原位反应法制备填充叠氮化铜的碳纳米管阵列 被引量：15

1

作者 王燕兰 张方 +3 位作者 张蕾 张植栋 韩瑞山 孙星 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期386-392,共7页

以定向碳纳米管阵列为工作电极,采用电化学沉积法制备填充纳米铜颗粒的碳纳米管阵列,研究不同电沉积参数对碳纳米管填充铜纳米颗粒的影响规律;采用气-固原位反应法获得填充叠氮化铜的碳纳米管含能阵列。采用扫描电镜、X射线衍射仪对填... 以定向碳纳米管阵列为工作电极,采用电化学沉积法制备填充纳米铜颗粒的碳纳米管阵列,研究不同电沉积参数对碳纳米管填充铜纳米颗粒的影响规律;采用气-固原位反应法获得填充叠氮化铜的碳纳米管含能阵列。采用扫描电镜、X射线衍射仪对填充叠氮化铜的碳纳米管阵列及其前驱体进行结构表征,采用差示扫描量热仪研究其热性能。结果表明:当沉积电流为1 mA和10 mA,可获得填充效果理想的填充有纳米铜的碳纳米管阵列;气固原位反应过程中碳纳米管阵列不与叠氮酸发生反应。在热板点火作用下填充叠氮化铜的碳纳米管阵列可靠起爆。采用兰利法获得其50%电发火能量为3.09 mJ。 展开更多

关键词 碳纳米管阵列 叠氮化铜 电化学沉积 原位反应

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多晶氮化铜薄膜制备及性能研究 被引量：11

2

作者 岳光辉 闫鹏勋 刘金良 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期344-348,共5页

采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Sch... 采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变. 展开更多

关键词 多晶氮化铜薄膜 制备方法 热稳定性 电阻率 反应射频磁控溅射法

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磁控溅射制备铁掺杂氮化铜薄膜的研究 被引量：3

3

作者 李兴鳌 刘祖黎 +3 位作者 左安友 袁作彬 杨建平 姚凯伦 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期141-143,共3页

采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜。XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱。AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加。铁... 采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜。XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱。AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加。铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 磁控溅射 电阻率

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直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的热稳定性研究 被引量：2

4

作者 左安友 袁作彬 +1 位作者 杨建平 李兴鳌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期141-144,共4页

用直流磁控溅射方法,在氮气分压为0.5Pa、不同的基底温度下,于玻璃基底上制备了Cu_3N薄膜。当基底温度为100℃及以下时,温度越高薄膜的结晶程度越好。当基底温度在100℃以上时,随着基底温度的升高,薄膜的结晶程度逐渐减弱,200℃时结晶... 用直流磁控溅射方法,在氮气分压为0.5Pa、不同的基底温度下,于玻璃基底上制备了Cu_3N薄膜。当基底温度为100℃及以下时,温度越高薄膜的结晶程度越好。当基底温度在100℃以上时,随着基底温度的升高,薄膜的结晶程度逐渐减弱,200℃时结晶已很弱,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体。薄膜的电阻率随基底温度的变化不大,薄膜的沉积速率随基底温度的升高在18～30 nm/min之间近似地线性增大,薄膜的显微硬度随基底温度的升高而略有降低。对基底温度为室温和100℃下制备的氮化铜薄膜进行不同温度下的真空退火,研究了它们的热稳定性。XRD测试表明,薄膜在200℃时开始出现分解,350℃时完全分解。比较在基底温度为室温和100℃下制备的样品,发现室温下制备的氮化铜薄膜比100℃下制备的氮化铜薄膜稳定。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 直流磁控溅射 X射线衍射 热稳定性

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氮化铜薄膜的研究 被引量：1

5

作者 肖剑荣 蒋爱华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第21期115-117,共3页

氮化铜(Cu3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置,在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化。Cu3N在较低温度下会分解为Cu和N2。介绍了Cu3N的制备方法... 氮化铜(Cu3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置,在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化。Cu3N在较低温度下会分解为Cu和N2。介绍了Cu3N的制备方法,总结了该膜制备方法和工艺参数对薄膜结构的影响,分析了在不同N2分压下薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长和薄膜定向生长的原因,讨论了薄膜的电学、光学、热学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与结构之间的关系作了简要分析。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 光学带隙 热稳定性 磁控溅射

