑战和对未来的展望。 展开更多
关键词 氮化铝 兰姆波 谐振器 微机电系统
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氮化铝超声振动辅助纳米磨削过程中振幅和频率的微观作用机制:分子动力学研究
10
作者 冯帅诚 殷佳钦 +2 位作者 刘阳 肖晨 郭剑 《中国表面工程》 北大核心 2025年第5期119-132,共14页
超精密表面磨抛是制造高端氮化铝基宽禁带半导体芯片及器件的关键工艺。氮化铝为硬脆难加工材料,采用传统纳米磨削等工艺对其加工存在效率低和易损伤等难点。引入超声振动可以提高磨削加工中工件材料的去除率、降低其亚表面损伤。然而,... 超精密表面磨抛是制造高端氮化铝基宽禁带半导体芯片及器件的关键工艺。氮化铝为硬脆难加工材料,采用传统纳米磨削等工艺对其加工存在效率低和易损伤等难点。引入超声振动可以提高磨削加工中工件材料的去除率、降低其亚表面损伤。然而,目前对氮化铝超声振动辅助纳米磨削去除机理的认识尚浅,振幅和频率的影响规律和微观作用机制不明。为此,开展了不同条件下氮化铝表面超声振动辅助单金刚石磨粒纳米磨削过程的分子动力学仿真,从原子层面探究振幅和频率对纳米/亚纳米级材料去除和亚表面晶格损伤的作用机制。研究结果表明:增加振幅或频率可在降低磨削力的同时,提高材料去除率,降低表面粗糙度和亚表面晶格损伤。随着振幅的增大,磨削力线性减小,去除体积线性增大,位错分布范围减小,材料去除行为由单一的塑性域去除逐渐向复合去除方式转变。当频率达到1 GHz时,磨削力急剧下降。在超高频振动的影响下,工件局部出现高温,同时磨粒的冲击作用显著增强,导致去除体积大幅增加。此时,磨削表面呈现出均匀稳定的原子层状剥离现象,亚表面则近乎零损伤,无位错和非晶结构。研究结果可为硬脆半导体材料高效率、低损伤的超精密磨削加工工艺条件优化提供理论参考。 展开更多
关键词 氮化铝 超声振动辅助纳米磨削 振幅 频率 纳米/亚纳米级材料去除 亚表面损伤 分子动力学仿真
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氮化铝薄膜ⅢB族元素掺杂的研究进展
11
作者 朱焕能 吴进 王强 《功能材料》 北大核心 2025年第7期7035-7043,共9页
氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表之一,已经在多个应用领域引起了广泛关注。然而,本征AlN的压电性能不足以满足能量采集器、表面声波谐振器和体声波谐振器等微机电系统(MEMS)中压电器件的需求。重点探讨钪(Sc)掺杂氮化铝生成压电... 氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表之一,已经在多个应用领域引起了广泛关注。然而,本征AlN的压电性能不足以满足能量采集器、表面声波谐振器和体声波谐振器等微机电系统(MEMS)中压电器件的需求。重点探讨钪(Sc)掺杂氮化铝生成压电增强材料AlScN的效果及其机理。目前,制备AlScN压电薄膜的方法主要包括磁控溅射(PVD)、分子束外延(MBE)和有机金属气相沉积(MOCVD)。为了实现优异的压电性能,AlScN薄膜需要具备高压电性能、良好的c轴取向生长和优异的结晶性。目前的研究主要集中在调节Sc掺杂浓度、生长温度、Ⅲ/Ⅴ比及衬底材料等方面,以提升AlScN薄膜的整体性能。相比之下,作为掺杂元素的钇(Y)和镱(Yb)展现出更大的应用潜力。它们不仅能够实现更高的掺杂浓度(理论上分别可达0.75和0.77),而且成本较Sc更低。这使得Y和Yb在未来压电器件中的应用前景更加广阔,为提高AlN的压电性能提供了新的研究方向。 展开更多
关键词 氮化铝 掺杂 压电系数 相分离 结晶性
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氮化铝陶瓷生产关键技术研究现状 被引量：8
12
作者 高晓菊 李国斌 +5 位作者 赵斌 刘国玺 常永威 乔光利 韩剑锋 顾明俊 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2011年第3期92-96,共5页
氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。总结氮化铝陶瓷生产化的控制因素,分别从粉体的制备、防水化能力、成型过程、低温烧结以及应用等几个... 氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。总结氮化铝陶瓷生产化的控制因素,分别从粉体的制备、防水化能力、成型过程、低温烧结以及应用等几个方面加以论述,并提出氮化铝陶瓷今后批量化生产过程中工艺技术的发展方向。 展开更多
关键词 氮化铝粉体 防水化能力 氮化铝成型 烧结
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原料对碳热还原法合成氮化铝粉末的影响 被引量：8
13
