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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析
被引量：
1
1
作者
李庚伟
吴正龙
+1 位作者
邵素珍
刘志凯
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期685-688,共4页
对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的...
对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含Si成分的厚度不超过18nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.
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关键词
ZnO/Si异质结构
氧
离子
柬
辅助
(O^+
-assisted
)
pld
X射线光电子能谱(XPS)
深度剖析
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职称材料
题名
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析
被引量：
1
1
作者
李庚伟
吴正龙
邵素珍
刘志凯
机构
中国地质大学(北京)材料科学与工程学院
北京师范大学分析测试中心
北京市第四十七中学
中国科学院半导体材料科学实验室
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期685-688,共4页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(7150010162)
中国地质大学(北京)科技基金资助项目(200524).
文摘
对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含Si成分的厚度不超过18nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.
关键词
ZnO/Si异质结构
氧
离子
柬
辅助
(O^+
-assisted
)
pld
X射线光电子能谱(XPS)
深度剖析
Keywords
ZnO/Si heterostructure
O^＋
-assisted
pulsed laser deposition （
pld
）
X-ray photoelectron spec-troscopy （XPS）
depth profile
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析
李庚伟
吴正龙
邵素珍
刘志凯
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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