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溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响

6

作者 刘敏 崔增丽 +2 位作者 黄致新 郭继花 张峰 《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2008年第1期54-57,共4页

采用反应射频磁控溅射方法,在氮气和氩气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均晶粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响.XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大,... 采用反应射频磁控溅射方法,在氮气和氩气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均晶粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响.XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大,在低功率时薄膜择优[111]方向,在较高功率时薄膜择优[100]方向.紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明:当溅射功率从80 W逐渐增加到120 W时,薄膜的光学能隙从1.85 eV减小到1.41 eV,电阻率从1.45×102Ωcm增加到2.99×103Ωcm. 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 溅射功率 结构 性能

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射频反应磁控溅射制备氮化铜薄膜

7

作者 肖剑荣 徐慧 +3 位作者 刘小良 李燕峰 张鹏华 简献忠 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期368-372,共5页

使用射频反应磁控溅射法,在不同的射频功率和气体流量比下制备了氮化铜薄膜,并用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构进行表征。研究结果表明:薄膜呈现择优生长规律,由低气体流量比的Cu3N(111)晶面转向高分压的(100)面;薄膜的光学带... 使用射频反应磁控溅射法,在不同的射频功率和气体流量比下制备了氮化铜薄膜,并用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构进行表征。研究结果表明:薄膜呈现择优生长规律,由低气体流量比的Cu3N(111)晶面转向高分压的(100)面;薄膜的光学带隙在1.44～1.69eV之间,电阻率在60～5.6×105Ω.m之间,二者都随气体流量比的增大而增大。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 晶体结构 光学带隙 电阻率

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基底温度对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的影响研究

8

作者 李兴鳌 杨建平 +4 位作者 左安友 高雁军 袁作彬 任山令 李永涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期90-93,共4页

采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,... 采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu3N晶体,只有明显的Cu晶体。随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13～28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 直流磁控溅射 基底温度 热稳定性

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磁控溅射制备Al掺杂氮化铜薄膜研究

9

作者 袁作彬 左安友 李兴鳌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期5180-5184,共5页

利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu_3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性。XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子... 利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu_3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性。XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子显微镜图像表明Al掺杂之后使得氮化铜晶粒形状变得不规则,晶界变得模糊,说明Al掺杂会抑制氮化铜晶体的生长;通过光学透射谱计算得到光学带隙,Al掺杂降低了氮化铜薄膜的光学带隙,并随着掺杂含量的增加而逐渐减小,实现了Al掺杂氮化铜薄膜光学带隙的连续可调,带隙减小源于Al外层电子的局域态进入氮化铜的带隙间,增加了中间态。同时四探针的测试也表明掺杂之后电阻率变小。 展开更多

关键词 氮化铜 薄膜 AL掺杂 光学特性 电学特性

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氮化铜薄膜作为锂离子电池的负极材料

10

作者 刘震 吴锋 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期154-157,共4页

采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氮化铜薄膜电极。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光电子能谱(XPS)分别对薄膜的组成和形貌进行了表征分析。电化学测试表明,氮化铜薄膜电极的首次放电比容量为88mAh/(cm2... 采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氮化铜薄膜电极。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光电子能谱(XPS)分别对薄膜的组成和形貌进行了表征分析。电化学测试表明,氮化铜薄膜电极的首次放电比容量为88mAh/(cm2·mm),首次效率为51%。通过非现场XRD、XPS、交流阻抗图谱以及循环伏安曲线对薄膜电极反应机理进行了分析。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 锂离子电池 射频磁控溅射

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叠氮化铜微装药爆轰驱动飞片的数值模拟 被引量：8

11

作者 简国祚 曾庆轩 +2 位作者 郭俊峰 李兵 李明愉 《爆炸与冲击》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期248-252,共5页

