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氩氧流量比对CeO_x-SnO_x膜微观结构及光学性能的影响
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作者 那聪 姜宏 +2 位作者 蔡思翔 冯建 王红燕 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期861-866,873,共7页
采用磁控反应共溅射的方法,以金属Ce和Sn为金属源,成功地制备出CeO_x-SnO_x薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜的结构、表面形貌及成分进行了分析和表征。结... 采用磁控反应共溅射的方法,以金属Ce和Sn为金属源,成功地制备出CeO_x-SnO_x薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜的结构、表面形貌及成分进行了分析和表征。结果表明薄膜以岛状模式生长,随氩氧比降低,结晶性增强,出现CeO_2和SnO相。此外,利用紫外-可见分光光度计对薄膜的光学性能进行了研究,测试结果表明薄膜对紫外光有极强的吸收作用。当氩氧流量比为3∶1时,紫外光平均透过率仅为5.80%,而可见光平均透过率为81.48%。 展开更多
关键词 磁控反应共溅射 CE Ox-Sn Ox薄膜 氩氧流量比 紫外截止
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氧氩流量比对ZnO薄膜的微结构及其发光特性的影响 被引量:2
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作者 汪小小 夏齐萍 +2 位作者 吕建国 宋学萍 孙兆奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期393-396,共4页
在室温下,利用射频磁控反应溅射法分别在硅片和石英玻璃上制备ZnO薄膜。通过控制O2/Ar流量比,研究O2/Ar流量比对ZnO薄膜的微结构、表面形貌及其光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜结果显示,当O2/Ar流量比为3∶4时,所得薄膜... 在室温下,利用射频磁控反应溅射法分别在硅片和石英玻璃上制备ZnO薄膜。通过控制O2/Ar流量比,研究O2/Ar流量比对ZnO薄膜的微结构、表面形貌及其光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜结果显示,当O2/Ar流量比为3∶4时,所得薄膜结晶度最佳,表面粗糙度为0.725 nm;荧光光谱显示,ZnO薄膜在波长407 nm附近出现紫光发光峰,该发光峰源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁,发射强度随O2/Ar流量比的增加先减小后增加。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 反应溅射 光致发光 流量比
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氧氩流量比对氧化铋纳米薄膜微结构及光电性能的影响研究
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作者 陈真英 周际越 +1 位作者 邓文 彭富平 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第6期1620-1627,共8页
为了制备出不同光电性能的氧化铋薄膜,并明晰其性能机理,以便后续研究与氧化锌薄膜复合成压敏薄膜。采用磁控溅射法,改变溅射气氛中氧气和氩气的流量比,在玻璃衬底上制备出了三个氧化铋薄膜样品,并对其微观形貌、结构及光电性能进行了... 为了制备出不同光电性能的氧化铋薄膜,并明晰其性能机理,以便后续研究与氧化锌薄膜复合成压敏薄膜。采用磁控溅射法,改变溅射气氛中氧气和氩气的流量比,在玻璃衬底上制备出了三个氧化铋薄膜样品,并对其微观形貌、结构及光电性能进行了测试分析。结果表明:溅射气氛中的氧氩流量比对薄膜微结构及光电性能影响显著;不同氧氩流量比制备的Bi_(2)O_(3)薄膜中均含BiO_(2)和Bi杂相,且随着氧氩流量比由0∶40增大至4∶36,薄膜中Bi含量减少,BiO_(2)增加;薄膜颜色由黑变黄;沉积速率由14 nm/min减少至12 nm/min;晶粒尺寸增大,表面趋向致密均匀,可见光区透过率由0.25%增加到56.73%;禁带宽度由0增加到3.17 eV;载流子浓度、导电性能急剧降低,调节溅射气氛中氧氩流量比可有效控制氧化铋薄膜的禁带宽度,载流子浓度等,从而获得不同光电性能的薄膜样品。 展开更多
关键词 化铋薄膜 磁控溅射 流量比 微结构 光电性能
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Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备及其日盲紫外光电探测器性能研究
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作者 张献 岳志昂 +6 位作者 赵恩钦 魏帅康 叶文轩 黄敏怡 辛美波 赵洋 王辉 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期462-469,共8页
日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制备Si掺杂氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了氩氧流量比对其物理特性的影响。晶体结构、光学性质和表面形貌分析结果表明,当氩氧流量比... 日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制备Si掺杂氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了氩氧流量比对其物理特性的影响。晶体结构、光学性质和表面形貌分析结果表明,当氩氧流量比为30∶20时,薄膜的结晶质量最好。Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜沿(402)晶面择优生长,表面平整光滑,无微孔洞,400~800 nm波段的平均透过率为90%。基于优化的Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备条件,本文制备了p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)∶Si自供电SBPDs,其在0 V偏压254 nm光照下的上升时间和衰减时间分别为0.450和0.509 s,光暗电流比(PDCR)、响应度(R)和比探测率(D*)分别为23、0.24 mA/W和1.67×10^(8)Jones。研究了器件在0~-6 V偏压下的周期性时间响应特性,在0 V偏压下,器件在254 nm辐照瞬间出现尖峰,当施加反向偏压时,尖峰消失。最后分析了p-GaN/Ga_(2)O_(3)∶Si异质结在接触前、后及反向偏压下的能带图。 展开更多
关键词 Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜 氩氧流量比 磁控溅射 异质结 日盲紫外光电探测器
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