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耐高温透波氮化硅基陶瓷材料研究进展
1
作者 姚冬旭 余兴 +3 位作者 顾昊 李嘉豪 刘雯 李睿 《空天防御》 2024年第6期46-57,共12页
氮化硅基陶瓷材料具有高强度、高模量、耐高温、抗热震和低介电等优异的综合性能,是高温透波天线罩的主要候选材料,目前氮化硅基陶瓷及其复合材料是高温透波领域研究的热点。本文综述近5年来氮化硅陶瓷、塞隆陶瓷、氮氧化硅陶瓷、氮氧... 氮化硅基陶瓷材料具有高强度、高模量、耐高温、抗热震和低介电等优异的综合性能,是高温透波天线罩的主要候选材料,目前氮化硅基陶瓷及其复合材料是高温透波领域研究的热点。本文综述近5年来氮化硅陶瓷、塞隆陶瓷、氮氧化硅陶瓷、氮氧化物陶瓷及其复合材料方面的研究现状;通过材料设计与不同成型工艺的结合,包括3D打印、化学气相渗透(CVI)、先驱体浸渍裂解(PIP)等,实现高强度-低介电氮化硅基陶瓷材料的制备,可为高马赫数飞行器透波部件提供选材及设计支撑。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 氮化物复相陶瓷 高温透波材料
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氮化硅微环的共振锁定
2
作者 张宇萌 文宇杰 +4 位作者 何秉秀 成家霖 申恒 闫智辉 贾晓军 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第12期72-77,共6页
氮化硅微环是一种被广泛应用的集成光学器件,产生用于精密测量的光频梳及用于量子信息的光量子态。其中氮化硅微环的稳定锁定是实现实际应用的关键。该文利用氮化硅微环的热自稳定性与Pound-Drever-Hall(PDH)技术,实现了氮化硅微环的共... 氮化硅微环是一种被广泛应用的集成光学器件,产生用于精密测量的光频梳及用于量子信息的光量子态。其中氮化硅微环的稳定锁定是实现实际应用的关键。该文利用氮化硅微环的热自稳定性与Pound-Drever-Hall(PDH)技术,实现了氮化硅微环的共振锁定。实验中结合高精度的激光波长调谐特性,将其稳定在微环共振波长附近,再通过PDH技术进行共振锁定。结果表明,该锁定技术在氮化硅自身的热自稳定性基础上通过精确锁定氮化硅微环,克服了扰动等影响,实现了不同功率的稳定输出。当输出功率约为38.9 mW时,对应的标准差为0.016 mW。该技术可为氮化硅微环在量子光学等领域的应用提供研究基础。 展开更多
关键词 氮化硅微环 热自稳定性 PDH技术 锁定精度
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基于夹层氮化硅波导的可见-中红外超连续谱特性研究
3
作者 孙嘉浩 程如敏 +4 位作者 郭凯 尹金德 卿笃安 李玲 闫培光 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期293-299,共7页
提出一种低厚度氮化硅-蓝宝石-氮化硅夹层波导结构。利用其色散波辐射现象和中红外相位匹配条件,结合波导脉冲传输模型,讨论了夹层波导不同物理尺寸对相位匹配点和光谱展宽的影响,数值模拟获得了0.5~4μm的超连续谱展宽,并且在-40 dB水... 提出一种低厚度氮化硅-蓝宝石-氮化硅夹层波导结构。利用其色散波辐射现象和中红外相位匹配条件,结合波导脉冲传输模型,讨论了夹层波导不同物理尺寸对相位匹配点和光谱展宽的影响,数值模拟获得了0.5~4μm的超连续谱展宽,并且在-40 dB水平下具有更远中红外色散波产生。通过该模型,详细解释了非线性波导脉冲传输的潜在机制。理论模型分析表明,通过优化氮化硅及蓝宝石夹层的物理尺寸,进而改变相位匹配条件,可以在较宽的波长范围内控制色散波的位置。 展开更多
关键词 非线性光学 超连续谱 中红外 色散工程 氮化硅
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SiC功率模块用氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究进展
4
作者 赵昱 刘林杰 +3 位作者 吴亚光 张义政 刘思雨 谢峥嵘 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期1-9,共9页
