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氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质
被引量：
2
1
作者
陈志忠
秦志新
+3 位作者
沈波
朱建民
郑有炓
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期124-128,共5页
用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,...
用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,XRD摇摆曲线半宽度 (FWHM)由 1 1″增加到 1 5″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的 1 0 0倍。结合生长条件 。
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关键词
氮化
镓
氮化蓝宝石衬底
GAN薄膜
微结构
光学性质
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职称材料
1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响
2
作者
朱友华
王美玉
+1 位作者
黄静
施敏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期743-746,共4页
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光...
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致。此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果。通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级。
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关键词
氮化
铝/
蓝宝石
衬
底
有机金属化学气相沉积法(MOCVD)
深紫外发光二极管
电子阻挡层
光学与电学特性
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职称材料
题名
氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质
被引量：
2
1
作者
陈志忠
秦志新
沈波
朱建民
郑有炓
张国义
机构
北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室
北京大学物理系
介观物理与人工微结构国家重点实验室
南京大学物理系
固体微结构国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期124-128,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9876 0 0 2 )
文摘
用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,XRD摇摆曲线半宽度 (FWHM)由 1 1″增加到 1 5″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的 1 0 0倍。结合生长条件 。
关键词
氮化
镓
氮化蓝宝石衬底
GAN薄膜
微结构
光学性质
Keywords
GaN
microstructure
optical property
分类号
O484 [理学—固体物理]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响
2
作者
朱友华
王美玉
黄静
施敏
机构
南通大学电子信息学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期743-746,共4页
基金
江苏省"六大人才高峰"高层次人才基金资助项目(2013-XCL-013)
南通大学引进人才科研启动基金资助项目(03080666)
文摘
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致。此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果。通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级。
关键词
氮化
铝/
蓝宝石
衬
底
有机金属化学气相沉积法(MOCVD)
深紫外发光二极管
电子阻挡层
光学与电学特性
Keywords
AlN /sapphire substrate
metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD）
deep ultravoilet light emitting diode
electron blocking layer
optical and electrical property
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质
陈志忠
秦志新
沈波
朱建民
郑有炓
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响
朱友华
王美玉
黄静
施敏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
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