为了优化叠氮化铜微装药器件的设计,探究叠氮化铜爆轰驱动飞片的作用原理,根据微装药器件的实际设计和相关实验,采用ANSYS/LS-DYNA流固耦合算法对叠氮化铜爆轰驱动飞片的作用过程作了数值模拟。具体研究了加速膛长度对飞片的平整性和完... 为了优化叠氮化铜微装药器件的设计,探究叠氮化铜爆轰驱动飞片的作用原理,根据微装药器件的实际设计和相关实验,采用ANSYS/LS-DYNA流固耦合算法对叠氮化铜爆轰驱动飞片的作用过程作了数值模拟。具体研究了加速膛长度对飞片的平整性和完整性的影响,分析了微装药的尺寸与飞片速度之间的关系。研究结果表明:加速膛的长度对飞片的完整性、平整性和速度具有重要影响,在过长的加速膛中飞片飞行时易发生破碎,加速膛过短飞片的驱动速度不能达到最佳。装药尺寸与飞片速度之间关系密切,装药直径对飞片速度的前期成长影响不大,但对飞片获得的最大速度却有较为明显的影响;装药的直径大于0.8mm时,增加装药直径并不能使飞片的最大速度明显增加。 展开更多

关键词 爆炸力学 MEMS引信 流固耦合 LS-DYNA 叠氮化铜 钛飞片

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氮化铜薄膜制备中氮气比例对其结构及微观力学性能的影响 被引量：3

12

作者 龚鹏 范真 +3 位作者 丁建宁 程广贵 袁宁一 凌智勇 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期15-18,31,共5页

采用射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备氮化铜薄膜,研究了氮氩混合气体中的氮气比例对薄膜择优生长取向、表面晶粒尺寸和微观力学性能的影响。结果表明:低氮气比例时,薄膜的纳米力学性能比较差;随着氮气比例的增加,氮化铜薄膜的择优生... 采用射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备氮化铜薄膜,研究了氮氩混合气体中的氮气比例对薄膜择优生长取向、表面晶粒尺寸和微观力学性能的影响。结果表明:低氮气比例时,薄膜的纳米力学性能比较差;随着氮气比例的增加,氮化铜薄膜的择优生长晶面从(111)晶面转变为(100)晶面,晶粒尺寸变小,显微硬度增加,弹性模量则是先增加,后减小。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 射频磁控溅射 微结构 纳米力学

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叠氮化铜含能材料研究进展 被引量：5

13

作者 刘旭文 胡艳 +1 位作者 叶迎华 沈瑞琪 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期444-459,I0008,共17页

新型含能器件微型化、芯片化、集成化、智能化的发展趋势对火工药剂提出了更高的要求,含铅类起爆药的毒性问题也日益引发担忧。长期以来受制于较高的敏感性而未被广泛实际应用的叠氮化铜,由于其绿色高能的特性,近年来愈发引起研究者的... 新型含能器件微型化、芯片化、集成化、智能化的发展趋势对火工药剂提出了更高的要求,含铅类起爆药的毒性问题也日益引发担忧。长期以来受制于较高的敏感性而未被广泛实际应用的叠氮化铜,由于其绿色高能的特性,近年来愈发引起研究者的兴趣。从叠氮化铜的晶体结构理论研究、合成方法、复合含能材料的设计与制备以及它在微型装药中的实际应用等方面,对叠氮化铜含能材料的研究进展进行了总结。在此基础上,讨论了实现其应用前景的关键点:从理论上更深入地掌握其晶体结构与反应释能之间的内在关系;通过构建新型复合含能体系弥补其过于敏感的缺陷的同时,发挥其高能量密度的优势;通过实验和仿真更系统地了解其性能参数;开发先进的合成方法和装药技术以满足微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)火工品对含能材料精密可靠装药方式提出的要求。 展开更多