国内新能源汽车领域对SiC功率模块的高压、大功率和高可靠的要求,为氮化硅陶瓷活性金属焊接(AMB)覆铜基板的大规模应用提供了支撑。从氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备工艺流程入手,重点介绍国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究现状。综述了氮化... 国内新能源汽车领域对SiC功率模块的高压、大功率和高可靠的要求,为氮化硅陶瓷活性金属焊接(AMB)覆铜基板的大规模应用提供了支撑。从氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备工艺流程入手,重点介绍国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究现状。综述了氮化硅陶瓷基板的国内外研究进展,并总结了提升氮化硅陶瓷基板热导率和强度的主要方法。汇总了氮化硅陶瓷AMB覆铜用活性焊料的类型、作用机理和应用方法。阐述了获得低空洞率氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的钎焊方法。简述了氮化硅陶瓷AMB覆铜基板刻蚀的工艺流程。从镀液选择、镀覆时间、镀液温度等方面,详细论述了氮化硅陶瓷AMB覆铜基板在镀覆工艺中的注意事项。最后指出了国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板在材料性能和生产工艺上的不足,并展望了未来氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究及发展方向。 展开更多
关键词 SiC功率模块 氮化硅陶瓷基板 活性焊料 钎焊 刻蚀 镀覆
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氮化硅陶瓷的流延制备及性能
5
作者 刘思雨 刘林杰 +1 位作者 张义政 赵昱 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期10-15,共6页
氮化硅陶瓷兼具优良的力学性能和导热性能,在大功率半导体器件封装领域有着广泛的应用前景。采用MgO-Y2O3作为烧结助剂、亚微米级氮化硅粉体作为原料,利用流延成型工艺制备氮化硅带料。具体研究了分散剂质量分数、浆料固含量、粘结剂质... 氮化硅陶瓷兼具优良的力学性能和导热性能,在大功率半导体器件封装领域有着广泛的应用前景。采用MgO-Y2O3作为烧结助剂、亚微米级氮化硅粉体作为原料,利用流延成型工艺制备氮化硅带料。具体研究了分散剂质量分数、浆料固含量、粘结剂质量分数以及塑化剂和粘结剂的质量比对氮化硅带料制备的影响规律。此外研究了气压烧结后氮化硅陶瓷的微观结构及性能。通过优化浆料中各组分的添加量,成功制备了外观无缺陷、生坯密度高达2.09 g/cm^(3)的氮化硅带料。经气压烧结后的氮化硅陶瓷具备良好的性能,其体积密度为3.24 g/cm^(3),抗弯强度为756.41 MPa,热导率可达84.46 W/(m·K)。 展开更多
关键词 氮化硅 流延成型 生坯密度 抗弯强度 热导率
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氮化硅陶瓷微波烧结几何参数对电磁场分布影响规律的研究
6
作者 杨辉 徐伟伟 +2 位作者 石子雨 闫国栋 周钧豪 《材料研究与应用》 CAS 2024年第1期31-36,共6页
在微波烧结过程中,烧结试样内部电场分布情况对试样烧结过程起决定性的作用。采用HFSS仿真软件,对一种加载氮化硅试样的5馈口微波烧结腔进行模拟仿真。同时,研究了试样的半径、高度及放置位置对微波电场的影响规律。模拟结果表明:当试... 在微波烧结过程中,烧结试样内部电场分布情况对试样烧结过程起决定性的作用。采用HFSS仿真软件,对一种加载氮化硅试样的5馈口微波烧结腔进行模拟仿真。同时,研究了试样的半径、高度及放置位置对微波电场的影响规律。模拟结果表明:当试样半径在42—44 mm左右时,内部电磁场分布均匀;随着试样高度的增加,电场的均匀性先下降后上升到最大值后又下降,试样高度在92—94 mm处附近时内部电磁场分布较为均匀、场强梯度小;随着放置高度的增加,试样内均匀性上升,但超过一定高度后电磁场均匀性下降;经比较研究,得出电磁场分布均匀、符合烧结要求的最佳烧结试样尺寸为高度93 mm、半径44mm、放置高度215 mm。 展开更多
关键词 微波烧结 三维电磁仿真 加热均匀性 氮化硅 波导 电磁场 陶瓷材料 影响因素
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面向OCT应用的氮化硅波导基超宽带片上光源
7
作者 惠战强 李佳颖 +2 位作者 李田甜 韩冬冬 巩稼民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期671-683,共13页
光学相干层析成像(Optical Coherence Tomography,OCT)技术具有非侵入、高分辨率、可实时成像等优点,在生物医学、材料学及红外传感等众多领域被广泛应用。设计了一种基于氮化硅(Si3N4)的脊形悬空光波导,基于时域有限差分法对所设计波... 光学相干层析成像(Optical Coherence Tomography,OCT)技术具有非侵入、高分辨率、可实时成像等优点,在生物医学、材料学及红外传感等众多领域被广泛应用。设计了一种基于氮化硅(Si3N4)的脊形悬空光波导,基于时域有限差分法对所设计波导的主要结构参数进行了优化,并研究了该波导中产生的超连续谱特性。数值模拟结果表明,在脊宽=750 nm、脊高=700 nm、平板厚度=200 nm以及上覆层高=150 nm的优化结构下,当入射泵浦光波长为1.3µm,峰值功率为2 kW,和脉宽为50 fs时,基于该光波导可以产生波长覆盖可见光至中红外(703~4014 nm)的宽带超连续谱。这一结果对于促进片上集成宽带光源在生物医学等领域的应用具有重要作用。 展开更多
