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CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
被引量：
5
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作者
魏育才
《集成电路应用》
2019年第7期40-43,共4页
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜...
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。
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关键词
CF4和O2等离子
刻蚀
ICP
刻蚀
氮化硅刻蚀
掩膜退缩
PA工艺
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职称材料
题名
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
被引量：
5
1
作者
魏育才
机构
福建省福联集成电路有限公司
出处
《集成电路应用》
2019年第7期40-43,共4页
基金
福建省科技型企业技术创新课题项目
文摘
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。
关键词
CF4和O2等离子
刻蚀
ICP
刻蚀
氮化硅刻蚀
掩膜退缩
PA工艺
Keywords
CF4 and O2 plasma etching
ICP etching
Si3N4 etching
mask retraction
PA process
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
魏育才
《集成电路应用》
2019
5
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