氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应

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作者 张立 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期231-236,共6页

考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/In... 考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/InxGa1-xN纤锌矿氮化物耦合量子阱为例进行了数值计算,结果发现共振光整流系数达到了10-6m/V的量级(体系的偶极矩阵元大小超过了2nm),这比同样尺寸的单氮化物量子阱的相应值高一个数量级。而且,计算还发现光整流系数对耦合量子阱的结构与掺杂组分呈现非单调的依赖关系,这一特性被归结为体系的强内建电场与量子尺寸效应对载流子受限特性的强烈竞争。计算结果还表明,通过选择小尺寸阱宽与垒宽的耦合量子阱,适当降低掺杂组分,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的光整流效应。 展开更多

关键词 氮化物半导体 耦合量子阱 内建电场 光整流效应

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基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器

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作者 郑小秋 吕燕伍 《北京交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期46-50,共5页

给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示... 给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K. 展开更多

关键词 量子级联激光器 氮化物半导体 有效质量理论 光学声子散射

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用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性

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作者 阎发旺 《半导体情报》 1997年第3期53-56,共4页

利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延（ＰＥ－ＭＢＥ）生长的ＧａＮ，ＡｌＮ和ＩｎＮ薄膜的微结构特性。闪锌矿和纤锌矿多晶相分别在（００１）ＧａＡｓ和（０００１）６Ｈ－ＳｉＣ衬底上优先成核。沿｛１１１｝平面... 利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延（ＰＥ－ＭＢＥ）生长的ＧａＮ，ＡｌＮ和ＩｎＮ薄膜的微结构特性。闪锌矿和纤锌矿多晶相分别在（００１）ＧａＡｓ和（０００１）６Ｈ－ＳｉＣ衬底上优先成核。沿｛１１１｝平面的层错和微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷，而在纤锌矿结构薄膜中，以沿｛０００２｝平面的层错和始于衬底表面的线缺陷更为常见。 展开更多

关键词 氮化物半导体 电子显微技术 高分辨率

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日科学家利用氮化物技术将产氢效率提高2倍

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《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期124-125,共2页

日本东京理科大学大川和宏教授的研究小组，日前开发出在氮化物半导体上照光，以使氢生产效率提高2倍的技术。研究小组在半导体的表面制作许多微细的电极，以提高效率，希望在效率进一步提高、生产成本等进一步降低后，使此燃料电池用... 日本东京理科大学大川和宏教授的研究小组，日前开发出在氮化物半导体上照光，以使氢生产效率提高2倍的技术。研究小组在半导体的表面制作许多微细的电极，以提高效率，希望在效率进一步提高、生产成本等进一步降低后，使此燃料电池用氢的制造技术，5年左右达到实用化目标。 展开更多

关键词 氮化物半导体 制造技术 产氢 科学家 燃料电池用氢 理科大学 日本东京 生产效率

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一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文)

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作者 郭文平 郝智彪 罗毅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期71-74,共4页

本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间... 本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间的拟合程度更加接近 ,因而得到了更加精确可信的材料结构参数。 展开更多

关键词 动力学理论 偏差因子 HRXRD 氮化物半导体

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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质

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作者 唐宁 沈波 韩奎 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第2期65-69,共5页

Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯... Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯拍频振荡和弱反局域效应,回顾了AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG自旋性质的研究进展。AlxGa1-xN/GaN异质结构材料中有很强的极化电场,诱导产生很高浓度的2DEG,能够产生相当大能量的自旋分裂,并且这种自旋分裂可以被栅压所调控,因此在自旋场效应晶体管方面有很好的应用前景。然而要实现GaN基自旋电子学器件的应用,GaN中自旋注入效率是目前所面临的问题。 展开更多

关键词 Ⅲ族氮化物半导体 异质结构 二维电子气 自旋 磁输运

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氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED

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作者 张源涛 邓高强 孙瑜 《吉林大学学报（信息科学版）》 CAS 2023年第5期767-772,共6页