关键词 含能材料 叠氮化铜 复合材料 制备方法 性能测试 研究进展

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填充叠氮化铜的碳纳米管纳米材料的制备研究 被引量：5

14

作者 张程刚 胡艳 +2 位作者 郭锐 叶迎华 沈瑞琪 《爆破器材》 CAS 2017年第1期1-5,共5页

首先采用电化学沉积法在碳纳米管中沉积铜,再利用叠氮化反应制备填充叠氮化铜的碳纳米管纳米材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线能谱(EDS)对样品的微观形貌和晶体结构进行表征。结果表... 首先采用电化学沉积法在碳纳米管中沉积铜,再利用叠氮化反应制备填充叠氮化铜的碳纳米管纳米材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线能谱(EDS)对样品的微观形貌和晶体结构进行表征。结果表明,利用电化学沉积方法在定向碳纳米管中空管腔内合成了针状纳米枝晶铜,非连续的枝晶结构有利于后续的气固叠氮化反应,最终制备得到填充叠氮化铜晶体的碳纳米管纳米材料。 展开更多

关键词 碳纳米管 叠氮化铜 电化学沉积法

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低静电感度叠氮化铜起爆薄膜的制备及其性能 被引量：2

15

作者 闫振展 李龙 +1 位作者 杨利 韩纪旻 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期279-286,共8页

叠氮化铜的高静电感度限制了其实际应用,碳纤维作为框架材料可以有效降低其静电安全性。以便宜易得的乙酸铜为原料,利用静电纺丝技术,通过碳化、叠氮化制备了碳基叠氮化铜起爆薄膜。制备的叠氮化铜复合薄膜具有一定的柔性,叠氮化铜纳米... 叠氮化铜的高静电感度限制了其实际应用,碳纤维作为框架材料可以有效降低其静电安全性。以便宜易得的乙酸铜为原料,利用静电纺丝技术,通过碳化、叠氮化制备了碳基叠氮化铜起爆薄膜。制备的叠氮化铜复合薄膜具有一定的柔性,叠氮化铜纳米片均匀生长在碳纤维表面,碳纤维优异的导电性能可以降低其静电感度。通过扫描电镜、红外光谱、X射线衍射仪、比表面积测试和热重分析等对前驱体、碳化中间体和叠氮化铜薄膜都进行了详细的表征。测试结果表明:由于碳纤维优异的导电、导热性能,制备的叠氮化铜起爆薄膜的静电感度降低至1.2 mJ、火焰感度提高至45 cm;0.65 mg叠氮化铜起爆薄膜在33μF电容放电条件下,10 V以上电压就可以成功发火,并将铅板炸出凹痕。 展开更多

关键词 叠氮化铜 碳纤维 微起爆装置 静电纺丝

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磁控溅射制备铝掺杂氮化铜薄膜的结构及光电性能研究 被引量：3

16

作者 崔馨予 吴文静 +2 位作者 卢学良 彭香伟 肖剑荣 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期104-109,共6页

以高纯铜和铝为靶材,氮气和氩气分别为源气体和工作气体,采用双靶共溅射磁控技术在单晶硅和石英片上制备了铝掺杂氮化铜(Cu_(3)N:Al)薄膜。对Cu_(3)N:Al薄膜的表面形貌、晶体结构、光透射性能和电学性能等进行表征、分析。研究结果表明... 以高纯铜和铝为靶材,氮气和氩气分别为源气体和工作气体,采用双靶共溅射磁控技术在单晶硅和石英片上制备了铝掺杂氮化铜(Cu_(3)N:Al)薄膜。对Cu_(3)N:Al薄膜的表面形貌、晶体结构、光透射性能和电学性能等进行表征、分析。研究结果表明,掺杂Al原子进入Cu_(3)N晶格空位;随着Al靶的直流溅射功率增大,Cu_(3)N:Al薄膜中Al含量增加;Al掺杂使得薄膜颗粒尺寸增大,薄膜表面变得粗糙。Cu_(3)N:Al薄膜表现为半导体特性,其光学带隙范围在1.41-1.80 eV;Al掺杂后,Cu_(3)N薄膜的光学带隙减小,其原因是掺杂Al原子改变了晶体内非平衡载流子寿命,导致薄膜的光学带隙降低。可见,通过调控Cu_(3)N薄膜中掺杂金属原子含量,可实现对其光电特性的调制。 展开更多

关键词 氮化铜薄膜 铝掺杂 磁控溅射 光电性能

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内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能材料的制备与表征 被引量：2

