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题名氧气后处理对氧化锌薄膜紫外发射性质的影响
被引量：3
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作者
林碧霞
傅竹西
廖桂红
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机构
中国科学院结构分析重点实验室
中国科学技术大学物理系
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期129-133,共5页
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基金
国家基金委重大研究计划重点课题(90201038)
中国科学院知识创新方向性课题(KJCX2-SW-04-02)
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文摘
为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究。用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/P-Si异质结。在1000℃下用不同比例的氧和氨热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强。但过大的氧分压反而产生多的受主缺陷,使越来越多的激发能量转移到发射能量低的绿光中心,从而使紫外减弱。在纯氧和无氧条件下热处理的俄歇谱表明纯氧下氧过量,而无氧下锌大大过量。ZnO/p-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性表明,无氧热处理表现为典型的n-ZnO/p-Si异质结;而在纯氧气氛中处理后所得Ⅰ-Ⅴ曲线反向,这表明在高氧压下受主缺陷的产生,表明ZnO薄膜有可能由于高氧压热处理由n型转为p型。
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关键词
氧化锌薄膜
氧气后处理
紫外发射
光致发光谱
缺陷
化学计量
半导体材料
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Keywords
ZnO films
ultraviolet photoluminescence
defects
toichiometry
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
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