作者 秦明礼 曲选辉 +3 位作者 林健凉 肖平安 祝宝军 汤春峰 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 2002年第5期505-508,共4页
以氧化铝、碳黑、硝酸铝、葡萄糖为原料 ,采用 2种不同的工艺制备了氧化铝 碳黑和硝酸铝 葡萄糖 2种体系的原料混合物 ,研究了原料的种类对氮化铝粉末合成反应的影响 .研究结果表明 :以氧化铝和碳黑为原料时 ,氮化反应过程中只出现了... 以氧化铝、碳黑、硝酸铝、葡萄糖为原料 ,采用 2种不同的工艺制备了氧化铝 碳黑和硝酸铝 葡萄糖 2种体系的原料混合物 ,研究了原料的种类对氮化铝粉末合成反应的影响 .研究结果表明 :以氧化铝和碳黑为原料时 ,氮化反应过程中只出现了α Al2 O3和AlN相 ,该原料体系反应速度较慢 ,在温度为 16 5 0℃时氮化 3～ 5h才能实现完全氮化 ;而以硝酸铝和葡萄糖为原料时 ,氮化反应过程中相变较复杂 ,出现了γ Al2 O3,α Al2 O3,AlON和AlN相 ,该原料体系反应速度较快 ,15 5 0℃时仅需 1～ 2h便可实现完全氮化 ;不同的起始原料不仅可以影响反应速度 ,还对粉末的粒度有较大影响 ,以氧化铝和碳黑为原料合成的氮化铝粉末的平均粒度约为 0 .7μm ;而以硝酸铝和葡萄糖为原料合成的氮化铝粉末的平均粒度约为 0 .1μm . 展开更多
关键词 碳热还原法 合成 原料 氮化铝粉末 反应速度 粉末粒度 氮化铝陶瓷
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氮化铝基微波衰减材料的研究进展 被引量：14
14
作者 石明 鲁燕萍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期76-79,共4页
论述了氮化铝基微波衰减材料在微波电真空器件中的应用和发展趋势,介绍了国内外关于氮化铝基高损耗材料尤其是氮化铝-碳化硅复合材料的研究进展,结合笔者的研究和认识,指出了存在的问题和研究方向。
关键词 氮化铝 微波衰减 氮化铝-碳化硅
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尿素对以硝酸铝和葡萄糖为原料合成氮化铝粉末反应过程中相变及反应速率的影响
15
作者 秦明礼 曲选辉 +3 位作者 肖平安 林健凉 雷长明 汤春峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期197-199,202,共4页
以硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)和葡萄糖(C6H12O6·H2O)为原料,利用碳热还原法制备氮化铝粉末,研究了尿素对前驱物的制备及前驱物氮化反应的影响,研究发现添加尿素合成的前驱物和未添加尿素合成的前驱物在氮化反应过程中相变和反应... 以硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)和葡萄糖(C6H12O6·H2O)为原料,利用碳热还原法制备氮化铝粉末,研究了尿素对前驱物的制备及前驱物氮化反应的影响,研究发现添加尿素合成的前驱物和未添加尿素合成的前驱物在氮化反应过程中相变和反应速率存在较大差异。在没有添加尿素合成的前驱物的氮化反应过程中,出现了γ-Al2O3、α-Al2O3、AlON和AIN相,该前驱物的反应速率慢,完全氮化需要在1600℃下才能完成。对于添加尿素合成的前驱物而言,在其氮化反应过程中仅出现了γ-Al2O3和AIN相,没有α-Al2O3和AlON的生成,AIN直接由γ-Al2O3氮化生成,该前驱物的氮化反应速率快,氮化反应温度低,在1400℃下即可实现完全氮化。分析讨论了两种前驱物的氮化反应速率不同的主要原因,并利用XRD、SEM等分析方法对粉末进行了表征。 展开更多
关键词 氮化铝粉末 尿素 硝酸铝 葡萄糖 相变 反应速率 前驱物 氮化铝陶瓷 合成
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高热导率氮化铝陶瓷研究进展 被引量：23
16
作者 燕东明 高晓菊 +4 位作者 刘国玺 常永威 乔光利 牟晓明 赵斌 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期602-607,共6页
氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一... 氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一些氮化铝陶瓷的应用实例。 展开更多
关键词 氮化铝 流延成型 注射成型 基片 透明陶瓷
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低温碳热还原法合成氮化铝陶瓷超细粉末 被引量：13
17
作者 秦明礼 林健凉 +2 位作者 肖平安 祝宝军 曲选辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1054-1058,共5页
