氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应

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作者 张立 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期231-236,共6页

考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/In... 考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/InxGa1-xN纤锌矿氮化物耦合量子阱为例进行了数值计算,结果发现共振光整流系数达到了10-6m/V的量级(体系的偶极矩阵元大小超过了2nm),这比同样尺寸的单氮化物量子阱的相应值高一个数量级。而且,计算还发现光整流系数对耦合量子阱的结构与掺杂组分呈现非单调的依赖关系,这一特性被归结为体系的强内建电场与量子尺寸效应对载流子受限特性的强烈竞争。计算结果还表明,通过选择小尺寸阱宽与垒宽的耦合量子阱,适当降低掺杂组分,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的光整流效应。 展开更多

关键词 氮化物半导体 耦合量子阱 内建电场 光整流效应

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基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器

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作者 郑小秋 吕燕伍 《北京交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期46-50,共5页

给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示... 给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K. 展开更多

关键词 量子级联激光器 氮化物半导体 有效质量理论 光学声子散射

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多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用

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作者 林伟 高娜 +4 位作者 李金钗 黄凯 蔡端俊 李书平 康俊勇 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期461-471,共11页

简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关... 简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等获得的有影响的重要创新成果. 展开更多

关键词 固态光源 氮化物半导体 量子结构

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日科学家利用氮化物技术将产氢效率提高2倍

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《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期124-125,共2页

日本东京理科大学大川和宏教授的研究小组，日前开发出在氮化物半导体上照光，以使氢生产效率提高2倍的技术。研究小组在半导体的表面制作许多微细的电极，以提高效率，希望在效率进一步提高、生产成本等进一步降低后，使此燃料电池用... 日本东京理科大学大川和宏教授的研究小组，日前开发出在氮化物半导体上照光，以使氢生产效率提高2倍的技术。研究小组在半导体的表面制作许多微细的电极，以提高效率，希望在效率进一步提高、生产成本等进一步降低后，使此燃料电池用氢的制造技术，5年左右达到实用化目标。 展开更多

关键词 氮化物半导体 制造技术 产氢 科学家 燃料电池用氢 理科大学 日本东京 生产效率

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一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文)

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作者 郭文平 郝智彪 罗毅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期71-74,共4页

本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间... 本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间的拟合程度更加接近 ,因而得到了更加精确可信的材料结构参数。 展开更多

关键词 动力学理论 偏差因子 HRXRD 氮化物半导体

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InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展 被引量：2

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作者 赖萌华 张保平 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期652-664,共13页

InGaN/GaN量子阱太阳能电池在扩宽氮化物半导体太阳能电池光谱响应和提高电池效率方面有较大优势,近几年来受到了广泛关注.本文回顾了InGaN/GaN量子阱电池发展历程,论述了量子阱区域结构设计和外界条件对InGaN/GaN量子阱电池效率的影响... InGaN/GaN量子阱太阳能电池在扩宽氮化物半导体太阳能电池光谱响应和提高电池效率方面有较大优势,近几年来受到了广泛关注.本文回顾了InGaN/GaN量子阱电池发展历程,论述了量子阱区域结构设计和外界条件对InGaN/GaN量子阱电池效率的影响,介绍了为提高InGaN/GaN量子阱电池效率所进行的关键工艺技术研究,总结了实现高效InGaN/GaN量子阱电池需要解决的问题和可能解决方案,为高效InGaN/GaN量子阱电池的实现提供参考. 展开更多

关键词 InGaN/GaN量子阱 太阳能电池 氮化物半导体 GAN INGAN

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GaN光学微盘的显微荧光图像探讨

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作者 王国忠 章蓓 +2 位作者 钱怡 张国义 胡晓东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期47-49,共3页

研制了不同厚度的直径为５～１５μｍ的ＧａＮ光学微盘，并对光学微盘的显微荧光图像进行了细致的实验观测和数值采集．结果表明，在同一个ＧａＮ外延样品上由于厚度的差别，微盘呈现两种不同类型的荧光图像。

关键词 Ⅲ族氮化物半导体 光学微腔 光学微盘 回音壁模式(WGM) 面发射模式

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一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文)

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作者 郭文平 郝智彪 罗毅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期71-74,共4页

本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间... 本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间的拟合程度更加接近 ,因而得到了更加精确可信的材料结构参数。 展开更多

关键词 动力学理论 偏差因子 HRXRD 氮化物半导体

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简讯

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《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期36-36,共1页

近日,第十一届氮化物半导体国际会议（ICNS）在北京召开,本次会议由北京大学主办.该会议是氮化物半导体领域最重要、最前沿的顶级国际学术会议.我校宽带隙半导体国家重点学科实验室的郝跃院士、张进成教授、马晓华教授等参加了这次会议.

关键词 氮化物半导体 国家重点学科 宽带隙半导体 国际学术会议 北京大学 国际会议 实验室

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专题客座主编

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《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期I0001-I0001,共1页

徐科,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员,博士生导师,国家杰出青年基金获得者,科技部中青年科技领军人才。中国电子学会电子材料分会副主任委员,中国光学学会光学材料委员会副主任委员,《人工晶体学报》编委。长期从事氮化物半... 徐科,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员,博士生导师,国家杰出青年基金获得者,科技部中青年科技领军人才。中国电子学会电子材料分会副主任委员,中国光学学会光学材料委员会副主任委员,《人工晶体学报》编委。长期从事氮化物半导体材料生长研究,对GaN的MOCVD生长、MBE生长、HVPE生长有系统研究,近年重点开展GaN单晶的生长研究和产业化,研究成果入选“十二五”国家自然科学基金资助项目优秀成果选编。发表论文100余篇,申请专利70余项,在ICNS、IWN、ICCG、APWS等重要国际会议做特邀报告30余次。 展开更多

关键词 中国电子学会 氮化物半导体 中国光学学会 光学材料 材料生长 特邀报告 科技领军人才 人工晶体

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以石墨烯实现GaN在Si（100）基板上的生长

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作者 贾磊 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2014年第9期20-20,共1页

GaN、InN、AiN等氮化物半导体应用于LED中具有独特的性能。以硅为衬底形成的氮化物半导体因其效率高、耐压性强、环保等特点。在现在以及未来社会能源领域中的应用引起了广泛的关注，但是在Si（100）基板上直接生长缺陷少的GaN结晶非常... GaN、InN、AiN等氮化物半导体应用于LED中具有独特的性能。以硅为衬底形成的氮化物半导体因其效率高、耐压性强、环保等特点。在现在以及未来社会能源领域中的应用引起了广泛的关注，但是在Si（100）基板上直接生长缺陷少的GaN结晶非常困难。 展开更多

关键词 SI(100) 生长缺陷 GAN 基板 氮化物半导体 石墨 能源领域 INN

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