关键词 光学相干层析成像 超连续谱 氮化硅波导 色散工程 非线性效应
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基于氮化硅波导的超宽带偏振不敏感光分束器
8
作者 谢雅婷 洪艺涵 +2 位作者 张翼 曾志红 卢益民 《光通信研究》 北大核心 2024年第4期85-89,共5页
【目的】为了解决偏振不敏感光分束器带宽受限问题,文章提出了一种基于氮化硅(Si 3N 4)波导的超宽带偏振不敏感光分束器。【方法】所提光分束器采用绝热耦合波导结构设计,可在1400~1700 nm波长范围内实现横电(TE)模式和横磁(TM)模式的... 【目的】为了解决偏振不敏感光分束器带宽受限问题,文章提出了一种基于氮化硅(Si 3N 4)波导的超宽带偏振不敏感光分束器。【方法】所提光分束器采用绝热耦合波导结构设计,可在1400~1700 nm波长范围内实现横电(TE)模式和横磁(TM)模式的光均匀分束(光学带宽为300 nm)。【结果】在工作波长范围内,TE和TM模式的损耗分别小于0.10和0.15 dB。而且文章所提光分束器的结构尺寸小,仅为60.00μm×2.75μm,便于实现大规模集成。此外,文章还研究了所提光分束器各结构参数对器件性能的影响。【结论】仿真结果显示,各结构参数在±50 nm的范围内变化时,对光分束器的性能基本没有影响,表示该超宽带偏振不敏感光分束器具备较大的制备容差,易于制备。 展开更多
关键词 氮化硅波导 光分束器 偏振不敏感
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两步烧结对 La_2O_3-Y_2O_3 自增韧氮化硅显微结构和性能的影响
9
作者 吕杰 张立同 +1 位作者 成来飞 周万城 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期494-496,共3页
两步烧结对Ｌａ２Ｏ３Ｙ２Ｏ３自增韧氮化硅显微结构和性能的影响＊吕杰①张立同②成来飞③周万城③关于颗粒尺寸分布β相含量及形态等初始粉料特性对Ｓｉ３Ｎ４显微结构的影响已作了大量的研究，但这些研究都是通过一步烧结方式进行的... 两步烧结对Ｌａ２Ｏ３Ｙ２Ｏ３自增韧氮化硅显微结构和性能的影响＊吕杰①张立同②成来飞③周万城③关于颗粒尺寸分布β相含量及形态等初始粉料特性对Ｓｉ３Ｎ４显微结构的影响已作了大量的研究，但这些研究都是通过一步烧结方式进行的。作者采用两步热压烧结的方法对Ｌａ... 展开更多
关键词 自增韧氮化硅 显微结构 烧结 氮化硅陶瓷
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自韧氮化硅陶瓷技术
10
作者 赵振波 梁胜德 于胜东 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期31-32,共2页
概述了自韧氮化硅陶瓷技术的最新进展，并对影响柱状氮化硅陶瓷原位形成的因素及影响自韧氮化硅陶瓷断裂韧性的因素进行了分析。
关键词 氮化硅 自韧氮化硅 断裂韧性 柱状晶粒 陶瓷
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氮化硅ν_(Si-N)伸缩振动的衰减全反射红外光谱研究 被引量：7
11
作者 王维 隋丽丽 +2 位作者 李中秋 李永 于宏伟 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1241-1245,共5页
采用变温傅里叶变换衰减全反射红外光谱法(ATR-FTIR),在313~393K温度范围内,分别研究了α-氮化硅和β-氮化硅分子结构的红外一维光谱、红外二阶导数光谱和红外四阶导数光谱,并针对氮化硅Si-N伸缩振动,利用二维相关红外光谱考察了温度变... 采用变温傅里叶变换衰减全反射红外光谱法(ATR-FTIR),在313~393K温度范围内,分别研究了α-氮化硅和β-氮化硅分子结构的红外一维光谱、红外二阶导数光谱和红外四阶导数光谱,并针对氮化硅Si-N伸缩振动,利用二维相关红外光谱考察了温度变化对氮化硅分子结构的影响。结果表明:在波数950~850cm^(-1)范围内,氮化硅主要存在着Si-N伸缩振动模式(νSi-N)。随着测定温度的升高,α-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为874cm^(-1)>886cm^(-1)>880cm^(-1),而β-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为876cm^(-1)>880cm^(-1)>890cm^(-1)。 展开更多
