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氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池
被引量：
8
1
作者
艾凡凡
张光春
+7 位作者
顾晓峰
李果华
汪义川
杨健
陈如龙
贾积凯
张杰
黄治国
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期382-386,共5页
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩...
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极。丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现。最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3%。
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关键词
晶体硅太阳电池
选择性发射极
PECVD
氮化硅掩膜
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职称材料
原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)
被引量：
3
2
作者
李夏南
于乃森
+2 位作者
曹保胜
丛妍
周均铭
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期776-779,共4页
研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显...
研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。
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关键词
氮化
镓
金属有机化学气相沉积
应力
原位
氮化硅掩膜
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职称材料
题名
氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池
被引量：
8
1
作者
艾凡凡
张光春
顾晓峰
李果华
汪义川
杨健
陈如龙
贾积凯
张杰
黄治国
机构
江南大学理学院
尚德电力控股有限公司
江南大学信息工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期382-386,共5页
文摘
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极。丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现。最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3%。
关键词
晶体硅太阳电池
选择性发射极
PECVD
氮化硅掩膜
Keywords
crystalline silicon solar cells
selective emitter
PECVD
silicon nitride mask
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)
被引量：
3
2
作者
李夏南
于乃森
曹保胜
丛妍
周均铭
机构
大连民族学院理学院光电子技术研究所
中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期776-779,共4页
基金
大连民族学院博士科研启动基金(No.20096206)
文摘
研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。
关键词
氮化
镓
金属有机化学气相沉积
应力
原位
氮化硅掩膜
Keywords
GaN
MOCVD
stress
porous SiNx interlayers
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池
艾凡凡
张光春
顾晓峰
李果华
汪义川
杨健
陈如龙
贾积凯
张杰
黄治国
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
8
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职称材料
2
原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)
李夏南
于乃森
曹保胜
丛妍
周均铭
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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职称材料
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