采用硝酸盐-有机物低温燃烧反应溶胶-凝胶工艺,以硝酸铝（Al（NO3）3·9H2O）、葡萄糖（C6H12O6·H2O）、尿素（CO（NH2）2）为原料,制备出粒度细小、混合均匀的铝源和碳源的混合前驱物,然后以该前驱物为原料进行碳热还原反应... 采用硝酸盐-有机物低温燃烧反应溶胶-凝胶工艺,以硝酸铝（Al（NO3）3·9H2O）、葡萄糖（C6H12O6·H2O）、尿素（CO（NH2）2）为原料,制备出粒度细小、混合均匀的铝源和碳源的混合前驱物,然后以该前驱物为原料进行碳热还原反应制备氮化铝粉末.研究表明,该前驱物具有较高的反应活性,氮化反应速率快,1550℃时仅用90min即可实现完全转化,SEM分析结果表明合成粉末为粒度分布均匀的纳米级（～100nm）粉末. 展开更多
关键词 低温碳热还原法 合成 氮化铝陶瓷 超细粉末 燃烧反应 前驱物
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纳米氮化铝改性对芳纶1313绝缘纸介电特性的影响 被引量：15
18
作者 柏舸 廖瑞金 +3 位作者 刘娜 柳海滨 杨丽君 Shakeel Akram 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期461-467,共7页
聚合物纳米复合材料因其优良的介电性能在电介质绝缘领域得到了广泛的应用。为获得性能优良的绝缘纸,将纳米氮化铝(AlN)添加到芳纶1313中。将改性后的绝缘纸进行浸油处理,研究了AlN对油浸芳纶1313介电性能的影响。结果表明:纳米Al N能... 聚合物纳米复合材料因其优良的介电性能在电介质绝缘领域得到了广泛的应用。为获得性能优良的绝缘纸,将纳米氮化铝(AlN)添加到芳纶1313中。将改性后的绝缘纸进行浸油处理,研究了AlN对油浸芳纶1313介电性能的影响。结果表明:纳米Al N能有效降低绝缘纸的电导电流,以及提升其交流击穿电场强度;同时Al N能够抑制空间电荷向介质内的注入、迁移和积聚,使绝缘纸内空间电荷分布更加均匀。另外聚合物纳米材料的界面特性使得改性后绝缘纸的相对介电常数和介电损耗值有所升高,介损松弛峰值也向低频段移动。芳纶1313/Al N油浸绝缘纸介电性能的变化归因于纳米粒子与聚合物之间的界面效应使界面区域陷阱浓度和深度增大,限制了电荷的运动。 展开更多
关键词 芳纶1313 氮化铝 空间电荷 介电特性 抗张强度 击穿电场强度
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铝粉在高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝 被引量：9
19
作者 江国健 庄汉锐 +2 位作者 李文兰 邬凤英 张宝林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期568-574,共7页
利用铝粉在高压氮气中的自蔓延燃烧合成（SHS）方法，制备了氮含量较高（33．5wt％）的AIN，研究了稀释剂含量、添加剂含量、氮气压力、反应物的相对密度、反应物厚度对燃烧产物氮含量的影响，并对后燃烧现象进行了分析，产物中发现氮... 利用铝粉在高压氮气中的自蔓延燃烧合成（SHS）方法，制备了氮含量较高（33．5wt％）的AIN，研究了稀释剂含量、添加剂含量、氮气压力、反应物的相对密度、反应物厚度对燃烧产物氮含量的影响，并对后燃烧现象进行了分析，产物中发现氮化铝晶须和棒晶． 展开更多
关键词 自蔓延燃烧合成 氮化铝 高压氮气 铝粉 陶瓷
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透明氮化铝陶瓷的制备 被引量：11
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作者 周艳平 王岱峰 +4 位作者 奚益明 庄汉锐 温树林 郭景坤 严东生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期674-678,共5页
本文采用碳热还原法制得的 Ａｌ Ｎ 粉， 使用烧结剂 Ｃａ Ｃ２ ， 热压制备了透明氮化铝陶瓷实验证明， 纯度高、粒径较小、且均匀的 Ａｌ Ｎ 粉是制备透明 Ａｌ Ｎ 陶瓷的必要条件 Ａｌ Ｎ 陶瓷从紫外、可见光到近红外均透明， ... 本文采用碳热还原法制得的 Ａｌ Ｎ 粉， 使用烧结剂 Ｃａ Ｃ２ ， 热压制备了透明氮化铝陶瓷实验证明， 纯度高、粒径较小、且均匀的 Ａｌ Ｎ 粉是制备透明 Ａｌ Ｎ 陶瓷的必要条件 Ａｌ Ｎ 陶瓷从紫外、可见光到近红外均透明， 显微结构研究表明， Ａｌ Ｎ 陶瓷透明是由于晶粒完整规则， 紧密排列， 晶界干净， 而气孔、晶粒内和晶界第二相杂质。 展开更多
关键词 透明陶瓷 氮化铝 制备 陶瓷
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