关键词 二维红外光谱 α-氮化硅 β-氮化硅 热变性
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PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 被引量：43
12
作者 王晓泉 汪雷 +3 位作者 席珍强 徐进 崔灿 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期341-344,共4页
使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌... 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。 展开更多
关键词 太阳电池 PECVD 氮化硅
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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量：21
13
作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命
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PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究 被引量：20
14
作者 陶涛 苏辉 +7 位作者 谢自力 张荣 刘斌 修向前 李毅 韩平 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第5期267-272,303,共7页
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌。结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230nm/min甚至更高。对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86。分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 生长速率 折射率 硅衬底
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三维打印结合反应烧结制备多孔氮化硅陶瓷 被引量：15
15
作者 翁作海 曾庆丰 +2 位作者 谢聪伟 彭军辉 张瑾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期5-7,10,共4页
以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,... 以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,可得到抗弯强度为(5.1±0.3)MPa,孔隙率达(74.3±0.6)%的多孔Si3N4陶瓷。反应烧结后,样品的线收缩率小于2.0%。三维打印结合反应烧结法实现了复杂形状陶瓷构件的无模制造与净尺寸成型。 展开更多
关键词 三维打印 反应烧结 多孔氮化硅 孔隙率 净尺寸成型
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氮化硅/聚苯乙烯复合电子基板材料制备及性能 被引量：14
16
作者 何洪 傅仁利 +1 位作者 沈源 韩艳春 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期214-217,共4页
以Si3N4粉末作为增强组元与颗粒状聚苯乙烯进行复合,用热模压法制备了氮化硅/聚苯乙烯复合电子基板材料。研究了Si3N4含量和聚苯乙烯颗粒大小对复合材料导热性能和介电性能的影响,通过理论分析确定了影响导热性能的主要因素。研究结果表... 以Si3N4粉末作为增强组元与颗粒状聚苯乙烯进行复合,用热模压法制备了氮化硅/聚苯乙烯复合电子基板材料。研究了Si3N4含量和聚苯乙烯颗粒大小对复合材料导热性能和介电性能的影响,通过理论分析确定了影响导热性能的主要因素。研究结果表明,随Si3N4含量的增加,复合材料中粉末形成导热网络,复合材料的热导率也随之增加,聚苯乙烯颗粒尺寸越大,复合材料热导率越大。热导率的增加与导热网络的形成有关,增加Si3N4含量和聚苯乙烯颗粒尺寸都有助于导热网络的形成。复合材料的介电常数取决于复合材料体系组元的体积含量。 展开更多
关键词 氮化硅 聚苯乙烯 电子基板材料 导热性能 介电性能
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自蔓延高温合成氮化硅的生长机理 被引量：12
17
作者 王华彬 张学忠 +1 位作者 韩杰才 杜善义 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第1期64-67,共4页
