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NTDCZSi中氧的沉淀与吸除
被引量：
1
1
作者
张维连
王志军
+2 位作者
孙军生
张颖怀
张恩怀
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期596-597,共2页
在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在...
在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。
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关键词
中子嬗变掺杂
辐照缺陷
CZSI
氧沉淀退火
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职称材料
题名
NTDCZSi中氧的沉淀与吸除
被引量：
1
1
作者
张维连
王志军
孙军生
张颖怀
张恩怀
机构
河北工业大学材料研究中心
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期596-597,共2页
文摘
在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。
关键词
中子嬗变掺杂
辐照缺陷
CZSI
氧沉淀退火
Keywords
neutron transmutation dope,irradiation defects, czochralski silicon, oxygen precipitation, annealing
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NTDCZSi中氧的沉淀与吸除
张维连
王志军
孙军生
张颖怀
张恩怀
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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职称材料
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