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Ni_xCo_(3-x)O_4表面修饰对CdSe/TiO_2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响(英文)
1
作者
许贞
李娟
李新军
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期429-436,共8页
利用氨挥发诱导法在CdSe/TiO2纳米管阵列表面负载一层NixCo3-xO4。采用SEM、XRD、XPS、UV-Vis对样品进行表征,通过线性扫描伏安法测定光阳极的释氧电势来评价其光电水氧化活性。结果表明:表面NixCo3-xO4是尖晶石结构;相对于CdSe/TiO2纳...
利用氨挥发诱导法在CdSe/TiO2纳米管阵列表面负载一层NixCo3-xO4。采用SEM、XRD、XPS、UV-Vis对样品进行表征,通过线性扫描伏安法测定光阳极的释氧电势来评价其光电水氧化活性。结果表明:表面NixCo3-xO4是尖晶石结构;相对于CdSe/TiO2纳米管阵列光阳极,NixCo3-xO4/CdSe/TiO2光阳极能将光电氧化水的过电势降低430 mV。Ni离子的引入使得NixCo3-xO4表面富含三价阳离子(Ni3+,Co3+),从而促进CdSe/TiO2光阳极光电水氧化的进行。
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关键词
TIO2纳米管阵列
CDSE
NixCo3-xO4
氨挥发诱导生长
光电水氧化
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职称材料
题名
Ni_xCo_(3-x)O_4表面修饰对CdSe/TiO_2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响(英文)
1
作者
许贞
李娟
李新军
机构
中国科学院可再生能源与天然气水合物重点实验室
中国科学院大学
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期429-436,共8页
基金
国家自然科学基金(No.51172233)
国家重点基础研究发展计划项目(973)(2009CB220002)资助项目
文摘
利用氨挥发诱导法在CdSe/TiO2纳米管阵列表面负载一层NixCo3-xO4。采用SEM、XRD、XPS、UV-Vis对样品进行表征,通过线性扫描伏安法测定光阳极的释氧电势来评价其光电水氧化活性。结果表明:表面NixCo3-xO4是尖晶石结构;相对于CdSe/TiO2纳米管阵列光阳极,NixCo3-xO4/CdSe/TiO2光阳极能将光电氧化水的过电势降低430 mV。Ni离子的引入使得NixCo3-xO4表面富含三价阳离子(Ni3+,Co3+),从而促进CdSe/TiO2光阳极光电水氧化的进行。
关键词
TIO2纳米管阵列
CDSE
NixCo3-xO4
氨挥发诱导生长
光电水氧化
Keywords
TiO2 nanotube arrays
CdSe
NixCo3-xO4
ammonia-evaporation induction growth
photoelectroehemical oxidation of water
分类号
O611.3 [理学—无机化学]
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被引量
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1
Ni_xCo_(3-x)O_4表面修饰对CdSe/TiO_2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响(英文)
许贞
李娟
李新军
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013
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