通过放气法观察到了短棒状 β -Si3N4 以气 -液 -固 (VLS)机制生长的中间形态 .以气 -液 -固机制生长的 β -Si3N4 所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质 ,而非反应物中的金属杂质 ,或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等 .在生长过程中 ,液相不... 通过放气法观察到了短棒状 β -Si3N4 以气 -液 -固 (VLS)机制生长的中间形态 .以气 -液 -固机制生长的 β -Si3N4 所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质 ,而非反应物中的金属杂质 ,或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等 .在生长过程中 ,液相不断析出 β -Si3N4 ,氧需在液 -固中重新分配 ,使得液相中的氧逐渐减少 ,并得不到补偿 ,所以 β -Si3N4 长成短棒状 .增加反应物中的氧含量 ,可以得到高长径比的 β -Si3N4 .氮气中适量的杂质氧气和水蒸汽有利于提高产物中Si3N4 的α相与 展开更多
关键词 自蔓延高温合成 氮化硅 生长机理 结构陶瓷 陶瓷粉末
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氮化硅多孔陶瓷制备技术的研究进展 被引量：11
18
作者 李坊森 周万城 +2 位作者 胡汉军 罗发 朱冬梅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期18-21,共4页
多孔氮化硅陶瓷具有优良的机械性能,成为人们研究的热点问题。首次从原料成分设计、成型方法和烧结条件等方面出发阐述了国内外多孔氮化硅陶瓷主要制备技术的最新研究状况,分析了各种制备技术的优缺点,并指出多孔氮化硅陶瓷未来研究的... 多孔氮化硅陶瓷具有优良的机械性能,成为人们研究的热点问题。首次从原料成分设计、成型方法和烧结条件等方面出发阐述了国内外多孔氮化硅陶瓷主要制备技术的最新研究状况,分析了各种制备技术的优缺点,并指出多孔氮化硅陶瓷未来研究的重点是高性能氮化硅陶瓷制备工艺的量化和实际生产的低成本化。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 成分设计 成型方法 烧结工艺
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LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射 被引量：6
19
作者 刘渝珍 石万全 +7 位作者 刘世祥 姚德成 刘金龙 韩一琴 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 陈梦真 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期37-40,共4页
在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其... 在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其发光机制． 展开更多
关键词 LPCVD 氮化硅 薄膜 可见荧光 室温 激光激发
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氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用 被引量：12
20
作者 赵慧 徐征 +3 位作者 励旭东 李海玲 许颖 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期142-147,共6页
利用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱等手段,研究了不同硅烷和氨气配比条件以及沉积温度对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响,优化了沉积条件。通过比较沉积前... 利用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱等手段,研究了不同硅烷和氨气配比条件以及沉积温度对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响,优化了沉积条件。通过比较沉积前后电池的各项性能,确认经氮化硅钝化后电池效率提高了40%以上,电池的短路电流也提高了30%以上,对于电池的开路电压提高也很大。 展开更多
关键词 氮化硅 PECVD 多晶硅太阳电池
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