针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.3... 针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.35)N电子提供层、 Al_(0.65)Ga_(0.35)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N多量子阱、组分渐变p-Al_(x)Ga_(1-x)N和n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结构成。研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的空穴注入效率,提高了LED器件的电流扩展能力。通过模拟软件对半导体器件载流子输运、光电特性的模拟,有助于加深对半导体器件物理特性的理解。若在“半导体器件物理”学习课程加入对半导体器件模拟软件的学习,能有效提升学生对半导体器件物理知识的理解和探索。 展开更多

关键词 深紫外LED 隧道结 铝镓氮 氮化物半导体

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GaN光学微盘的显微荧光图像探讨

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作者 王国忠 章蓓 +2 位作者 钱怡 张国义 胡晓东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期47-49,共3页

研制了不同厚度的直径为５～１５μｍ的ＧａＮ光学微盘，并对光学微盘的显微荧光图像进行了细致的实验观测和数值采集．结果表明，在同一个ＧａＮ外延样品上由于厚度的差别，微盘呈现两种不同类型的荧光图像。

关键词 Ⅲ族氮化物半导体 光学微腔 光学微盘 回音壁模式(WGM) 面发射模式

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一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文)

9

作者 郭文平 郝智彪 罗毅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期71-74,共4页

本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间... 本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间的拟合程度更加接近 ,因而得到了更加精确可信的材料结构参数。 展开更多

关键词 动力学理论 偏差因子 HRXRD 氮化物半导体

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基于量子阱子带间跃迁的红外探测器研究

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作者 荣新 王新强 《物理实验》 2018年第4期1-9,15,共10页

红外探测器广泛应用于夜视、热成像、通讯、制导、遥感控制等领域,在民用和军事上都有重要研究意义.本文从基本原理出发,介绍研究方法、实验设计思路及北京大学在本领域近年的研究进展,着重展示科研中遇到的困难及解决方法,力图以此引... 红外探测器广泛应用于夜视、热成像、通讯、制导、遥感控制等领域,在民用和军事上都有重要研究意义.本文从基本原理出发,介绍研究方法、实验设计思路及北京大学在本领域近年的研究进展,着重展示科研中遇到的困难及解决方法,力图以此引导研究性实验教学,为相关科研提供参考. 展开更多

关键词 子带间跃迁 红外探测器 量子阱结构 氮化物半导体 分子束外延

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GaN电力电子和射频器件产业链分析 被引量：1

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作者 沈一度 《集成电路应用》 2018年第10期91-92,共2页

Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电... Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电子器件最重要和最基本的材料体系。GaN产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。 展开更多

关键词 氮化物半导体 GAN 大功率电子器件 射频器件

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简讯

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《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期36-36,共1页

近日,第十一届氮化物半导体国际会议（ICNS）在北京召开,本次会议由北京大学主办.该会议是氮化物半导体领域最重要、最前沿的顶级国际学术会议.我校宽带隙半导体国家重点学科实验室的郝跃院士、张进成教授、马晓华教授等参加了这次会议.

关键词 氮化物半导体 国家重点学科 宽带隙半导体 国际学术会议 北京大学 国际会议 实验室

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河南省新增4个国家级政府间国际科技合作项目

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作者 本刊编辑部 《河南科技》 2017年第3期17-17,共1页

近日,河南省有4项政府间国际科技合作项目获科技部批准立项，获得国家资助资金共计975.52万元。这四个项目分别是郑州大学与日本名古屋大学合作的“基于氮化物半导体的高性能深紫外激光器的研究”，郑州大学与日本神户大学合作的“损伤... 近日,河南省有4项政府间国际科技合作项目获科技部批准立项，获得国家资助资金共计975.52万元。这四个项目分别是郑州大学与日本名古屋大学合作的“基于氮化物半导体的高性能深紫外激光器的研究”，郑州大学与日本神户大学合作的“损伤可控型自恢复减震结构的研发与设计方法”，郑州大学与里斯本大学合作的“金属催化C-H键官能团化反应研究”，河南省高远公路养护技术有限公司与白俄罗斯国家技术大学合作的“重轴载沥青路面承载性能快速检测与评价技术”。 展开更多

关键词 科技合作项目 河南省 日本名古屋大学 国际 政府 国家级 深紫外激光器 氮化物半导体

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