17

作者 石城宽 许湘宁 +3 位作者 董成 刘旭文 胡艳 陈秉文 《爆破器材》 CAS 北大核心 2019年第5期19-23,共5页

叠氮化铜是一种绿色环保的高能含能材料,其极高的静电感度限制了它在MEMS火工品微型装药中的应用。碳纳米管优异的导电性可以有效地降低叠氮化铜的静电感度,而且取向一致、高机械强度的碳纳米管可以有效地提高叠氮化铜的安全性和爆轰输... 叠氮化铜是一种绿色环保的高能含能材料,其极高的静电感度限制了它在MEMS火工品微型装药中的应用。碳纳米管优异的导电性可以有效地降低叠氮化铜的静电感度,而且取向一致、高机械强度的碳纳米管可以有效地提高叠氮化铜的安全性和爆轰输出能量。本文中,设计并制备了基于硅基底及多孔氧化铝模板的内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能材料,探究了合适的制备条件,并对样品进行了表征分析。结果表明:在氧化电压45V、沉积电流密度0.1mA/cm^2条件下制备的复合材料,经72h叠氮化反应后得到的内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能材料在静电感度仪测试范围(≤25kV)内均未发火,有望作为一种新型含能装药应用于MEMS器件中。 展开更多

关键词 叠氮化铜 碳纳米管 复合含能材料

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金属有机骨架材料孔径对原位合成叠氮化铜-碳复合起爆药的影响规律

18

作者 秦剑 迟殿鹏 +2 位作者 杨利 韩纪旻 佟文超 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1295-1303,共9页

原位合成是解决微小火工品装药问题的关键技术。为探究金属有机骨架材料孔径对原位合成叠氮化铜的影响,采用普通溶液法制备得到3种不同孔径的含铜金属有机骨架化合物,在高温碳化后进行叠氮化反应,最终得到叠氮化铜-碳复合起爆药。利用... 原位合成是解决微小火工品装药问题的关键技术。为探究金属有机骨架材料孔径对原位合成叠氮化铜的影响,采用普通溶液法制备得到3种不同孔径的含铜金属有机骨架化合物,在高温碳化后进行叠氮化反应,最终得到叠氮化铜-碳复合起爆药。利用氮气吸附脱、扫描电镜、粉末X射线衍射以及差示扫描量热法等表征手段,对各阶段产物进行测试分析。结果表明:孔径大小会影响到骨架中铜的叠氮化程度,孔径越大,叠氮化反应越充分。 展开更多

关键词 复合起爆药 叠氮化铜-碳 金属有机骨架 原位合成

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氟化锂及氮化亚铜人工固态电解质膜对锂离子电池正极三元材料的改性 被引量：1

19

作者 郭栋 邱若愚 +1 位作者 焦炳倩 吴状春 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第2期254-259,281,共7页

在锂离子电池充放电过程中,电解液与电极材料发生反应,形成的固态电解质膜(solid electrolyte interphase,SEI)随着充放电次数的增加而变厚,这将降低电池的循环稳定性。所制备的人工固态电解质膜(a-SEI)可改善锂离子电池的循环稳定性,... 在锂离子电池充放电过程中,电解液与电极材料发生反应,形成的固态电解质膜(solid electrolyte interphase,SEI)随着充放电次数的增加而变厚,这将降低电池的循环稳定性。所制备的人工固态电解质膜(a-SEI)可改善锂离子电池的循环稳定性,其主要成分为使用液相法制备的氟化锂(LiF)、氮化亚铜(Cu 3N)纳米颗粒。通过两种不同路径,将两种纳米颗粒先后在锂离子电池正极三元材料LiNi 0.8 Co 0.1 Mn 0.1 O 2(NCM811)电极片表面和活性材料颗粒表面涂覆生成一层a-SEI。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、电化学阻抗谱(EIS)等材料表征和电化学分析方法,解析a-SEI对锂离子电池循环稳定性的影响。结果表明,NCM811材料表面包覆Cu 3N作为a-SEI的电化学性能最好,相比纯NCM811材料,50周循环后的容量保持率可提升26.5%。 展开更多

关键词 锂离子电池 循环稳定性 氟化锂 氮化亚铜 人工固态电解质膜 电化学

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